CVD多晶硅薄膜的脉冲染料激光退火

一、引言多晶硅薄膜在集成电路制造工艺中应用日趋增多,诸如利用多晶硅薄膜制造硅栅、多晶硅薄膜电阻、多晶硅引线、双极性晶体管的发射区等。多晶硅薄膜的激光退火能使其晶粒长大,使杂质电激活,可以提高多晶硅薄膜的电学性能,引起了人们的广泛重视,特别是绝缘衬底上的多晶硅薄膜经激光退火后有可能转变为单晶,给立体大规模集成电路的实现带来希望,吸引了不少活跃在这一研究领域的科学工作者。在半导体激光退火中,激光束的脉冲宽度对激光退火的结果有决定性的影响。微微秒脉冲宽度的激光束能使单晶半导体材料变成非晶材料,毫微秒脉冲宽度的激光束以熔化外延方式再结晶,使离子注入半导体单晶材料的非晶层转变为单晶,毫秒脉冲宽度的激光束(连     

Nd^3＋：YAG连续激光束用于半导体连续激光退火的研究

本文主要介绍如何根据连续激光退火的需要，将Nd^3＋：YAG激光划片机改进和完善成专用连续激光退火设备。简单介绍利用此设备进行激光退火的实验结果。提出研制和生产专用连续激光退火设备的必要性。     

染料脉冲激光诱导扩散

叙述了一种在硅表面涂敷受主或施主杂质后用染料激光脉冲辐照制得掺杂簿层的技术.对掺杂薄层的物理特性进行了分析,探讨了掺杂过程的机构.     

He-Ne连续激光探针及其基本工作原理

人们曾利用离子束与固体相互作用制造出离子探针做为研究固体表面组分,杂质纵向分布等固体性质的有力手段,同时又利用电子束与固体相互作用制造出电子探针作为研究固体表面性质十分有利的工具。然而人们能否利用光子束,特别是激光束制造出激光探针做为探索固体表面性质的工具呢?为此,人们进行了探索,进行各种激光探针装置的研究。我们利用低能量He-Ne激光束与半导体pn结样品的离子注入层或激光扩散层的物理     

Si~+注入SiO_2薄膜的三个PL峰及其受RTA的影响

将高剂量(1×1017/cm2)Si+注入热氧化SiO2薄膜,在～5.0eV(265nm)激光的激发下,观测到2.97eV、2.32eV和1.73eV的三个光致发光(PL)峰,经快速热退火(RTA)处理后,其PL谱峰形发生变化.本文对PL峰的产生与变化机制进行了初步探讨     

四硼酸钾（K2B4O7.4H2O）晶体的生长和性能

本文报道了四硼酸钾晶体的生长,采用缓慢降温法自水溶液中首次生长出透明的大单晶体,尺寸为35×55×30mm。晶体的粉末倍频强度大于KB_5晶体。测量了晶体的透光光谱,压电和介电常数。     

激光诱导镁单光子S—D,S—S跃迁

本文报导镁金属蒸气中,激光诱导的Mg 3s4s~1S_0—3snd~1D_2,3sns~1S_0(n=22—34)禁戒跃迁。 在热管炉中加热形成镁蒸气,P_(Mg)=0.1Torr,缓冲气体为氩气,P_(Ar)=10Torr。 实验利用两束纳秒脉冲染料激光,第一束峰值功率5×10~5W/cm~2,波长固定在3s~(21)S_0—3s4s~1S_0双光子共振波长(459.72nm)。第二束激光峰值功率10~7W/cm~2,波长在550nm—560nm之间扫描。探测到镁三个里德堡态系列的共振电离谱,一个是     

注氮硅中光致发光现象及其机制的研究

通过能量为１００ｋｅＶ，剂量为１×１０１８ｃｍ－２的Ｎ＋注入到硅基体中，经１０００～１２００℃之间快速退火后，形成了含氧的硅与氮化硅镶嵌结构的薄膜层．在室温下观测到主要来自于４５ｎｍ表面层的能量分别为：３．３ｅＶ、３．０ｅＶ、２．８ｅＶ和２．２ｅＶ的光致发光．通过ＸＰＳ、ＡＥＳ的分析，确认了由于氧的插入，样品中Ｎ－Ｓｉ－Ｏ缺陷，Ｓｉ／ＳｉＯ２界面发光中心，分别是引起３．０ｅＶ和２．２ｅＶ的光致发光的主要原因．     

海南热带地区优质猪人工授精技术推广与应用的研究与实践

在海南热带地区实施和推广优质猪人工授精技术,可有效地改良地方猪种、大幅度提高商品猪杂种优势率、降低热带地区养猪过程中疾病的传播、扩大优质种猪资源的利用、增加优质猪肉的生产比例,对正在实施的海南国家无规定动物疫病区示范建设具有重要意义。     

利用离子注入硅及Nd:YAG连续激光退火制备厘米波段雪崩管

采用离子注入硅及Nd:YAG连续激光退火制备厘米波P~+nn~+结构雪崩二极管.器件输出功率达1.25W,效率达7.7％.与热退火工艺结果进行比较.讨论了将连续激光退火用于制备毫米波雪崩管的有利方面.