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对不同组分、阱宽和垒宽的锗硅单量子和多量子阱样品的C-V特性及其与温度的关系进行了测量,并用数值方法解泊松方程模拟计算了单量子阱样品的C-V特性及其C-V载流子浓度分布,实验和模拟计算的结果均表明,C-V载流子浓度分布在量了阱位置有一个深度 高的峰值,它反映了被限制在阱中的载流子的积累,峰高随着量子阱异质界面的能带偏移的增加而增另,低温由于阱中载流子的热发射几率变小,阱中载流子深度的变化跟不上测试 相似文献
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采用有限深对称方势阱近似模型求解薛定谔方程得到Ge/Si量子阱中的子能级分布,并基于迭代法数值求解泊松方程模拟计算了量子阱结构样品在不同偏压下的载流子浓度分布和C-V特性.C-V曲线上电容平台的存在是量子阱结构C-V特性的显著特征,它与量子阱结构参数有密切的关系.随着覆盖层厚度的减小,C-V曲线上平台起始点的电容值增加,并且向低电压方向移动直至其消失.随着量子阱中的掺杂浓度提高,阱中的载流子浓度也会相应增加,那就需要更高的外加电压才能耗尽阱中的载流子,因此平台宽度也就随着掺杂浓度的增加而增加.当覆盖层厚度增加时,由于电压的分压作用,使得降在量子阱上的分压相应减少,因此需要更大的外加偏压才能使阱中载流子浓度全部耗尽,这就使平台的宽度增大.同样地,当覆盖层掺杂浓度增加时,覆盖层中更多的载流子转移到阱内,也就需要更高的外加偏压才能使阱中载流子全部耗尽,平台的宽度也就随之增大. 相似文献
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采用有限深对称方势阱近似模型求解薛定谔方程得到Ge/Si量子阱中的子能级分布,并基于迭代法数值求解泊松方程模拟计算了量子阱结构样品在不同偏压下的载流子浓度分布和C-V特性.C-V曲线上电容平台的存在是量子阱结构C-V特性的显著特征,它与量子阱结构参数有密切的关系.随着覆盖层厚度的减小,C-V曲线上平台起始点的电容值增加,并且向低电压方向移动直至其消失.随着量子阱中的掺杂浓度提高,阱中的载流子浓度也会相应增加,那就需要更高的外加电压才能耗尽阱中的载流子,因此平台宽度也就随着掺杂浓度的增加而增加.当覆盖层厚度增加时,由于电压的分压作用,使得降在量子阱上的分压相应减少,因此需要更大的外加偏压才能使阱中载流子浓度全部耗尽,这就使平台的宽度增大.同样地,当覆盖层掺杂浓度增加时,覆盖层中更多的载流子转移到阱内,也就需要更高的外加偏压才能使阱中载流子全部耗尽,平台的宽度也就随之增大. 相似文献
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用深能级瞬态谱(DLTS)研究了分子束外延生长的Ge0.4Si0.6/Si多量子阱与Ge/Si应变超晶格样品中深能级中心的性质.在两种样品中都观测到两个多数载流子中心和一个少数载流子中心.在Ge0.4Si0.6/Si多量子阱样品中深中心E2的能级位置为EC-0.30eV,E3的能级位置为EC-0.22eV.并且在正向注入下随着E2峰的消失观测到一个少数载流子峰SH1,其能级位置为EV+0.68eV.在Ge/Si应变超晶格中,深中心H1的能级位置为EV+0.44eV,深中心H2的能级位置为EV+0.24eV 相似文献
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用深能级瞬态谱(DLTS)研究了分子束外延生长的Ge0.4Si0.6/Si多量子阱与Ge/Si为超晶格样品中深能级中心的性质,在种样品中都观测到两个多数载流子中心和一个少数载流子中心,在Ge0.4Si0.6/Si多量子阱样品深中心E2的能级位置为EC-0.30eV,E3的能级位置为Ec-0.22eV,并且在正向注入下随着E2峰的消失到一个少数载流子峰SH1,其能级位置为EV+0.68eV,在Ge/ 相似文献
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采用数值模拟的方法研究了具有相同的平均In组分,但In组分的分布不同的3个紫色InGaN/GaN单量子阱样品的光谱特性.通过分析样品的电致发光谱、能带结构、波函数交叠以及载流子浓度分布等,发现沿生长方向阱内In组分线性增加的单量子阱样品的发光效率最高,而In组分线性减小的样品发光效率最低.这是因为In组分的线性增加能够减弱极化场对价带的影响,使阱内价带变得更加平缓.这不仅降低了空穴的注入势垒高度、增大了阱中的空穴浓度,还增强了阱内电子-空穴波函数的交叠积分,提高了辐射复合几率,从而使In组分线性增加的量子阱的发光效率显著提高. 相似文献
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本文报道了利用低压金属有机物汽相外延(LP-MOVPE)技术,在(001)InP衬底上生长In_(1-x)Ga_xAs体材料及In_(1-x)Ga_xAs/InP量子阶结构材料的结果.对于TMG/TEIn源,In_(1-x)Ga_xAs材料的非故意掺杂载流子依匿为7.2×1016cm-3,最窄光致发光峰值半宽为18.9meV,转靶X光衍射仪对量子阶结构材料测到±2级卫星峰;而对于TMG/TMIn源,非故意掺杂载流于浓度为3.1×10 ̄15cm ̄(-3),最窄光致发光峰值半宽为8.9meV,转靶X光衍射仪对量子阶 相似文献
