新型陶瓷刀具材料JX－2－Ⅰ组合增韧补强机理的实验研究

本文研究了新型陶瓷刀具材料ＪＸ－２－Ⅰ（Ａｌ＿２Ｏ＿３／ＳｉＣｐ／ＳｉＣｗ）的力学性能，同Ａ（Ａｌ＿２Ｏ＿３）、ＡＰ（Ａｌ＿２Ｏ＿３／ＳｉＣｐ）、ＡＷ（Ａｌ＿２Ｏ＿３／ＳｉＣｗ）和Ｊｘ－１（Ａｌ＿２Ｏ＿３／ＳｉＣｗ）材料相比，ＪＸ－２－Ⅰ具有较高的抗弯强度（σ＿（ｂｂ））和断裂韧性Ｋ＿（Ｉｃ）；研究结果表明，在ＪＸ－２－Ⅰ陶瓷刀具材料中确实存在增韧补强的协同作用，陶瓷刀具材料ＪＸ－２－Ⅰ的主要增韧机理是界面解离、裂纹偏转和晶须拔出。     

Ge＿xSi＿（1－x）／Si应变层超晶格的LACBED研究

Ｇｅ＿ｘＳｉ＿（１－ｘ）／Ｓｉ应变层超晶格的ＬＡＣＢＥＤ研究段晓峰（中国科学院北京电子显微镜实验室，北京１０００８０）Ｇｅ＿ｘＳｉ＿（１－ｘ）／Ｓｉ应变层超晶格是一种新的能带工程材料。人们可以通过调整合金层的合金成分等结构参数，来调整应变层超晶格的能...     

新型陶瓷刀具材料JX－2－I界面结构的实验研究

利用ＴＥＭ和电子衍射图谱分析，研究了新型陶瓷刀具材料ＪＸ－２－Ｉ的界面微观结构。ＴＥＭ分析表明，ＪＸ－２－Ｉ刀具材料的界面结合状态较好，Ａｌ＿２Ｏ＿３／ＳｉＣｗ界面上形成了具有较高强度的“钢筋混凝土”结构，在Ａｌ＿２Ｏ＿３／ＳｉＣｗ和Ａｌ＿２Ｏ＿３／ＳｉＣｐ界面上没有剧烈的化学反应发生；通过ＴＥＭ和电子衍射图分析，发现在Ａｌ＿２Ｏ＿３的晶粒边界上有尖晶石（ＭｇＡｌ＿２Ｏ＿４）生成，这有利于控制Ａｌ＿２Ｏ＿３晶粒的长大，提高复合材料的强度。     

新型复相陶瓷刀具材料JX－2－Ⅰ的界面结构及其对材料性能的影响

本文利用ＴＥＭ研究了新型复相陶瓷刀具材料Ｊｘ－２－Ⅰ的界面结构，结果表明，在Ｊｘ－２－Ⅰ中Ａｌ＿２Ｏ＿３／ＳｉＣｗ（氧化铝／碳化硅晶须）界面和Ａｌ＿２Ｏ＿３／ＳｉＣｐ（碳化硅颗粒）界面结合良好，形成了具有较高强度的微观结构；发现在ＳｉＣｗ、ＳｉＣｐ和Ａｌ＿２Ｏ＿３晶粒上均有位错产生，在ＳｉＣｐ和Ａｌ＿２Ｏ＿３上有孪晶产生；分析表明，位错和孪晶的产生均吸收大量的断裂能，提高材料的断裂韧性，改善ＪＸ－２－Ⅰ材料的整体性能。     

SiCp/6061Al复合材料激光表面熔化及合金化显微组织与耐蚀性

为提高颗粒增强铝基复合材料耐蚀性，对ＳｉＣｐ／６０６１Ａｌ复合材料进行激光表面熔化和激光表面合金化。结果表明：激光表面熔化后，因熔化层中形成大量耐蚀性低的针状Ａｌ_４Ｃ_３相及Ａｌ_４ＳｉＣ相而使激光表面熔化层耐蚀性降低，以Ｎｉ－Ｃｒ－Ｂ粉末为原料对ＳｉＣｐ／６０６１Ａｌ复合材料进行激光表面合金化后，合金层耐蚀性明显提高。     

