退火Ge－Au／Au双层膜中出现的缩聚型分形

利用透射电子显微镜观察了不同温度下退火的Ｇｅ－２２ａｔ．％Ａｕ／Ａｕ双层膜，原态双层膜由Ｇｅ．Ａｕ多晶相和少量Ｇｅ＿（０．４）Ａｕ＿（０．６）亚稳相组成，其中Ａｕ的晶粒很不均匀，没有观察到非晶态Ｇｅ。６０℃至３５０℃退火后均能出现分形图形，但和非晶Ｇｅ晶化形成的多枝叉形貌显著不同。温度升高，分维数增大。认为Ｇｅ－Ａｕ／Ａｕ双层膜中较粗大的Ａｕ晶粒吸收Ａｕ小晶粒引起的缩聚是形成分形的主要原因。     

Au／a—Ge双层膜分形晶化及其V—I非线性研究

本文报道了Ａｕ／ａ－Ｇｅ双层膜的分形晶化现象，测量了Ａｕ／ａ－Ｇｅ双层膜在分形晶化后的Ｖ－Ｉ特性。实验结果表明：Ｗ发形晶化后的Ａｕ／Ａ－Ｇｅ双层膜具有反常的非线性Ｖ－Ｉ特生，应用隧道结网络（ＲＴＪＮ）。模型对该合理的解释。     

a—SiGex：H薄膜准分子激光晶化的研究

用ＫｒＦ准分子激光、ＸｅＣｌ准分子激光在不同条件下对Ｇｅ含量不同的四种ａ－ＳｉＧｅ：Ｈ样品进行退火，只要激光退火能量密度合适，Ｇｅ含量不同的ａ－ＳｉＧｅ：Ｈ薄膜都可以被多晶化；随着Ｇｅ含量的增加，激光晶化阈值能量密度降低，耐退火民降低；在相同的激光晶化能量密度下，Ｇｅ的含量越高的薄膜，激光晶化的效果越好，晶粒尺寸长得越大。     

分形晶化的Au／a—Ge双层膜的非线性V—I特征

本报道了Ａｕ／ａ－Ｇｅ双层膜的分形晶体现象，并首次测量了Ａｕ／ａ－Ｇｅ双层膜分形晶化的Ｖ－Ｉ特性，实验结果表明：分表晶化后的Ａｕ／ａ－Ｇｅ双层膜具有反常的非线性Ｖ－Ｉ特征，应用隧道结网络（ＲＴＪＮ）模型对实验结果给予了合理的解释。     

非晶Ni88P12合金薄膜的AFM和STM研究

本文报导利用ＳＴＭ（Ｓｃａｎｎｉｎｇ Ｔｕｎｎｅｌｉｎｇ Ｍｉｃｒｏｓｃｏｐｅ）和ＡＦＭ（Ａｔｏｍｉｃ Ｆｏｒｃｅ Ｍｉｃｒｏｓｃｏｐｅ）对化学沉积的非晶及高温晶化后的Ｎｉ８８Ｐ１２合金薄膜表明的形貌进行了研究，观察到非晶合金膜是由纳米大小的微粒聚成微米大小的颗粒构成的，晶化后颗粒长大变为晶粒。     

射频溅射CdTe薄膜结构特性分析

采用射频磁控溅射技术在玻璃衬底上沉积了CdTe单层薄膜,实验表明:在室温条件下,通过调节溅射功率和溅射氩气压强,沉积的CdTe薄膜显示了一系列结构形态.研究了无CdTe薄膜沉积、非晶CdTe薄膜沉积、晶化CdTe薄膜沉积的生长条件,并采用卢瑟福散射理论解释了溅射CdTe薄膜生长机制的分子动力学过程.     

