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相似文献
 共查询到20条相似文献,搜索用时 31 毫秒
1.
为了制备优质的钽阳极块,以钠还原法生产的电容器级超高比容金属钽粉(FTW200K)为主要原材料,并添加化学粘结剂为辅助原材料制备钽阳极块。利用扫描电镜、粒度分析仪对不同粘结剂、不同脱蜡工艺参数条件下制备的阳极块进行内部钽粉颗粒存在的物理形态及结合方式、压制成型和脱蜡后钽阳极块内部的钽粉颗粒度和孔隙度进行观察和分析。结果显示:化学粘结剂的加入有助于超细金属钽粉颗粒间的粘结,实现金属钽粉压成胚块,但也是形成钽阳极芯子毛胚块外部和内部质量缺陷的主要原因之一。通过现场对比试验,最后通过对真空脱蜡等工艺参数的计算设计和有效控制,完全能够制备出钽粉颗粒分布均匀,孔隙度良好的钽阳极块。  相似文献   

2.
研究FTW150K高比容钽粉研制钽电解电容器电介质膜的形成工艺.用例试方法分析,讨论在容量、损耗参数引出难和形成工艺不稳定条件下,钽电解电容器的形成电压、形成电流及形成温度等对电介质膜的影响.结果表明,形成致密的电介质氧化膜是容量引出的关键,当形成电压为额定电压的4~5倍、形成电流为1.76μA时为该实验的最佳工艺条件.  相似文献   

3.
对由超细颗粒度、超高比容FTW150K钽粉研制钽电解电容器的被膜工艺进行研究.用例试方法分析,并讨论硝酸锰溶液中添加有机溶剂、硝酸锰的分解条件及不同质量浓度的硝酸锰被覆遍数,对钽电解电容器的电容、损耗、漏电流和等效串联电阻的影响.结果表明,不同的设计工艺参数和工艺路线,对钽电解电容器的电性能参数影响不同.以添加有机溶剂和采用二步法分解的效果最佳,特别是调节和改变溶液的分解温度及环境湿度,硝酸锰溶液可分解成导电性更好的β-MnO_2导电层,使容量容易引出、漏电流和等效串联电阻大大降低.  相似文献   

4.
对比分析湿式检测电容器级钽粉频率对其比容、损耗的影响,讨论钽粉颗粒形貌、粒径对其频率特性的影响.结果表明,低、中、高压钽粉的比容和损耗随着频率的增加呈现减小和增大的趋势,其中,中压FTP系列和高压FTD系列钽粉的频率特性较低压高比容FTW系列钽粉的好;钽粉颗粒结构越简单、粒径越粗大,其频率特性越好.  相似文献   

5.
对FTW150K高比容钽粉研制的低压高容量钽电解电容器氧化膜的修补工艺条件进行研究,在一定温度和电压下,经过老化方法修补受损的氧化膜和淘汰早期失效的样品,讨论了老化电压、老化温度及老化时间对样品电性的影响。通过结合回流焊数据分析发现,在相对条件下,最佳工艺:老化电压为1.2倍(低),老化温度为85℃(居中),老化时间为5 h,可使氧化膜得到很好地修补。  相似文献   

6.
企业主导产品电容器级钽粉和钽丝95%外销;全世界每10部移动电话中,就有4部使用该厂生产的钽丝:现已成为世界钽冶炼加工行业三强之一的宁夏有色金属冶炼厂,令世界同行刮目相看的缘由是——  相似文献   

7.
本文对碳还原-高温烧结法制取电容器用钽粉的工艺过程进行了研究;对新工艺的技术条件、所生产钽粉的性能也作了较为详细的介绍。  相似文献   

8.
针对用FTW200K超高比容钽粉研制的钽电解电容器在被覆Mn(NO_3)_2溶液形成阴极层的过程,研究和讨论在不同质量浓度Mn(NO_3)_2溶液、分解时间、分解方式、被覆遍数的条件下,制备的钽电解电容器MnO_2阴极层形成的质量与电容器电性参数之间的关系.结果表明,被覆Mn(NO_3)_2溶液是形成MnO_2阴极层的主要途径;当Mn(NO_3)_2溶液分解条件为一步法,即(195±5)℃、(30±0.5)min,二步法,即(195±5)℃、(20±0.5) min,(220±5)℃、(15±0.5)min,在被覆3遍的条件下,MnO_2阴极层的质量较好,能够使钽电容器的容量稳定引出,损耗、等效串联电阻和漏电流最小.  相似文献   

9.
研究了宽温限钽电解电容器的工作电解液,并通过正交实验优选出工作电解液的配方和工艺过程。将电容器的工作温度由原来的-55℃-85℃提高到-55℃-125℃。该工作电解液采用复合酸体系的浸渍电解液和凝胶电解液,同时在工作电解液中加入适当的添加剂来改善电容器的性能。  相似文献   

10.
电子级的聚合物银浆料由于具有一定的导电性能和粘结性能,常与其它化学辅助试剂复合而做钽电容器的阴极引出材料使用。对该聚合物银浆在钽电解电容器的二氧化锰阴极层上被覆的工艺参数进行研究,讨论了不同银浆含量、不同固化温度、有无有机硅偶联剂等使用等条件对钽电解电容器电性参数的影响。实验结果表明,聚合物银浆的含量在95.5%左右及固化温度为200℃为聚合物银浆的最佳被覆工艺,特别是浸渍银浆之前在钽阳极块的阴极层表面浸渍有机硅偶联剂可以进一步改善钽电容器的电性能和可靠性,使等效串联电阻参数值得到较大的降低。  相似文献   

