一种采用SiGe HBT的新型超宽带有源可调衰减器

提出一种以SiGe HBT为有源器件的超宽带有源可调衰减器。在超宽频带内实现了宽增益调节范围和高线性度。详细分析了有源衰减器的最小插入损耗及最大衰减量,基于Jazz 0.35μm SiGe HBT工艺,通过选择合适的SiGe HBT有源器件,完成了超宽带有源可调衰减器的设计。利用安捷伦公司的ADS仿真软件,对设计的有源可调衰减器进行仿真验证。结果表明,在3.1～10.6GHz的超宽带内,当电压在0.4～1.8V的范围内变化时,该有源可调衰减器的增益动态范围大于50dB,S11在整个电压变化范围内均低于-10dB,且输入3阶交调点(IIP3)为13dBm。     

采用PIN二极管反馈的射频可变增益放大器

射频可变增益放大器大多基于CMOS工艺和砷化镓工艺,通过改变晶体管的偏置电压或建立衰减器增益控制结构实现增益可调.本文采用高性能的射频锗硅异质结双极晶体管,设计并制作了一款射频可变增益放大器.放大器的增益可控性通过改变负反馈支路中PIN二极管的正向偏压来实现.基于带有PIN二极管反馈的可变增益放大器的高频小信号等效电路,本文详细分析了增益可控机制,设计并制作完成了1.8GHz的可变增益放大器.测试结果表明在频率为1.8GHz时,控制电压从0.6V到3.0V的变化范围内,增益可调范围达到15dB;噪声系数低于5.5dB,最小噪声系数达到2.6dB.整个控制电压变化范围内输入输出匹配均保持良好,线性度也在可接受范围内.     

3.1～10.6 GHz CMOS超宽带低噪声放大器设计

本文给出了一个低电压、低功耗增益连续可调CMOS超宽带低噪声放大器(Ultra-wideband Low Noise Amplifier,UWB LNA)设计。在0.85V工作电压下放大器的直流功耗约为10mW。在3.1～10.6GHz的超宽带频段内,增益S21为14±0.4dB,且随控制电压VC连续可调。输入、输出阻抗匹配S11、S22均低于-10dB,噪声系数(NF)最小值为3.3dB。设计采用TSMC 0.18μm RF CMOS工艺完成。     

基于有源电感的全集成超宽带低噪声放大器

利用有源电感来实现超宽带低噪声放大器(UWB LNA),不但可以减小芯片面积、改善增益平坦度,而且可通过外部调节偏置电压来调谐有源电感的电感值,进而调整设计中没有考虑到的由工艺变化及封装寄生带来的增益退化.采用TSMC 0.35 μm SiGe BiCMOS工艺,利用Cadence设计工具完成了放大器电路及版图的设计.在3.1～10.6 GHz工作频率范围内,通过外部调节电压来调谐有源电感,可使LNA的增益S21在16～19 dB范围内变化,输入输出回波损耗S11,S22均小于-10 dB,噪声为2.4～3.7 dB,输入3阶截点IIP3为-4 dBm.整个电路芯片面积仅为0.11 mm2.     

0.18μm CMOS 3.1-10.6GHz超宽带低噪声放大器设计

介绍了一种基于0.18μm CMOS工艺、适用于超宽带无线通信系统接收前端的低噪声放大器.在3.1～10.6GHz的频带范围内对它仿真获得如下结果:最高增益12dB;增益波动小于2dB;输入端口反射系数S11小于-10dB;输出端口反射系数S22小于-15dB;噪声系数NF小于4.6dB.采用1.5V电源供电,功耗为10.5mW.与近期公开发表的超宽带低噪声放大器仿真结果相比较,本电路结构具有工作带宽大、功耗低、输入匹配电路简单的优点.     

基于O.18μm工艺CMOS超宽带低噪声放大器设计

超宽带技术是一种无载波通信技术,利用纳秒至微微秒级的非正弦波窄脉冲传输数据,相对于窄带技术,使用超宽带技术进行无线传输具有很多优势.文章介绍了一种基于0.18 μmCMOS工艺、适用于超宽带无线通信系统接收前端的低噪声放大器.结合计算机辅助设计,可以看出经过优化后其S11和S22在3.1GHz～10.6GHz范围内都小于-10dB,而正向增益S21根据-3dB带宽计算可得其符合要求的频率范围达到2.4GHz～10.4GHz,噪声系数NF在2.8GHz左右达到最低值1dB,平均在2.5dB,可以认为是比较低的.整体而言电路符合UWB技术所运用范围.     

一种用于3.1–4.8GHz MB-OFDM 超宽带系统的CMOS接收机

本文介绍一种应用于3.1-4.8GHz 多频带正交频分复用超宽带系统的全集成全差分CMOS接收机芯片。在接收机射频前端中应用了一种增益可变的低噪声放大器和合并结构的正交混频器。在I/Q中频通路中则集成了5阶Gm-C结构的有源低通滤波器以及可变增益放大器。芯片通过Jazz 0.18μm RF CMOS工艺流片,含ESD保护电路。该接收机最大电压增益为65dB,增益可调范围为45dB,步长6dB;接收机在3个频段的平均噪声系数为6.4-8.8dB,带内输入三阶交调量(IIP3)为-5.1dBm。芯片面积为2.3平方毫米,在1.8V电压下,包括测试缓冲电路和数字模块在内的总电流为110mA。     