激光熔敷PdCuSi合金非晶涂层的研究

研究了采用５ｋＷＣＯ２连续激光器和２００ＷＹＡＧ脉冲激光器在Ｃｕ基材上进行熔敷ＰｄＣｕＳｉ合金非晶态涂层，讨论了两种激光器辐照条件下该合金的非晶形成能力和Ｎｉ－Ｐ非晶预镀层的作用。     

对离子减薄制备纳米晶软磁合金透射电镜样品中的无颗粒区的研究

纳米晶软磁合金（Ｆｅ７３．５Ｃｕ１Ｎｂ３Ｓｉ１３．５Ｂ９）的典型结构为两相：即大小为１５ｎｍ的ＦｅＳｉ小晶粒相弥散分布于剩余非晶基体相中。在离子减薄制备的电镜样品中，孔的边缘往往有一些无颗粒区。我们用ＥＤＳ研究了其化学成分，发现这些无颗粒区的成分不同于理论估计的非晶基体相的化学成分，也不同于材料原来的平均成分。其电子选区衍射（ＳＡＤ）花样既和两相区的衍射花样不同，表现为ｄ＝０．２７ｎｍ附近的一个非晶衍射环，也和制备态的非晶衍射环不同，说明这些非晶区可能是在样品的离子减薄过程中二次非晶化引起的。     

(001)GaAs衬底上异质外延的立方GaN薄膜与界面

用电子回旋共振微波等离子体辅助金属有机化学气相沉积（ＥＣＲ－ＰＡＭＯＣＶＤ）法，在低温条件下，在（００１）ＧａＡｓ衬底上异质外延，生长了立方晶ＧａＮ薄膜．高分辩电镜（ＨＲＥＭ）观测与Ｘ射线衍射（ＸＲＤ）测量结果表明：ＧａＮ薄膜具有典型的闪锌矿结构；三种方法测得其晶格常数为０．４５１～０．４５７ｎｍ；在ＧａＮ／ＧａＡｓ界面处的生长模式为异质外延；ＧａＮ薄膜中的位错主要为堆垛层错与刃形位错；随着远离界面，ＧａＮ中位错密度与镶嵌组织迅速减少．     

非晶TiO2薄膜激光晶化

以中频孪生非平衡磁控溅射沉积设备制备的非晶氧化钛薄膜为前驱体,采用激光晶化技术实现了从非晶氧化钛到纳米氧化钛的相变过程。研究结果表明,在所选取的激光功率范围内,晶化氧化钛薄膜主要是由纳米尺度的锐钛矿和金红石所组成。随着激光功率的增大,晶化薄膜中金红石相的含量逐渐增多,晶粒尺寸逐渐增大,硬度、弹性模量及耐磨性逐渐提高。     

Si／Ag／Si和Si／Au／Si薄膜分形晶化的TEM和EDS研究

本文利用透射电镜（ＴＥＭ）和Ｘ射线能谱（ＥＤＳ）对ａ－Ｓｉ：Ｈ／Ａｇ／ａ－Ｓｉ：Ｈ和ａ－Ｓｉ：Ｈ／Ａｕ／ａ－Ｓｉ：Ｈ薄膜的分形晶化行为进行了研究。结果表明薄膜的分形晶化强烈依赖于退火条件，分形的形成可用随机逐次触发形核和生长（ＲＳＮＧ）来加以解释。尽管膜内存在明显的互扩散，Ｓｉ分形区厚度与均匀基体区厚度相近。但在ａ－Ｓｉ：Ｈ／Ａｇ／ａ：Ｓｉ：Ｈ膜中存在部分较大的Ａｇ晶粒凸出膜面。     

NEC研究先进的Al─ Ge─ Cu工艺

ＮＥＣ研究先进的Ａｌ┐Ｇｅ┐Ｃｕ工艺据ＳｅｍｉｃｏｎｄＩｎｔｌ１９９６年第６期报道：ＮＥＣ公司的研究人员正在不断观察Ｇｅ加入Ａｌ－Ｃｕ互连后的作用，以得到一种有实际生产价值的低温回流溅射工艺。这种使用低温回流溅射和化学机械抛光金属平坦化的Ａｌ－Ｇｅ...     

