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本文较为详细地研究了退火程序、退火气氛和注入方式对SIMOX材料质量的影响,结果表明,采用二重或三重注入并在Ar+0.5%O2中退火,可以获得光滑平整的Si/SiO2界面和高质量的表面硅层。 相似文献
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本文利用TEM研究了新型复相陶瓷刀具材料JX-2-I的界面结构,结果表明,在JX-2-I中Al2O3/SiCw(氧化铝/碳化硅晶须)界面和Al2O3/SiCp(碳化硅颗粒)界面结合良好,形成了具有较高强度的微观结构,发现在SiCw,SiCp和Al2O3晶粒上均有位错产生,在SiCp和Al2O3上有孪晶产生,分析表明,位错和孪晶的产生均吸收大量的断裂能,提高材料的断裂韧性,改善JX-2-I材料的整体 相似文献
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本文利用TEM研究了新型复相陶瓷刀具材料Jx-2-Ⅰ的界面结构,结果表明,在Jx-2-Ⅰ中Al_2O_3/SiCw(氧化铝/碳化硅晶须)界面和Al_2O_3/SiCp(碳化硅颗粒)界面结合良好,形成了具有较高强度的微观结构;发现在SiCw、SiCp和Al_2O_3晶粒上均有位错产生,在SiCp和Al_2O_3上有孪晶产生;分析表明,位错和孪晶的产生均吸收大量的断裂能,提高材料的断裂韧性,改善JX-2-Ⅰ材料的整体性能。 相似文献
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利用RBS和TEM技术分析研究了不同注入剂量、注入方式(单重注入,多重注入)对SIMOX材料各层结构的影响,特别着重研究了Si/SiO2界面过渡区受注入条件的影响。结果表明,在注入剂量相同的情况下,多重注入不仅能改善顶层单晶、SiO2绝缘层的质量,而且能显著减小Si/SiO2界面过渡区宽度。 相似文献
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自对准外延CoSi_2源漏接触CMOS器件技术 总被引:1,自引:0,他引:1
CO/Ti/Si或TiN/Co/Ti/Si多层薄膜结构通过多步退火技术在Si单晶衬底上外延生长CoSi2薄膜,AES、RBS测试显示CoSi2薄膜具有良好均匀性和单晶性.这种硅化物新技术已用于CMOS器件工艺.采用等离子体增强化学汽相淀积(PECVD)技术淀积氮氧化硅薄膜,并用反应离子刻蚀(RIE)技术形成多晶硅栅边墙.固相外延CoSi2薄膜技术和边墙工艺相结合,经过选择腐蚀,可以分别在源漏区和栅区形成单晶CoSi2和多晶CoSi2薄膜,构成新型自对准硅化物(SALICIDE)器件结构.在N阱CMOS工艺 相似文献
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采用PECVD技术在P型硅衬底上制备了a-SiOx:H/a-SiOy:H多层薄膜,利用AES和TEM技术研究了这种薄膜微结构的退火行为,结果表明:a-SiOxL:H/a-SiOy:H多层薄膜经退火处理形成nc-Si/SiO2多层量子点复合膜,膜层具有清晰完整的结构界面,纳米硅嵌埋颗粒呈多晶结构,颗粒大小随退火温度升高而增大小随退火温度升高而增大,在一定的实验条件下,样品在650℃下退火可形成尺寸大 相似文献
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探索了新型难熔栅W/WN工艺制备技术,通过SEM,XRD,SIMS,XPS等手段对WN,WN/GaAs特性作了分析。结果表明,溅射气压和N分压对W,WN薄膜特性有着显著影响,通过工艺条件的优化,制备的W/WN膜厚为360nm,方块分压为0.51Ω。利用SiO2作为退火包封层,780℃ 10s快速退火后,W/WN能够保持好的稳定性,在此基础上制备了肖特基二极管和自对准的GaAs MESFET。 相似文献