（100）SiTiO＿3基底上YBa＿2Cu＿3O＿7／SrTiO＿3／YBa＿2Cu＿3O＿7异质外延三层膜的透射电镜观察

（１００）ＳｉＴｉＯ＿３基底上ＹＢａ＿２Ｃｕ＿３Ｏ＿７／ＳｒＴｉＯ＿３／ＹＢａ＿２Ｃｕ＿３Ｏ＿７异质外延三层膜的透射电镜观察郭丽萍，刘贵荣，李　林（中国科学院物理研究所国家超导开放实验室，北京１０００８０）本文所观察的ＹＢａ＿２Ｃｕ＿３Ｏ＿７／ＳｒＴ...     

AlSiCu反应离子刻蚀技术

在Ｔｅｇａｌ１５１２ｅ反应离子刻蚀（ＲＩＥ）设备上，利用Ｃｌ＿２和ＳｉＣｌ＿４为主要刻蚀气体，进行了ＡｌＳｉ０．８％－Ｃｕ２％的ＲＩＥ工艺研究，详细讨论了影响工艺的诸多因素，涉及ＡｌＳｉＣｕ材料本身结构的差异，ＲＩＥ工艺各参数，后处理等许多方面；给出实用化的工艺程序；最小加工线宽达到２μｍ，体刻蚀速率达８７０ｎｍ／ｍｉｎ，均匀性±５％，线宽损失小于１０％，对热氧化ＳｉＯ＿２的刻蚀选择比为４∶１，对ＡＺ１４５０Ｊ正性抗蚀剂的刻蚀选择比大于１．８∶１；该工艺使用效果良好，达到实用化水平。     

Al＿xGa＿（1－x）A＿s和GaA＿s材料的物理参数模型

本文较系统和全面地总结了ＧａＡ＿ｓ和Ａｌ＿ｘＧａ＿（１－ｘ）Ａｓ材料的物理参数模型，包括介电常数、能带参数、载流子迁移率以及复合机制和寿命等，给出了易于应用的数学公式，其中Ａｌ＿ｘＧａ＿（１－ｘ）Ａ＿ｓ重掺杂能带窄变公式为本文首次推导。这些物理参数模型对于Ａｌ＿ｘＧａ＿（１－ｘ）Ａｓ／ＧａＡｓ异质结器件的研究有着十分重要的意义。     

SiC异质结双极晶体管的高频性能

用一种简练的异质结双极晶体管（ＨＢＴ）模型来模拟ＳｉＣ基双极晶体管的高频和大功率特性。研究了一种外壳温度在２７℃（３００Ｋ）到６００℃（８７３Ｋ）下的６Ｈ－ＳｉＣ／３Ｃ－ＳｉＣＨＢＴ。将其高频大功率特性与ＡｌＧａＡｓ／ＧａＡｓＨＢＴ作了比较。不出所料，欧姆接触电阻限制了ＳｉＣＨＢＴ的高频性能。现在看来，在ＳｉＣ上只能可靠地产生１×１０￣（－４）Ω－ｃｍ￣２的接触电阻。所以ｆ＿Ｔ和ｆ＿（ｍａｘ）的最高实际值仅分别为４．４ＧＨｚ和３．２ＧＨｚ。但假定发射极、基极和集电极的接触电阻低到１×１０￣（－６）Ω时，则６Ｈ／３ＣＳｉＣＨＢＴ的ｆ＿Ｔ和ｆ＿（ｍａｘ）分别可达到３１．１ＧＨｚ和１２．７６Ｈｚ。     

