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GaAs(100)衬底上自组织生长InAs量子点的研究 总被引:4,自引:1,他引:3
本文利用在GaAs(100)衬底上自组织生长超薄层InAs的方法得到了InAs量子点结构.当InAs的覆盖度小于1.7ML(Mono-Layer)时,InAs层仍保持二维生长模式,而当InAs的覆盖度大于1.7ML时,InAs层将会成岛生长,得到的量子点的尺寸和分布相当均匀.我们还研究了不同覆盖度的InAs层的光致发光(PL)特性,结果发现在成岛前后,它们的PL特性有明显差异. 相似文献
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本文利用LP-MOCVD系统在InP(001)衬底上先生长约2nm的GaAs张应变层,再依据S-K生长模式生长InAs量子点层。用量子力显微镜(AFM)对InAs量子点(岛化)进行了研究。研究发现当InAs层的厚度为2个单原子层(ML)时,刚刚有InAs自组装量子点在表面形成;当InAs层的厚度为ML时,有大量的InAs自组装量子眯在表面形成,且量子点的有规律地沿两个正交方向排列,沿某一方面排列较 相似文献
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低落曙GaAs外延层上生长InAs量子点的研究 总被引:2,自引:0,他引:2
利用退火技术,实现了在低温GaAs外延层上InAs量子点的生长。透射电镜(TEM)研究表明,低温GaAs外延层上生长的InAs量子点比通常生长的InAs量子眯明显变小,且密度变大,认为是由于低温GaAs中的点缺陷以及As沉淀引起的:点缺陷释放了部分弹性能,使得量子点变小,而As沉淀可能是量子点密度变大的原因。在光致发光谱(PL)上,退火低温外延层上生长的量子点的发光峰能量较高,且半高宽变窄。 相似文献
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InGaAs(P)/InP应变量子阱和超晶格的光电性质 总被引:1,自引:0,他引:1
利用低压金属有机化合物化学汽相沉积(MOCVD)生长技术在InP衬底上生长InGaAs/InP应变量子阱,超晶格和InGaAsP/InP量子阱结构材料,利用77K光荧光(PL)测量这一应变量了阱和量子阱的光学性质,利用双晶X光测量应变超晶格的性质。 相似文献
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本文报道了利用低压金属有机物汽相外延(LP-MOVPE)技术,在(001)InP衬底上生长In_(1-x)Ga_xAs体材料及In_(1-x)Ga_xAs/InP量子阶结构材料的结果.对于TMG/TEIn源,In_(1-x)Ga_xAs材料的非故意掺杂载流子依匿为7.2×1016cm-3,最窄光致发光峰值半宽为18.9meV,转靶X光衍射仪对量子阶结构材料测到±2级卫星峰;而对于TMG/TMIn源,非故意掺杂载流于浓度为3.1×10 ̄15cm ̄(-3),最窄光致发光峰值半宽为8.9meV,转靶X光衍射仪对量子阶 相似文献
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成功地用深能级瞬态谱(DLIS)研究了p 型InAs 自组织生长的量子点的电学性质,测得2.5 原子层InAs 量子点空穴基态能级在GaAs 价带底上约0.09eV,该量子点在荷电状态发生变化时需要克服一个势垒,俘获势垒高度为0.26eV.本工作首次利用DLTS测定了量子点空穴的基态能级和俘获势垒,相信对增加量子点性质的理解会起到有益的帮助 相似文献
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成功地用深能级瞬态谱(DLTS)研究了InAs自组织生长的量子点电学性质,获得2.5原子层InAs量子点电子基态能级在GaAs导带底下约0.13eV,该量子点在荷电状态发生变化时伴随有晶格弛豫,对应俘获势垒为0.32eV.本工作也证明可以把量子点类比深中心进行研究. 相似文献
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采用VarianGenⅡMBE生长系统研究了InGaAs/GaAs应变层单量子阶(SSQW)激光器结构材料。通过MBE生长实验,探索了In_xGa_(1-x)tAs/GaAsSSQW激光器发射波长(λ)与In组分(x)和阱宽(L_z)的关系,并与理论计算作了比较,两者符合得很好。还研究了材料生长参数对器件性能的影响,主要包括:Ⅴ/Ⅲ束流比,量子阱结构的生长温度T_g(QW),生长速率和掺杂浓度对激光器波长、阈值电流密度、微分量子效率和器件串联电阻的影响。以此为基础,通过优化器件结构和MBE生长条件,获得了性能优异的In_(0.2)Ga_(0.8)As/GaAs应变层单量子阱激光器:其次长为963nm,阈值电流密度为135A/cm ̄2,微分量子效率为35.1%。 相似文献
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利用叔丁砷化氢(TBA)和叔丁磷化氢(TBP)的MOVPE已制成低阈值1.3μm的InGaAsP多量子阱(MQW)激光器。实验证明:与用常规的氢化物HsH3和PH3生长的四元InGaAsP材料相比,用TBA和TBP进行的四元材料生长可改善V族组分的可控性。从而使2英寸的InGaAsP MQW晶片的光致发光(PL)波长具有极好的均匀性,其标准偏差仅2.6nm,4.2K时,PL的最大半值全宽(FWHM 相似文献
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室温脉冲激射的纵向控制InAs量子点激光器 总被引:3,自引:2,他引:1
利用一种我们新近提出的MBE自组织InAs/GaAs量子点生长方式,制成条型激光器,在室温脉冲工作条件下实现了激射.与测得的光致发光(PL)谱对照,发现激射峰位与量子点的PL谱峰位基本吻合.不同激光器结构的样品激射峰有相当大的移动,说明了激射来自量子点.在其它条件完全相同而仅有源区不同的条件下,纵向控制量子点激光器的阈值电流只是垂直耦合量子点激光器的1/3(60mA∶200mA),我们给出了一个简单的解释,并据此提出了一种实现调节量子点激光器激射能量的方法. 相似文献
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应变超薄层结构的组分、厚度、应变状态的直接检测,对于器件应用具有重要的意义,本文中,利用MOCVD方法得到高质量的InGaAs/GaAs量子阱材料,采用双晶衍射方法的弱信号收集技术,结合运动学理论模拟,得出同时包含几个不同阱宽的InGaAs/GaAs量子阶结构的重要参数,其检测结果与光致发光(PL)、透射电子显微镜(TEM)等方法的测试结果基本一致,表明X射线双晶衍射方法是检测超薄层应变量子阱结构的一个有效方法. 相似文献
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在(100)和(111)BGaAs衬底上,同时用MOCVD生长出In0.14Ga0.86As多量子阱子结构,对两种晶向的样品进行了低温(2K)光致发光谱特怀性地比研究,测量与理论的光发射能量对比表明;(100)面样品两一致,而(111)B样品比测量值高出10-15meV,这一差别用(111)B面量子阱中的压电效应产生的知建电场引起的发射能量红移作出解释。 相似文献