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本文首次研究金属Co与分子束外延Si1-xGex单晶薄膜快速热退火(RTA)固相反应,并对比了CO、Ti与SiGe固相反应时不同的反应规律实验采用RBS、AES、XRD、SEM等分析和测试手段对样品的组分和结构等薄膜特性进行检测.实验发现,Co/Si0.8Ge0,2在650℃热退火后形成组分为Co(Si0,9Ge0.1)的立方晶系结构,薄膜具有强烈择优取向;900℃处理温度,有CoSi2形成,同时Ge明显地向表面分凝.TiN/Ti/Si0.8Ge0.2固相反应时,850℃处理可以形成Ti(Si1-yGey 相似文献
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Mo/Si多层膜界面离子束处理及TEM观察薛钰芝R.Schlatmann,林纪宁A.Keppel,J.Verhoeven(大连铁道学院,大连116022)(荷兰FOM原子分子物理研究所)软X射线多层膜(MultilayersforSoftX-rayO... 相似文献
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研究了栅氧化时掺HCl的硅栅MOSFET的DDS-VGS特性、阈电压和界面态.结果发现,HCl掺入栅介质,可使IDS-VGS曲线正向漂移,PMOSFET阈电压绝对值减小,NMOSFET阈电压增大,Si/SiO2界面态密度下降。采用氯的负电中心和Si/SiO2界面硅悬挂键的键合模型对实验结果进行了解释。 相似文献
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本文研究了新型陶瓷刀具材料JX-2-I(Al2O3/SiCp/SiCw)的力学性能,同A(Al2O3),AP(Al2O3/SiCp),AW(Al2O3/SiCw)和JX-1(Al2O3/SiCw)材料相比,JX-2-I具有较高的抗弯强度(σbb)和断裂韧性KIC,研究结果表明,在JX-2-I陶瓷刀具材料中确实存在增韧补强原协同作用,陶瓷刀具材料JX-2-I的主要增韧机理是界面解离,裂纹偏转和晶须拔 相似文献
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针对Si-SiO2过渡区对于离子注入较为敏感的特点,用1.2MeV,剂量1×1010cm-2的Fe+和H+先后注入SiO2-Si样品,并用XPS技术重点分析了Si-SiO2界面附近硅的化学结构、组分的变化。结果表明,在界面附近,除了Si4+,Si0价态,还存在明显的Si2+价态。这和注入H+产生的高温退火以及Si—Si键或Si—H键的形成有关。 相似文献
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AIN和SiOxNy薄膜与其GaAs衬底间界面应力的喇曼光谱研究 总被引:1,自引:1,他引:0
本文用喇曼放射方法研究了在GaAs衬底上用S-枪磁控反应溅射的AIN和PECVD淀积的SiOxNy薄膜界面应力,并研究了这两种薄膜在N2和Ar气氛下的高温热处理对界面应力的影响。结果表明,与SiOxNy薄膜不同,在GaAs衬底上制备的AIN薄膜,其界面应力很不,而且经N2和Ar气氛下的高温快速热退火,仍具有较好的稳定性,从而表明AIN是GaAs集成电路技术中一种较好的绝缘介质、钝化层和保护材料。 相似文献
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本文研究了新型陶瓷刀具材料JX-2-Ⅰ(Al_2O_3/SiCp/SiCw)的力学性能,同A(Al_2O_3)、AP(Al_2O_3/SiCp)、AW(Al_2O_3/SiCw)和Jx-1(Al_2O_3/SiCw)材料相比,JX-2-Ⅰ具有较高的抗弯强度(σ_(bb))和断裂韧性K_(Ic);研究结果表明,在JX-2-Ⅰ陶瓷刀具材料中确实存在增韧补强的协同作用,陶瓷刀具材料JX-2-Ⅰ的主要增韧机理是界面解离、裂纹偏转和晶须拔出。 相似文献
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分析了MZOS结构及其Si-SiO2子系统的C-V特性,发现ZnO中的氧空位和溅射工艺过程在Si-SiO2界面引入的界面电荷是影响MZOS结构界面特性的主要因素。研究还表明,低温热退火可以改善MZOS结构的界面特性。 相似文献