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用深能级瞬态谱(DLTS)研究了量子阱样品价中载流子的热发射和异质界面附近的深能级缺陷,得到Si0.67Ge0.33/Si单量子样品的能带偏移为0.24eV.量子阱异质界面附近高浓度的深能级缺陷在样品的DLTS谱上形成一少于峰,该信号只有当测量的脉冲宽度足够大时才能检测到.对比不;司组分相同结构的多量子阱样品发现,组分大时异质界面的深能级缺陷浓度大,因此它可能是失配应变或位错引起的.相应的光致发光谱(PL)测试结果表明该深能级缺陷还会导致PL谱中合金层的带边激子峰的湮灭. 相似文献
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本文报道用低压有机金属化合物化学气相淀积(LP-MOCVD)外延生长InGaAsP/InP应变量子阶材料,材料参数与外延条件的关系,量子阱器件的结构设计及其器件应用.用所生长的材料研制出宽接触阈值电流密度小于400A/cm2(腔长400μm),DC-PBH结构阈值7~12mA的1.3μm量子阱激光器和宽接触阈值电流密度小于600A/cm2(腔长400μm),DC-PBH结构阈值9~15mA的1.55μm量子阶激光器以及高功率1.3μm量子阱发光二极管和InGaAsPIN光电探测器. 相似文献
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通过对ZnxCd1-xTe-ZnTe多量子阱样品的光泵受激发射研究讨论了材料中激子局域态对受激发射激子过程以及受激发射特性的影响。两块不同组份和不同局域态密度的ZnCdTe-ZnTe多量子阱样品受激发射过程都是n=1重空穴激子参与的一系列过程,但在Zn0.67Cd0.33Te-ZnTe中发现了激子-激子散射的受激发射过程,而在Zn0.78Cd0.22Te-ZnTe中没有发现这一受激发射的激子过程。x=0.67的样品中具有较高的局域化激子密度,其受激发射具有较高的阈值。 相似文献
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首先从理论上研究了在应变情况下量子阱中能级的计算,然后利用LP-MOCVD研究了InGaAs/InP组份的控制及生长条件,最后生长伸张应变为0.5%的四个量子阱InGaAs/InP结构材料,利用PL光谱测量得最小阶宽为1.8nm。 相似文献
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首先从理论上研究了在应变情况下量子阱中能级的计算,然后利用LP-MOCVD研究了InGaAs/InP组份的控制及生长条件,最后生长伸张应变为0.5%的四个量子阱InGaAs/InP结构材料,利用PL光谱测量得最小阶宽为1.8nm。 相似文献
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对于处在亚稳态生长区域内阱宽为15um锗组分x=0.25、0.33、0.40的单量子阱样品,及阱宽相同x=0.45、0.53的单量子阱样品,首先通过喇曼光谱测量了样品的应变弛豫程度,发现当锗组分增加到X≥0.45时,其应变开始逐渐弛豫,然后通过测量深能组瞬态谱(DLTS),研究应变弛豫程度不同的样品中形成的缺陷性质。在X=0.25、0.33、0.40样品中均可以观察到量子阱中载流子发射产生的DLTS峰,由它求得的能带们移值与理论预计值符合。对于X=0.45、0.53样品阱中载流子发射信号已被缺陷信号淹没,表明此时样品的缺陷浓度很大。相应的缺陷情况是:对于应变未弛豫的样品(X=0.25),DLTS测得的缺陷为一点缺陷;对于应变基本未弛豫的样品(X=0.33、0.40)DLTS测得的缺陷主要为一组界面缺陷;而应变部分弛豫的样品(X=0.45、0.53),DLTS测得的缺陷与前三种样品不同,样品的缺陷可能与形成的穿透位错有关。通过电化学腐蚀,可以确定这些缺陷均位于异质界面附近。 相似文献
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一个简单的量子阱激光器等效电路模型 总被引:1,自引:1,他引:0
给出一个新的量子阱激光器等效电路模型,由量子阱激光器单模速率方程推导得到并在电路模拟程序SPICE中完成。该模型考虑了热辐射效应和分离限制区域(SCH)内的载流子工作情况,给出了新的光增益表达式。并利用该模型对单量子阱激光器的小信号特性和瞬态大信号特性进行了预测,模拟结果表明和速率方程的直接求解结果吻合很好。 相似文献
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在(100)和(111)BGaAs衬底上,同时用MOCVD生长出In0.14Ga0.86As多量子阱子结构,对两种晶向的样品进行了低温(2K)光致发光谱特怀性地比研究,测量与理论的光发射能量对比表明;(100)面样品两一致,而(111)B样品比测量值高出10-15meV,这一差别用(111)B面量子阱中的压电效应产生的知建电场引起的发射能量红移作出解释。 相似文献