| FTW150K高比容钽粉研制钽电容器电介质膜形成工艺的研究 |
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| 引用本文： | 李福成,张学清,柳金洲,包富贵.FTW150K高比容钽粉研制钽电容器电介质膜形成工艺的研究[J].宁夏大学学报(自然科学版),2020,41(2). |
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| 作者姓名： | 李福成 张学清 柳金洲 包富贵 |
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| 作者单位： | 国家钽铌特种金属材料工程技术研究中心,宁夏 石嘴山 753000;西北稀有金属材料研究院 稀有金属特种材料国家重点实验室,宁夏 石嘴山 753000;中色(宁夏)东方集团有限公司 宁夏东方钽业股份有限公司,宁夏 石嘴山 753000;国家钽铌特种金属材料工程技术研究中心,宁夏 石嘴山 753000;中色(宁夏)东方集团有限公司 宁夏东方钽业股份有限公司,宁夏 石嘴山 753000;国家钽铌特种金属材料工程技术研究中心,宁夏 石嘴山 753000 |
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| 基金项目： | 国家高技术研究发展计划（863计划） |
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| 摘 要： | 研究FTW150K高比容钽粉研制钽电解电容器电介质膜的形成工艺.用例试方法分析,讨论在容量、损耗参数引出难和形成工艺不稳定条件下,钽电解电容器的形成电压、形成电流及形成温度等对电介质膜的影响.结果表明,形成致密的电介质氧化膜是容量引出的关键,当形成电压为额定电压的4～5倍、形成电流为1.76μA时为该实验的最佳工艺条件.
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| 关 键 词： | 钽电解电容器 高比容钽粉 工艺参数 形成电压 形成电流 |
Study on the Formation Process of Tantalum Capacitor Dielectric Film by FTW150K High Specific Volume Tantalum Powder |
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