11.
采用电化学方法制备了钽电解电容器阳极.通过场发射扫描电镜和理论分析对钽阳极断面的曲面结构特征及其形成机理进行了研究.研究结果发现Ta/Ta_2O_5的薄膜曲界面存在间隙层(1nm),该间隙层为氧空位及其缺陷离子迁移所致;曲面结构的应力模型表明曲面薄膜界面的电化学生长过程生产缺陷浓度高于平面系统,讨论了钽电解电容器曲面薄膜的形成过程对电场应力畸变屏蔽的机理.  相似文献   

12.
为了满足某些产品对钽电解电容器可靠性的要求,解决某些高压大容量钽电容器元件(例如63V、47—68μF,40V、100μF)的生产用料,我们采用“碳还原—高温烧结法”制取了63V、2300μF·V/g;40V、3500μF·V/g的高质量钽粉。经检验,钽粉的主要质量指标如下: 经用户使用,电容器成品合格率在90%以上,高者达99.26% 上述结果表明,该法制备的63V、2300  相似文献   

13.
片状钽粉制备的电容器因具有耐烧结性好、可靠性高、耐电压性好等特点,广泛应用于军用电子元件中.基于1967年至今国内外片状钽粉制造技术专利,对其进行定量和定性分析.结果显示,国内外片状钽粉制造技术已处于成熟阶段,前二位申请人分别为美国的CABOT、中国的OTIC.  相似文献   

14.
对铌钽尾矿的特征和微晶玻璃生产工艺进行表征和介绍 ,并结合实验探讨了利用铌钽尾矿开发生产微晶玻璃板材的可行性和应用前景  相似文献   

15.
研究了钽粉真空碳化的反应机理.结果表明,在反应初期为化学反应动力学过程点后才过渡到扩散动力学过程,碳化反应符合缩核反应模型.在1500~1700℃的温度范围内,碳化反应的表观反应活化能为195.2kJ·mol-1,表观扩散活化能为138.1kJ·mol-1.  相似文献   

16.
文章简要地回顾了九○五厂钽铌工业发展历程,并与世界钽铌工业作了对比分析。以详实的资料和基础数据,清晰地描述了我国钽铌工业发展现状和技术发展历程及其在世界钽铌工业发展中所处的地位和竞争能力;充分阐明了我国稀有金属钽铌资源及其在冶炼、加工技术领域中所存在的问题和面临的形势。从国家安全角度及行业整体发展的高度,提出了对国内稀有金属钽铌行业进行重组整合和积极开发国外资源的可持续发展的战略构想。  相似文献   

17.
烧结温度对钽电容器阳极坯块性能的影响   总被引:1,自引:0,他引:1  
以两种不同纯度的钽粉为原料,配六种不同类型的钽丝为引线,压制成形并以五种温度分别进行烧结,然后,测其电容量、漏电流、孔隙度以及引线的抗脆能力、硬度并取其金相组织。由数据可知,随烧结温度提高,电容量降低,漏电流减少。当烧结温度超过1800℃时,漏电流降低至×10~(-4)μA/μF·V;当超过1900℃时,电容量和孔隙度都趋于稳定,但烧结温度提高,引线的抗脆能力变差,并在1900℃时不合格的几率最大。这证明,烧结温度对材料的电性与抗脆性有明显的影响。由数据可知,以掺杂钽丝作引线的坯块,其电性符合要求,抗脆性也得到改善。掺杂钽丝和钠还原钽粉制的纯钽丝,其抗脆性优于碳还原钽粉制的纯钽丝和以熔炼锭坯制的纯钽丝,由金相照片可见,易脆引线的晶粒粗大且晶界平直,而抗脆好的引线,其晶粒细小井呈细条状或纤维状。由硬度可知,坯块中的气体杂质向引线渗透。  相似文献   

18.
采用NbH还原Nb2O5工艺制备低价铌氧化物粉末,经压制成型、阳极烧结、阳极氧化工艺,获得电性能优良的低价铌氧化物电解电容器阳极。采用X射线衍射、扫描电镜、成分分析及电容器阳极电性能检测等方法,对比研究高能球磨与玛瑙研磨2种不同混料工艺。研究结果表明:高能球磨工艺制备的低价铌氧化物有明显片式化现象,粒度小,比容可达107.00 mF.V.g-1,但球磨过程中引入的杂质难以在后续的洗涤过程中彻底除去,导致阳极漏电流大。用正交试验法及方差分析对玛瑙研磨工艺进行优化,得到制备低价铌氧化物最佳条件是:焙烧温度为1 000℃,焙烧时间为40 min,NbH用量与理论量之比为1.1,所制得的产物杂质含量低,比容为69.50mF.V.g-1,损耗为11.25%,漏电流为1.8×10-4A.F-1.V-1,其电性能指标高于FTa16—300电容器钽粉国家标准(GB/T 3136—1995)所规定的值。  相似文献   

19.
铜丝除钒精制四氯化钛所排废弃物中含有丰富的钒、铜、钛等资源。进一步研究结果表明,该废弃物中铌、钽含量也很高。其中铌含量可达到2.66%,钽含量可达到0.29%,远高于铌钽的工业品位,是一种新型的铌钽资源。该废弃物中的铌钽应为钛铁矿伴生稀有元素,在四氯化钛制备过程中,经过钛铁矿选冶、富钛料高温氯化、粗四氯化钛精制等工艺过程富集而形成。  相似文献   

20.
本实验用氯气将钽块氯化,然后用氢还原,在镍基合金上沉积出致密的钽涂层。根据反应速度和温度的关系,求出反应的活化能,确认表面反应是过程的限制性环节。  相似文献   

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