CMP设备市场及技术现状

综述全球CMP设备市场概况及适应0.18μm工艺平坦化要求的CMP技术现状,给出了向φ300mm圆片转移过程中CMP技术占用成本及CMP设备性能指标.     

CMP设备市场及技术现状

综述全球CMP设备市场概况及适应0.18μm工艺平坦化要求的CMP技术现状，给出了向Φ300mm圆片转移过程中CMP技术占用成本及CMP设备性能指标。     

基于UML的CMP控制系统设计与实现

CMP(Chemical Mechanical Polishing)设备是半导体集成电路(IC)制造中的关键设备,CMP设备控制软件的开发是CMP设备研发的关键技术之一。在分析三工位CMP设备控制系统需求的基础上,对控制系统中的3个工位的模块构建等问题进行了探讨,给出了控制软件的设计方法。在对CMP系统功能架构进行详细分析的基础上,利用UML对系统控制结构进行了分析设计,并用例模型、结构模型和行为模型等对系统进行了可视化建模,然后用Rational Rose 2003的正向工程实现模型到C++代码的转换,最后在此基础上用Visual C++进行系统开发和实现。     

CMP的最新动态

介绍了当前CMP的最新动态,包括CMP设备市场、电化学机械抛光、新型300mm晶圆CMP设备和阻挡层研磨版等。     

CMP后清洗技术发展历程

从80年代开始,结合当时最具代表性的CMP设备,分析当时的后清洗技术,如：多槽浸泡式化学湿法清洗、在线清洗、200mm集成清洗、300mm集成清洗及20nm以下的CMP后清洗趋势,每种后清洗技术都结合CMP设备明确分析其技术特色,优点和缺陷。全面阐述CMP工业界的后清洗发展历程。     

化学机械抛光设备关键技术研究

化学机械抛光（CMP）技术作为目前唯一可提供在整个晶圆片上全面平坦化的工艺技术,已被越来越广泛地应用到了半导体领域。介绍了CMP技术原理、晶片夹持、抛光台温度控制、抛光垫修整、终点检测、抛光后清洗等技术以及未来对国内CMP设备的展望。     

CMP抛光设备底座系统的模态仿真分析

设计了一种化学机械抛光设备(CMP)的底座系统,主要包括地脚、方钢管、大铝板等。针对CMP设备在使用中存在的噪声偏大,高转速下的电机转动引起的共振影响晶圆抛光质量问题,通过MSC Patran分析软件,对CMP的主要部件——底座系统,进行了振动模态分析,并在此基础上进行了以改变基频为目标的结构优化设计。     

450 mm晶圆CMP设备技术现状与展望

分析化学机械平坦化(CMP)耗材发展现状及趋势,推断450 mm晶圆的CMP设备及技术的迫切性;在此基础上,展望450 mm晶圆将会采用系统集成技术、多区域压力控制承载器技术、抛光垫修整技术、终点检测技术、后清洗技术,并初步分析以上这些技术的特点。最后指出随着晶圆制造厂激烈竞争和持续投资,对450 mm的CMP设备要求必有所突破。     

化学机械抛光浆料研究进展

化学机械抛光(CMP)作为目前唯一可以实现全面平坦化的工艺技术,已被越来越广泛地应用到集成电路芯片、计算机硬磁盘和光学玻璃等表面的超精密抛光.介绍了CMP技术的发展背景,以及目前国内外抛光浆料的研究现状,并根据CMP浆料磨料的性质,将其分为单磨料、混合磨料和复合磨料浆料,对每一种浆料做了总体描述.详细介绍了近年来发展的复合磨料制备技术及其在CMP中的应用,并展望了CMP技术的发展前景以及新型抛光浆料的开发方向.     

超大规模集成电路制造中硅片化学机械抛光技术分析

目前半导体制造技术已经跨入0.13μm 和300mm时代,化学机械抛光(CMP)技术在ULSI制造中得到了快速发展,已经成为特征尺寸0.35μm以下IC制造不可缺少的技术。CMP是唯一能够实现硅片局部和全局平坦化的方法,但CMP的材料去除机理至今还没有完全理解、CMP系统过程变量和技术等方面的许多问题还没有完全弄清楚。本文着重介绍了化学机械抛光材料去除机理以及影响硅片表面材料去除率和抛光质量的因素。     

硅片CMP抛光工艺技术研究

介绍了硅片机械-化学抛光技术,重点分析了10.16 cm硅片抛光加工过程中抛光液的pH值、抛光压力和抛光垫等因素对硅片抛光去除速率及表面质量的影响.通过试验确定了硅片抛光过程中合适的工艺参数,同时对抛光过程中出现的各种缺陷进行了分析总结,并提出了相应的解决方案.     

