FTW150K高比容钽粉研制低压高容量钽电容器被膜工艺的研究

对由超细颗粒度、超高比容FTW150K钽粉研制钽电解电容器的被膜工艺进行研究.用例试方法分析,并讨论硝酸锰溶液中添加有机溶剂、硝酸锰的分解条件及不同质量浓度的硝酸锰被覆遍数,对钽电解电容器的电容、损耗、漏电流和等效串联电阻的影响.结果表明,不同的设计工艺参数和工艺路线,对钽电解电容器的电性能参数影响不同.以添加有机溶剂和采用二步法分解的效果最佳,特别是调节和改变溶液的分解温度及环境湿度,硝酸锰溶液可分解成导电性更好的β-MnO_2导电层,使容量容易引出、漏电流和等效串联电阻大大降低.     

FTW150K高比容钽粉研制的低压高容量钽电解电容器氧化膜的修补

对FTW150K高比容钽粉研制的低压高容量钽电解电容器氧化膜的修补工艺条件进行研究,在一定温度和电压下,经过老化方法修补受损的氧化膜和淘汰早期失效的样品,讨论了老化电压、老化温度及老化时间对样品电性的影响。通过结合回流焊数据分析发现,在相对条件下,最佳工艺:老化电压为1.2倍(低),老化温度为85℃(居中),老化时间为5 h,可使氧化膜得到很好地修补。     

聚合物银浆在钽电解电容器阴极上的应用研究

电子级的聚合物银浆料由于具有一定的导电性能和粘结性能,常与其它化学辅助试剂复合而做钽电容器的阴极引出材料使用。对该聚合物银浆在钽电解电容器的二氧化锰阴极层上被覆的工艺参数进行研究,讨论了不同银浆含量、不同固化温度、有无有机硅偶联剂等使用等条件对钽电解电容器电性参数的影响。实验结果表明,聚合物银浆的含量在95.5%左右及固化温度为200℃为聚合物银浆的最佳被覆工艺,特别是浸渍银浆之前在钽阳极块的阴极层表面浸渍有机硅偶联剂可以进一步改善钽电容器的电性能和可靠性,使等效串联电阻参数值得到较大的降低。     

FTW200K超高比容钽粉研制钽电解电容器中被覆Mn(NO_3)_2溶液新工艺的研究

针对用FTW200K超高比容钽粉研制的钽电解电容器在被覆Mn(NO_3)_2溶液形成阴极层的过程,研究和讨论在不同质量浓度Mn(NO_3)_2溶液、分解时间、分解方式、被覆遍数的条件下,制备的钽电解电容器MnO_2阴极层形成的质量与电容器电性参数之间的关系.结果表明,被覆Mn(NO_3)_2溶液是形成MnO_2阴极层的主要途径;当Mn(NO_3)_2溶液分解条件为一步法,即(195±5)℃、(30±0.5)min,二步法,即(195±5)℃、(20±0.5) min,(220±5)℃、(15±0.5)min,在被覆3遍的条件下,MnO_2阴极层的质量较好,能够使钽电容器的容量稳定引出,损耗、等效串联电阻和漏电流最小.     

电聚合条件对聚吡咯钽电解电容器容量与损耗的影响

研究了导电聚吡咯在多孔Ta/Ta2O5阳极体（1μF/16V）表面的制备方法,采用恒电流电聚合法在该阳极体表面沉积一层导电聚吡咯作为电解电容器的阴极,着重探讨了支撑电解液的组成,阳极电流的大小及其施加方式对所形成的电容器容量和损耗因子的影响,结果表明：吡咯单体和支撑电解质的浓度比保持在3至4之间对电容器的性能是有益的,而过高浓度的吡咯单体和支撑电解质则会产生不利影响;随着阳极电流的增大,电容器的性能变差,因此阳避孕药电流不宜超过1.2mA.在以乙腈和1,2-丙二醇碳酸酯的混合物为溶剂的支撑电解液中,采用先施加大的阳极电流而后施加小电流的方法,可以获得平均容量达到额定容量98%以上且损耗因子较小（tgδ）小于1.3%)的样品。     

CA30高温钽电容器用工作电解液的研究

研究了宽温限钽电解电容器的工作电解液，并通过正交实验优选出工作电解液的配方和工艺过程。将电容器的工作温度由原来的－５５℃－８５℃提高到－５５℃－１２５℃。该工作电解液采用复合酸体系的浸渍电解液和凝胶电解液，同时在工作电解液中加入适当的添加剂来改善电容器的性能。     

世界钽粉生产工艺的发展

论述了国内外电容器级高压钽粉、中压钽粉、高比容钽粉的生产工艺发展过程。在钽粉生产工艺发展过程中，各种先进的装备被应用，各钽粉生产厂家围绕着钽粉比容的提高，杂质含量的降低，物理性能的优化等综合性能的改善，不断开发出新工艺、新技术，使钽粉适应并推动着钽电容器的发展。     

液体钽电解电容器失效机理分析

通过对失效样品的电子显微分析,探讨了其失效机理,表明引起产品失效的内因是介质膜的宏观及微观缺陷的出现,采用全密封结构,优选原材料制造工艺,以及合理使用产品,是提高液体钽电容器可靠性的重要途径。     

阳极Ta/Ta2O5的薄膜曲界面结构特征及形成机理

采用电化学方法制备了钽电解电容器阳极.通过场发射扫描电镜和理论分析对钽阳极断面的曲面结构特征及其形成机理进行了研究.研究结果发现Ta/Ta_2O_5的薄膜曲界面存在间隙层(1nm),该间隙层为氧空位及其缺陷离子迁移所致;曲面结构的应力模型表明曲面薄膜界面的电化学生长过程生产缺陷浓度高于平面系统,讨论了钽电解电容器曲面薄膜的形成过程对电场应力畸变屏蔽的机理.     