激光诱导Y1Ba2Cu3Ox超导靶等离子体发射光谱的研究

利用ＯＳＭＡ光谱测量方法对Ｎｄ：ＹＡＧ激光烧蚀沉积Ｙ－Ｂａ－Ｃｕ－Ｏ超导薄膜过程中等离子体发射光谱的研究表明，靶表面喷出的粒子中存在着Ｙ，Ｂａ，Ｃｕ原子和离子以及氧化物光谱，其中Ｃｕ离子的光谱很少。     

氩离子束辅助反应溅射沉积氧化锆薄膜的微观分析

对离子束反应溅射沉积过程中,同时经氩离子束轰击形成的氧化锆薄膜进行了RBS,XPS,TEM及XRD的微观分析。结果表明,在本实验条件下的形成膜体部分为标准化学计量配比的ZrO_2;形成膜由非晶和微晶构成,晶化程度与薄膜沉积用的衬底材料有关;在Al衬底上沉积膜有介稳立方相和单斜相出现;所有沉积膜表面均沾污碳。     

双束共蒸发制备Fe－Cu包埋团簇

基于气体聚集（ＧＡ）形成团簇的过程，利用双束蒸发共沉积方法，在室温下成功地制备了Ｆｅ－Ｃｕ纳米磁性包埋团簇样品。对样品的ＴＥＭ／ＥＤ分析表明，平均直径为２０ｎｍ左右的Ｆｅ团簇被Ｃｕ原子所包裹，形成了以Ｆｅ团簇为芯，Ｃｕ原子为壳的良好的芯－壳式包埋结构。     

Co基磁性薄膜的快速循环纳米晶化

采用独特的快速循环纳米晶化技术(RRTA)对直流磁控溅射制备的非晶CoNbZr软磁膜进行纳米晶化。研究了不同的纳米晶化工艺条件下,薄膜的微观结构和软磁性能。结果表明,CoNbZr软磁薄膜晶粒细化到30 nm,RRTA晶化方法可有效地控制CoNbZr薄膜的软磁性能。     

CuxS背接触层制备及在碲化镉薄膜太阳电池中应用研究

本文采用化学水浴法沉积CuxS薄膜,通过改变Cu元素比例研究其对碲化镉电池效率的影响。研究表明化学水浴法沉积的CuxS是非晶的,采用适当退火条件可以使其晶化,随着退火温度的提高,薄膜变得致密且结晶明显。CuxS薄膜厚度对电池性能有很大的影响,结果表明,随着CuxS薄膜厚度增加,电池性能先增加后减少。薄膜厚度为75nm时,CdS/CdTe电池性能最佳,达到了最高转化效率(η)为12.19%,填充因子(FF)为68.82%,开路电压(Voc)为820mV。     

Si（001）上MBE异质生长Ge中表面活化剂Sd的作用的研究

本利用ＲＨＥＥＤ、Ｘ射线双晶衍射及ＴＥＭ等技术，研究了在Ｓｉ（００１）衬底上，用晶化了的列定形Ｇｅ层做缓冲层ＭＢＥ生长Ｇｅ时，引入表面活化剂Ｓｄ所产生的影响。研究表明，Ｓｄ的引入将全使Ｓｉ（００１）衬底上无定形Ｇｅ膜的晶化温度显提高，并在一定的生长条件下，破坏Ｇｅ外延层的结晶性。     

有机铜薄膜的等离子体聚合研究

提供了一种用等离子体聚合制备金属－ 有机化合物ＣｕＡＡ 薄膜的实验研究。指出ＣｕＡＡ薄膜随工艺条件的不同可呈现出不同的颜色和电性能，尤其是其电阻率变化范围可达６ － ７ 个数量级。对所制备的ＣｕＡＡ薄膜进行了红外光谱分析和扫描电镜分析。     

射频反应溅射GexC1—x薄膜的特性

通过在Ａｒ＋Ｃｈ４气体中的射频反应溅射法制备出ＧｅｘＣ１－ｘｄ薄膜。利用俄歇电子能谱，Ｘ射线衍射，光度计及硬度测定等研究了沉积薄膜的成分，结构和性能。结果表明，薄膜中的Ｇｅ／Ｃ原子比随气体流量比ＣＨ４／（Ａｒ＋ＣＨ４）的增加而下降。