低噪声放大器的ADS设计与仿真

利用ADS仿真软件设计低噪声放大器的方法及主要步骤,使用ADS器件库中的sp模型,重点进行了输入和输出匹配电路的设计.低噪声放大器工作在L波段,噪声系数小于1.8dB,增益大于13dB.通过设计可以看出,利用ADS进行微波电路仿真,可以很方便的得出最佳电路设计,指标完全符合规定值.     

900MHz低噪声放大器的分析与设计

利用ADS完成了900MHz低噪声放大器的设计。该文重点分析了偏置电路的设计和稳定性的分析。另外对微带线的高频寄生效应等进行了分析,并针对这些因素利用ADS进行了电磁场仿真计算,最后给出了放大器的仿真结果和最终电路及测试结果。采用ATF35143器件设计,达到了预定的技术指标。     

全球定位系统接收机的低噪声放大器设计

利用仿真软件先进设计系统（ADS2009）设计中心频率为1575MHz的低噪声放大器,应用于手机全球定位接收系统。选用恩智浦公司的BGU8009放大器芯片作为放大电路,通过外围匹配电路设计,使用最少的元件构成单级、低成本的低噪声放大器电路。仿真结果显示,放大器的增益大于16dB,噪声系数小于0．75dB,增益平坦度比较好,稳定系数大于1,达到系统要求的各项指标,并具有一定裕量。     

高二次谐波抑制度UHF波段功率放大器

设计了一款470~510 MHz波段的功率放大器电路,给出了功率放大器的设计方法和过程,使用负反馈技术提高电路的稳定性并改善了电路部分性能,采用集总元件及微带传输线混合方式实现了电路匹配。使用ADS对电路进行了仿真,对电路加工后进行测试,测试结果表明增益大于11.2 dB,二次谐波抑制能力优于-24 dB,P1dB输出功率大于11 dBm,测试结果与仿真结果接近。     

基于ADS的2GHz低噪声放大器设计

该文根据对晶体管结构和低噪声放大器原理的分析,利用ADS软件设计了一个低噪声放大器。通过采用HBT晶体管,设计偏置电路、负反馈电路和输入输出匹配电路,实现在2GHz频率下,低噪声放大器绝对稳定,增益大于13dB,噪声系数低于1．0dB,输出驻波比小于1．3,输入驻波比小于2．5。     

利用ADS设计低噪声放大器

介绍了一种利用ADS仿真器设计低噪声放大器的方法。先总体阐述了低噪声放大器的主要技术和性能指标，然后在采用NEC的2SC5507（NE661M04）管的基础上，依据低噪声放大器的各项指标来同步进行电路的设计、优化和ADS仿真，最后使得低噪声放大器的设计结果达到设计初期的期望值，并成功地完成了低噪声放大器的电路设计。     

0.18μm CMOS 5.1GHz低噪声放大器的设计

一种基于TSMC 0.18μm CMOS工艺的5.1GHz频率下的CMOS低噪声放大器。采用源极电感负反馈共源共栅电路结构,使放大器具有较高的增益和反相隔离度,保证较高的品质因数和信噪比。利用ADS对电路进行调试和优化,设计出低功耗、低噪声、高增益、高稳定性的低噪声放大器。通过ADS软件仿真得到较好的结果:在1.8V电压下,输入输出匹配良好,电路增益为16.12dB,噪声系数为1.87 dB,直流功耗为9.84mA*1.8V。     

运用串联反馈技术设计S波段低噪声放大器

介绍了S波段低噪声放大器(LNA)的设计原理,阐述了利用电感串联反馈技术来实现放大器的噪声系数和输入匹配相互矛盾的两方面达到较好的折中,使得电路的结果达到最优。电路在Agilent公司的射频设计软件ADS2003进行仿真和优化,仿真结果是低噪声放大器在2.44GHz的工作频率下,增益G>11dB,噪声系数NF<1.3.     

1900MHz电阻型混频器的设计与实现

利用双极性三极管的输出特性,设计了一个主要应用于1900MHz无线通信中的L波段电阻型混频器,并用ADS进行了S参数和谐波平衡仿真,取得变频增益为10.2dB,射频-本振隔离度为27.31dB较好的仿真结果.而电路经过最后调试,测试结果为变频增益为8.77dB与仿真结果10.2dB比较接近.     