用白光干涉测量法描述化学机械抛光面

化学机械抛光(CMP)在半导体工业内获得了广泛的赞同,对控制形貌起伏的硅片表面当作首选方法。一种可供选择的基于白光测量原理之上的非接触光学形貌测量法被推出。和大多数商业化只能以纳米精度测量不透明表面的白光干涉测量仪不同,新推出的方法是通过单频相位干涉测量仪(PMI)能够以相似的精度测量透明的可变化反射像的表面结构,这个可变化的反射相也许是由于单层或多层薄膜堆叠在一个底层上的多层表面材料特性所引起的,或者是硅片上其它微结构所引起的。因而,在化学机械抛光加工处理过程中的某些不合格项,例如,碟形腐蚀,可以直接用光学形貌测量法在几秒内做出定量的检测结果。此外,这一方法也能评价附加的,例如特种专用薄膜堆叠层厚的表面特性。由于高精度和高生产能力的结合特征使得这一被提议的方法可能确定为可行的化学机械抛光加工研发和生产的监测方法。     

化学机械抛光压力控制技术研究

概述了化学机械抛光技术的发展现状,讨论分析了主要工艺参数对抛光机理的影响。重点论述了化学机械抛光工艺中不同压力控制方法及其技术特点,提出了一种新的压力控制方案,并通过实验验证了该控制技术的先进性。     

高密度集成与单芯片多核系统及其研究进展

在体积、重量和功耗有严格约束的情况下,系统小型化遇到多种技术挑战,为了满足高密度计算和小型化的要求,高密度系统集成和单芯片多核处理器至关重要。讨论了高密度集成与单芯片多核处理器技术及其研究进展,其中包括单芯片多核处理器(CMP)、片上网络(NoC)、3D集成电路、高密度封装。提出了CMP的两个发展特征,即小核大数量和层次型簇结构。指出高密度集成设计与高密度封装设计逐渐融合,并为单芯片多核系统的物理实现提供了技术保证,为最终实现高密度计算和小型化系统提供了硬件解决方案。     

VB-GaAs抛光片表面粗糙度研究

将表面粗糙度作为评价垂直布里奇曼法砷化镓(VB-GaAs)抛光片表面质量的一项技术指标,研究了不同粒径的抛光液对VB-GaAs抛光片表面粗糙度的影响.通过试验对比,对于不同抛光阶段(包括粗抛、细抛及精抛三个阶段)进行了分析,粗抛阶段应采用较大粒径的抛光液,细抛阶段应采用稍小粒径的抛光液,而精抛阶段应采用小粒径的抛光液.     

CCSim：基于Pin的CMPCache访问模拟器

随着芯片集成制造工艺的日益发展,拥有多级Cache的片上多处理器(CMP)已成为桌面应用和高端计算的主流平台.为了优化程序在CMP下运行性能,文中以Pin工具软件为基础,提出并设计了一个面向CMP体系架构的多级Cache访问模拟器——CCSim.该模拟器不仅可以模拟同构CMP下传统方式的Cache访问,而且还可以对CMP中最后一级共享Cache的竞争访问以及非传统方式的Barcelona式Cache访问模式进行模拟分析.     

CMP系统中抛光头与抛光台运动关系分析

目前半导体制造技术已经进入0.13μm、300mm时代,随着硅片尺寸的增大以及特征线宽的减小,作为目前硅片超精密平坦化加工的主要手段-化学机械平坦化,已经成为IC制造技术中不可缺少的技术。介绍了在化学机械抛光过程中,可以通过抛光头与抛光台运动速度关系优化配置,降低晶片表面不均匀度,从而更好地实现晶片局部和全局平坦化。     

硅通孔抛光液的研究进展

硅通孔(TSV)技术是一种先进的封装技术,化学机械抛光(CMP)是集成电路TSV制作过程中的重要步骤之一,是可兼顾材料表面局部和全局平坦化的技术。抛光液是影响抛光表面质量和加工效率的关键因素,是CMP工艺中消耗品成本最大的部分。TSV抛光液主要包括铜膜抛光液和阻挡层抛光液,依据抛光速率和抛光质量(表面粗糙度、碟形坑修正等)的要求对其进行了分类讨论,概述了近年来TSV抛光液的研究进展,对其今后的研究重点和发展趋势进行了分析和预测,认为TSV抛光液应朝着抛光速率和抛光质量的优化、低成本、环境友好的方向发展。