“牺牲”阳极法直接电化学合成5-二乙基胺钽

采用金属钽板为阳极,不锈钢板为阴极,以四丁基溴化铵为导电剂,溶解到添有某一惰性溶剂AB的二乙胺中电解,直接电化学合成5-二乙基胺钽(PDEAT),研究支持电解质的种类与浓度、电解液的温度、阴阳极距以及槽电压的影响.选取最佳合成条件为:四丁基溴化铵浓度0.04 mol/L,温度为50℃,极距为0.4 cm,槽电压为50 V,电合成的产品在5 kPa的压力下减压蒸馏分离得到粗级产品,采用红外光谱对产品进行初步的表征,说明5-二乙基胺钽能够采用直接电化学合成法制备.     

Tantalum oxide barrier in magnetic tunnel junctions

Tantalum as an insulating barrier can take the place of Al in magnetic tunnel junctions (MTJs). Ta barriers in MTJs were fabricated by natural oxidation. X-ray photoelectron spectroscopy (XPS) was used to characterize the oxidation states of Ta barrier.The experimental results show that the chemical state of tantalum is pure Ta5+ and the thickness of the oxide is 1.3 nm. The unoxidized Ta in the barrier may chemically reacted with NiFe layer which is usually used in MTJs to form an intermetallic compound,NiTa₂. A magnetic "dead layer" could be produced in the NiFe/Ta interface. The "dead layer" is likely to influence the spinning electron transport and the magnetoresistance effect.     

Ta间隙固溶体中的耦合弛豫

以广义Arrhenius方程对不同氧的原子个数百分比[N(O)]和不同氮的原子个数百分比[N(N)]的Ta间隙固溶体的内耗数据进行曲线拟合,并对结果进行了讨论.预设不同的T0代替Tc,得到标准差SD最小值时的自发有序温度Tc、指数前因子(τ)0和表观激活自由能△G;对低弛豫元浓度的情况,由T0-△G数据(T0是Tc附近的温度)线性拟合的截距得到激活焓△H,由此计算熵的变化△S和参数(τ)0.结果显示:①自发有序温度Tc与N(O)及N(N)基本上成正比的关系,显示随着N(O)或N(N)的增加,氧原子之间或氮原子之间的耦合增加,使自发有序温度Tc上升;②随着N(O)或N(N)的增加,组态熵的贡献Tc△S增大,表观激活自由能△G下降;③参数(τ)’0基本不随N(O)变化,这一结果与“不同含氧量具有同一个激活焓△H”这一条件是自洽的,说明了在讨论的N(O)范围弛豫元是相同的,是耦合的单个弛豫元;④N(N)小于1.0％时,弛豫元是耦合的单个弛豫元;N(N)较大时,弛豫元发生变化,可能出现弱耦合的弛豫元对等,使△S增大.     

化学气相沉积钽限制性环节初探

本实验用氯气将钽块氯化，然后用氢还原，在镍基合金上沉积出致密的钽涂层。根据反应速度和温度的关系，求出反应的活化能，确认表面反应是过程的限制性环节。     

配合离子交换法吸附钽(Ⅴ)的性能及动力学研究

本文研究了D-301大孔阴离子交换树脂从草酸水溶液中吸附钽草酸配合物的性能和动力学.实验结果表明,在[(NH_4)_2C_2O_4]=0.1267mol/L,[K_2S_2O_8]=0.0236mol/L,[Ta]=7.8×10~(-5)mol/L,pH=2.5～3.5条件下,钽的吸附率有一最大值.测得Freundlish常数k=2.14,吸附速度常数k_(30)°c=2.0×10~(-4)Sec~(-1),吸附活化能Ea=35.3kJ/mol,钽的饱和吸附容量C_(Ta)=168mg/g干树脂.     

固钽电容在甚高温条件下参数变化机理

选择烧结型固体钽电解电容器为研究对象,利用高于常规高温实验的温度,对固钽电容主要特性参数--容值、损耗因子、漏电流进行测试,获得25℃～205℃宽范围参数化曲线,并研究了甚高温条件下样本的参数变化机理和参数之间的相互关系. 实验结果表明,电介质的化学反应和内部接触电阻变化,是导致损耗因子在甚高温条件下波动的主要原因.     

某钽铌矿分离过程辐射环境影响分析

钽铌矿石中伴生有天然放射性元素铀、钍、镭、钾,在其分离过程中,对人员和周边环境均会产生不同程度的辐射影响.通过对某钽铌矿分离工序现场监测,了解该项目区域辐射环境现状,并在污染源调查、核素迁移分析等基础上,分析和评价该项目对周围环境产生的辐射影响,以此提出避免或减少不利影响的环境保护措施,为管运者和环境管理部门提供科学依据.     

甘肃省交勒萨依铌钽矿矿体特征及找矿标志

甘肃省阿克塞哈萨克族自治县交勒萨依铌钽矿侵入岩发育,燕山期花岗伟晶岩脉是主要的含矿岩性。通过对矿体地质特征的研究,初步分析了找矿标志及找矿方向。