运用串联反馈技术设计S波段低噪声放大器

介绍了S波段低噪声放大器(LNA)的设计原理，阐述了利用电感串联反馈技术来实现放大器的噪声系数和输入匹配相互矛盾的两方面达到较好的折中，使得电路的结果达到最优。电路在Agilent公司的射频设计软件ADS2003进行仿真和优化，仿真结果是低噪声放大器在2．44GHz的工作频率下，增益G＞11dB，噪声系数NF＜1．3．     

0.1～2GHz超宽带低噪声放大器

利用Aglient-ADS软件,设计了一个频段在0.1～2GHz的超宽带低噪声放大器.选用噪声较小稳定度较高的BFP420晶体管,采用两级反馈式的设计原理并用ADS软件进行建模,优化以及S参数和谐波平衡仿真,获得增益大于29dB、噪声系数NF1.5dB的仿真结果.最后通过精心调试,使得测试结果和仿真结果达到了很好的一致性.     

基于ADS2005的低噪声放大电路的优化仿真设计

针对功耗和体积均受限的专用小型无线通信系统提升通信距离的要求,以提高接收机灵敏度为研究目的,采用软件仿真ADS2005的方法改进了低噪声放大电路RF2373的设计。在仿真软件下通过建立低噪放RF2373的二端口模型,得出了二端口的5参数特性曲线。采用微带线匹配的方法获得了低噪声放大电路的优化二端口模型,以及匹配后的S参数特性曲线。匹配后的各项S参数较匹配前均有所改善,设计的低噪声放大电路满足射频前端电路的特性要求。给专用测试系统的无线数据传输的硬件设计提供了理论基础。     

5．8GHz／0．18μm低噪声放大器噪声分析

为了优化设计的5．8 GHz低噪声放大器(LNA)后仿真的各项性能指标,分析了LNA各部分寄生效应对整个电路噪声系数和增益的影响,提出了电路设计和版图设计中应采取的各种措施,使优化后的后仿真结果与前仿真结果基本一致．在考虑MOS管栅电阻和栅感应噪声电流的情况下,后仿真噪声系数为1．6 dB,前向增益为13．7 dB,功耗为8．3 mW,达到了802．11a系统集成的要求．最后给出了LNA版图和后仿真结果．     

改善放大器噪声性能的SiGe HBT几何参数优化设计

研究有源器件SiGe HBT的几何参数对单片低噪声放大器(LNA)噪声性能的影响.基于0.35μm SiGeBiCMOS工艺,研制了4款采用不同几何参数的SiGe HBT LNA.实验结果显示,在给定的偏置条件下,当发射极宽长比较小时,小范围改变发射极宽度对噪声系数(NF)改善微弱,但适当增长发射极条长和增加发射极条数明显降低了NF,且不牺牲增益.另外,与采用其他几何尺寸的SiGe HBT LNAs相比,选用器件发射极面积为AE=4μm×40μm×4的LNA性能最优,在0.2～1.2 GHz内获得低至2.7 dB的噪声系数,高达26.7 dB的相关增益和最接近于50Ω的最佳噪声源阻抗.由于没有使用占片面积大的电感,放大器芯片面积仅为0.2 mm2.     

基于医疗设备的辐射EMI噪声诊断与抑制技术研究

复杂电子系统产生的电磁干扰噪声包括传导EMI噪声和辐射EMI噪声,辐射EMI噪声是以空间电磁场形式影响其他电子设备的.针对复杂电子系统产生的辐射EMI噪声,分别建立了两种辐射噪声理论模型及其等效电路,包括基于PCB电路数据传输线引起的辐射噪声模型分析和基于电路芯片时钟信号管脚引起的辐射噪声模型分析.并针对上述辐射噪声提出了相应的噪声抑制方法.实验结果表明,采用文中方法,某型医疗盆地粉碎机辐射EMI噪声抑制效果可达10 d BμV/m,从而验证了方法的有效性.