一种具有温度补偿的宽带CMOS可变增益放大器

设计实现了一个具有温度补偿的宽带CMOS可变增益放大器,该可变增益放大器的核心电路由三级基于改进型Cherry-Hooper结构的可变增益单元级联而成,并通过一种温度系数增强的且可编程的偏置电路和增益控制电路对可变增益放大器的增益进行温度补偿。采用中芯国际0.13μm CMOS工艺流片,测试结果表明可变增益放大器的可变增益范围为-13～27dB,经过温度补偿后,在相同增益控制电压下其增益在0～75°C温度范围内的变化范围不超过3dB。可变增益放大器的3dB带宽为0.8～3GHz,输入1dB压缩点为-50～-21dBm,在1.2V电压下,功耗为21.6mW。     

ADL5330：单片RFVGA

美国模拟器件公司推出一款单片射频(RF)可变增益放大器或衰减器(VGA)ADL5330，它以RF功率水平工作于无线基础设施设备。ADL5330也是首款能提供1MHz～3GHz宽频带，具有以dB为单位，呈线性60dB增益控制范围的单片VGA。     

基于0.18μm CMOS工艺的3.1~10.6GHz超宽带LNA设计

本文基于特许0.18μm CMOS工艺,提出了一种新型的低复杂3.1~10.6GHz超宽带LNA电路,它由两级简单的放大器通过级间电感连接构成。第一级放大器使用电阻电流复用结构和双电感退化技术来达到宽带输入匹配和低噪声性能,第二级放大器使用带电感峰值技术的共源级放大器来同时达到高平坦增益和好的宽带性能。测试结果表明,在3.1~10.6GHz频段内,提出的超宽带LNA的最大功率增益为15.6dB,S12为-45dB,输入输出隔离度小于-10dB,噪声系数NF为2.8~4.7dB,在6GHz时的输入三阶交调点IIP3为-7.1dBm。芯片在1.5V电源电压下,消耗的功率为14.1mW,芯片总面积为0.8mm0.9mm。     

Variable equalisers

It is shown that the well known Bode variable equaliser is one member of a family of four networks having broadly similar properties. Two of these members, one of which appears to be new, have particular advantages for meeting requirements that are specified in the time domain.     

风扇变频调速系统开发

设计了一种新型风扇变频调速系统。该系统以AT89C51单片机为控制核心,通过软件编程产生PWM波,与L298的硬件电路一起改变交流电机的频率。利用集成霍尔传感器作为电机转速的检测元件,采用交直一交方式,把工频交流电转换成频率、电压均可控制的交流电供给电动机,驱动风扇转动,实现对交流电机转速的控制。经调试,在变频范围50～225Hz内,风扇转速调整效果良好。     

铁氧体可变耦合器

本文介绍一种新型的微波可变耦合器，它由二端口３ｄＢ耦合反射器和内锁式铁氧体开关组成，该器件结构简单，性能可靠，可大大简化微波网络。     

变速率QAM调制

本文采用ＤＳＰ芯片利用软件实现了对变速率ＱＡＭ基带信号的处理，变速率ＱＡＭ就是根据衰落的信道的传输特性来自发地调节信号的调制电平数，使信号的误码率在可以接受的条件下尽可能提高信息传道速率，仿真结果表明，在高信噪比情况下，保持同样的误码率，变速率ＱＡＭ的频谱利用率可以比４ＤＰＳＫ提高一倍以上。     

集成可变衰减器

叙述了集成线性电调衰减器和集成数字衰减器的基本原理、主要性能及其实现的技术途径,并简要介绍了它们各自的特点。     

数字变压变频调速系统设计

数字式变压变频交流电机控制系统主要采用TMS320F2812数字信号处理芯片作为主控制器、智能功率模块为主控元件,电机专用控制软件模块为程序控制核心。经试验证实,本系统调速性能良好,快速性,稳定性均满足实际应用场合。     

可变速率调制技术

QAM是振幅和相位联合的调制技术,近年来人们对多电平QAM应用于移动环境进行了研究,例如:根据移动信道特性的好坏可自适应地改变QAM的电平数,即改变信道的传输速率,从而形成变速率QAM(VR-QAM)。本文将对近年来提出的在个人通信等领域具有很大发展前景的可变速率调制技术的原理、性能及应用做简要介绍,最后预测调制技术在移动通信中的发展趋势。     

聚合物热光可变光衰减器

提出一种旁路结构聚合物热光可变光衰减器 (variable optical attenuator,VOA)的设计 ,采用旁路波导可提高衰减效率并降低串扰 .软件模拟验证 ,无间距旁路 VOA衰减可达 2 8d B,比未加旁路波导的相同结构 VOA增加10 d B,但同时插入损耗增加 0 .3d B,串扰低于 - 4 4 d B,理论功耗为 4 0 m W.采用倒脊形结构研制了原理性的热光聚合物 VOA,测得衰减大于 11d B,相应输入电流为 6 6 m A,具有明显的热光效应 .     

可变速率调制技术

QAM是振幅和相位联合的调制技术，近年来人们对多电平QAM应用于移动环境进行了研究，例如：根据移动信道特性的好坏可自适应地改变QAM的电平数，即改变信道的传输速率，从而形成变速率QAM(VR—QAM)。本文将对近年来提出的在个人通信等领域具有很大发展前景的可变速率调制技术的原理、性能及应用做简要介绍，最后预测调制技术在移动通信中的发展趋势。