新型陶瓷刀具材料JX—2—I组合增韧补强机理的实验研究

本文研究了新型陶瓷刀具材料ＪＸ－２－Ｉ（Ａｌ２Ｏ３／ＳｉＣｐ／ＳｉＣｗ）的力学性能，同Ａ（Ａｌ２Ｏ３），ＡＰ（Ａｌ２Ｏ３／ＳｉＣｐ），ＡＷ（Ａｌ２Ｏ３／ＳｉＣｗ）和ＪＸ－１（Ａｌ２Ｏ３／ＳｉＣｗ）材料相比，ＪＸ－２－Ｉ具有较高的抗弯强度（σｂｂ）和断裂韧性ＫＩＣ，研究结果表明，在ＪＸ－２－Ｉ陶瓷刀具材料中确实存在增韧补强原协同作用，陶瓷刀具材料ＪＸ－２－Ｉ的主要增韧机理是界面解离，裂纹偏转和晶须拔     

Research on the Passivation Function of Si＿3N＿4 Film to YBCO Superconducting Film

ＲｅｓｅａｒｃｈｏｎｔｈｅＰａｓｓｉｖａｔｉｏｎＦｕｎｃｔｉｏｎｏｆＳｉ＿３Ｎ＿４ＦｉｌｍｔｏＹＢＣＯＳｕｐｅｒｃｏｎｄｕｃｔｉｎｇＦｉｌｍＺｈａｎｇＹｕｔｉａｎ；ＪｉｎＢｏＡＮＤＱｉａｎＰｉｎｇｋａｉ（ＤｅｐａｒｔｍｅｎｔｏｆＡｐｐｌｉｅｄＳｃｉｅ...     

SiCw／Al－Li复合材料中界面无析出带的TEM观察

ＳｉＣｗ／Ａｌ－Ｌｉ复合材料中界面无析出带的ＴＥＭ观察董尚利，崔约贤，茅建富，来忠红，杨德庄（哈尔滨工业大学材料科学与工程学院，哈尔滨１５０００１）本文采用透射电镜选区电子衍射技术和暗场技术，研究了压铸法制备的１５Ｖｏｌ％ＳｉＣｗ／Ａｌ－２．１８ｗｔ...     

掺杂硅酸铋晶体的生长及吸收光谱的研究

用提拉法生长了质量较高的Ａｌ∶Ｂｉ１２ＳｉＯ２０和Ｃｒ∶Ｂｉ１２ＳｉＯ２０（简称Ａｌ∶ＢＳＯ和Ｃｒ∶ＢＳＯ）晶体，测定了掺杂ＢＳＯ晶体的吸收光谱。首次发现：Ａｌ∶ＢＳＯ（摩尔比）为０．１％的晶体的透过率（８０％）远高于纯ＢＳＯ晶体的透过率（７０％）；Ｃｒ∶ＢＳＯ晶体中除Ｃｒ３＋外，还存在少量Ｃｒ４＋     

SiCp/6061Al金属基复合材料激光焊接研究

采用高能ＣＯ_２激光束对 ＳｉＣ颗粒增强 ６０６１铝基复合材料 ＳｉＣｐ／６０６１ＡＩＭＭＣ进行激光焊接、研究激光焊接工艺参数及填充材料对焊缝显微组织的影响。结果表明,对 ＳｉＣｐ／６０６１Ａｌ复合材料进行激光焊接,可以获得气孔很少、质量较高的焊接接头,但在激光直接熔化焊接焊缝中形成针状Ａｌ_４Ｃ_３脆性相,脆性相Ａｌ_４Ｃ_３的数量与尺寸随激光束功率密度增加而增大,随焊接速度增大而减少。激光焊接时加入０．３ｍｍ厚的金属钛片作为填充材料,在焊缝中形成ＴｉＣ增强相,从而抑制了脆性相Ａｌ_４Ｃ_３的形成。     

SiC颗粒增强Al—Si复事材料中的SiC及其界面

以常规ＴＥＭ为工具，对ＳｉＣｐ／ＺＬ１０９复合材料中ＳｉＣ颗粒及其界面进行了研究，除观察到大量α型六方６Ｈ ＳｉＣ外，还观察到少量α型六方４Ｈ和菱形１５Ｒ ＳｉＣ。观察到的都是单一的ＳｉＣ／Ａｌ及ＳｉＣ界面，无论是ＳｉＣ／Ａｌ或ＳｉＣ／Ｓｉ界面，界面清洁，结合紧密，无孔洞，无反应过渡层。     

607激光扫描速度对WC－B＿4C－SiC－Co熔覆层组织和性能的影响

６０７激光扫描速度对ＷＣ－Ｂ＿４Ｃ－ＳｉＣ－Ｃｏ熔覆层组织和性能的影响潘锦芳（山西师范大学物理系，太原０４１００４）王开富，张思玉（兰州大学物理系，兰州７３０００１）本文介绍了我们用一台大功率ＣＯ＿２激光器在４５钢表面进行ＷＣ－Ｂ＿４Ｃ－ＳｉＣ－Ｃｏ...     

新型复相陶瓷刀具材料JX—2—I的界面结构及其对材料性能的影响

本文利用ＴＥＭ研究了新型复相陶瓷刀具材料ＪＸ－２－Ｉ的界面结构，结果表明，在ＪＸ－２－Ｉ中Ａｌ２Ｏ３／ＳｉＣｗ（氧化铝／碳化硅晶须）界面和Ａｌ２Ｏ３／ＳｉＣｐ（碳化硅颗粒）界面结合良好，形成了具有较高强度的微观结构，发现在ＳｉＣｗ，ＳｉＣｐ和Ａｌ２Ｏ３晶粒上均有位错产生，在ＳｉＣｐ和Ａｌ２Ｏ３上有孪晶产生，分析表明，位错和孪晶的产生均吸收大量的断裂能，提高材料的断裂韧性，改善ＪＸ－２－Ｉ材料的整体     

2～3μm AlSi的反应离子刻蚀及实用化技术研究

在Ｔｅｇａｌ１５１２ｅ反应离子刻蚀（ＲＩＥ）设备上，利用Ｃｌ＿２、ＳｉＣｌ＿４为主要刻蚀气体进行了Ａｌ－Ｓｉ１．２％的反应离子刻蚀，研究了各参数对刻蚀结果的影响。在此基础上，本文着重围绕线宽控制和后处理等关键性问题进行了实用化应用研究，并得到了最佳的刻蚀程序。最小加工线条宽度达到１．５μｍ，实用达２～３μｍ，体刻蚀率大于１μｍ／ｍｉｎ，均匀性小于±５％，线宽损失小于１０％，对热氧化ＳｉＯ＿２和ＡＥ１４５０Ｊ正性抗蚀剂的刻蚀选择比分别达８：１和３：１。此技术已用于多种多批量电路的制作工艺之中，效果良好。     

反应溅射WSi＿xN＿y薄膜的特性

对ＷＳｉ＿ｘＮ＿ｙ薄膜的制备工艺以及Ｎ＿２分压对ＷＳｉ＿ｘＮ＿ｙ膜的组分、结构、应力、电阻率等方面的影响作了分析研究。尝试性地对淀积完毕真空室中充Ｎ＿２造成靶面氮化的情况作了实验分析。ＡＥＳ测试了膜的组分，ＸＲＤ分析了膜的结构，四探针法测得膜的电阻率。     

反应热压NiAl－TiB＿2复合材料界面结构研究

反应热压ＮｉＡｌ－ＴｉＢ＿２复合材料界面结构研究戴吉岩，李斗星，叶恒强，邢占平，郭健亭（中国科学院金属研究所固体原子像开放研究实验室，沈阳１１００１５）Ｂ２型ＮｉＡｌ金属间化合物由于具有高熔点（１６４０℃），低密度（５．８６ｇ／ｃｍ￣３），以及极佳的...