PMOS—FET栅氧电荷动态行为的计算机模拟

分析了绝缘栅ＰＭＯＳ—ＦＥＴ结构的工艺及器件模拟数据，获得了衬底电阻车在８～１５Ω·ｃｍ范围内变化时与ＭＯＳ结构阈值电压之间的定量关系．模拟结果与实验现象相一致．同时，定量地描述了在常规偏压条件下栅氧层中表面电荷的分布及行为，揭示出阈值电压随衬底掺杂浓度的变化而发生变化的体效应机理．     

VDMOS-NMOS兼容功率集成电路结构

提出一种完全新型的ＶＤＭＯＳ－ＮＭＯＳ全兼容功率集成结构的设计方法．该结构采用与ＶＤＭＯＳ工艺兼容的对接（ＢｕｔＪｏｉｎｔ）沟道结构形成ＮＭＯＳ器件，利用ＶＤＭＯＳ工艺中ｐ＋区反刻过程形成ＮＭＯＳ器件的有源区，利用ＶＤＭＯＳ工艺中刻双扩散窗口过程形成ＮＭＯＳ器件的栅区及多晶硅互连线．对ＭＯＳ电路中的小跨导器件图形的设计及ＶＤＭＯＳ与Ｅ／ＥＭＯＳ的界面设计进行了分析和讨论     

双栅MOSFET工作原理与制造工艺

本文论述了双栅ＭＯＳＦＥＴ的特性和工作原理，简单介绍了Ｎ沟Ａｌ双栅ＭＯＳＦＥＴ的结构设计和制造工艺。     

用于集成超声传感阵列的PVDF—MOSFET新结构

本文报道一种用聚酰亚胺膜垫高扩展栅的聚偏氟乙烯压电膜－ＭＯＳ晶体管传感器单元结构。和一般ＰＯＳＦＥＴ结构相比。这种新结构大大减少了扩展栅电容，明显地提高了器件灵敏度。详述了这种结构的制造过程，特别是ＰＩ膜制备条件对ＣＥＧ和器件性能的影响。     

基本FFET的试制和性能研究

论述了铁电场效应晶体管（ＦＦＥＴ）的基本工作原理，给出了其设计方案．采用ＳＯＬ－ＧＥＬ法制备了基本的ＭＦＳ－ＦＥＴ和ＭＦＯＳ－ＦＥＴ，对其电性能进行了测试分析．测试结果表明：ＭＦＯＳ结构的ＦＦＥＴ具有极化存储特性．     

快速热氮化改善n-MOSFET栅氧化层的加速击穿

研究不同类型、不同沟道长度的ｎ沟金属－氧化物－半导体场效应晶体管（ＭＯＳＦＥＴ）在不同栅电压下工作时栅氧化层的击穿特性。结果表明，ＭＯＳＦＥＴ栅氧化层的加速击穿起因于沟道大电流，而栅氧化层进行快速热氮化可极大地改善其栅氧化层的击穿特性。     

改进型PVDF—MOSFET超声传感器声学和电学特性

本文提出了一种利用绝缘钝化ＰＩ膜垫高扩展栅电极的改进型ＰＶＤＦ—ＭＯＳＦＥＴ超声传感器的结构，从而达到减小寄生电容和提高灵敏度的目的．实验测量表明，该传感器工作在λ／４的振动模式下，具有良好的电压传输特性和频响特性，灵敏度比普通ＰＯＳＦＥＴ传感器提高了３．８ｄＢ。     

N_2O氮化n-MOSFET's低温可靠性研究

通过与热氧化ｎ－ＭＯＳＦＥＴ’ｓ 比较,调查了Ｎ２ Ｏ氮化 （Ｎ２ＯＮ） ｎ－ＭＯＳＦＥＴ’ｓ 在最大衬底电流ＩＢ ｍ ａｘ和最大栅电流ＩＧ ｍ ａｘ 应力下的低温热载流子效应．结果表明,Ｎ２ＯＮ 器件在低温就像在室温一样呈现出大大抑制的热载流子应力感应退化的特性;低温下产生的浅能级陷阱增强了器件的退化,Ｎ２ Ｏ 的氮化也大大减少了浅能级陷阱的产生．     

MFS和MFOS结构的C－V特性研究

采用ＳＯＬ－ＧＥＬ方法分别在Ｓｉ和含有ＳｉＯ２的衬底上制备出ＰＺＴ铁电薄膜，并获得了ＭＦＳ和ＭＦＯＳ结构．利用ＭＯＳ结构常用的Ｃ－Ｖ特性分析方法，对ＭＦＳ和ＭＦＯＳ结构进行了高频Ｃ－Ｖ特性测试分析，研究了Ｆ／（Ｏ）Ｓ的界面特性，结果表明，金属／ＰＺＴ／ＳｉＯ２／Ｓｉ的ＭＦＯＳ结构具有较低的界面态，可实现极化存储，并可望制成铁电场效应晶体管．     

特征主元提取与自组织影射的剖析

剖析了用神经网络实现特征主元提取（ＰＣＥ）、自组织特征影射（ＳＯＦＭ）、类扩展自组织语义影射（ＳＯＳＭ）和改进的特征细化自组织影射．通过对运载工具的特征压缩，进行可视性分析，结果表明ＰＣＥ和ＳＯＦＭ都能显示事物间的类似程度和关系结构，具有语义影射的功能．特征细化的ＳＯＦＭ同样能达到类扩展ＳＯＳＭ细化分类的功能，它克服了类扩展的ＳＯＳＭ增加输入特征的维数、增加不必要的计算量、输入特征与影射结果不相一致的缺点．     

遗传程序设计算法在水溶于有机溶剂过程研究应用

对若干物性体系进行了有机溶剂分子结构与水溶解度之间的定量研究,选取了39个有机溶剂分子,分为两组,一组30个分子作为训练集,另外9个分子作为测试集组.采用28个分子结构描述符来定量描述分子的结构,最终通过遗传程序设计筛选,得到一个4参数的非线性方程,关联和预测相关系数的平方均在0.95以上,研究取得了较满意的计算结果.     

基于视觉特性的多尺度对比度塔图像融合及性能评价

针对同一场景可见光与红外图像的融合问题，提出了一种新的多尺度对比度塔图像融合方法．该方法利用对比度金字塔数据结构得到图像的多分辨序列，采用基于视觉特性的融合算子在图像的相应各级上融合源图像的细节，再通过金字塔逆变换重构出最终融合图像．这种图像处理方法具自适应性，不随各自输入图像的灰度特性而改变，同时增强了融合图像的对比度，产生了较好的视觉处理效果．对熵、交叉熵和互信息3种量化评价标准的进一步分析表明，该方法比传统的Laplacian金字塔、比率低通金字塔和小波变换融合方法的性能更加优化，其中熵提高了0．5％～3％，交叉熵降低了13％～78％，互信息提高了1．8％～8．4％，评价结果与目视效果吻合良好．     

企业组织结构的仿真建模

企业的敏捷性是当今企业组织和生产研究的热点问题，而组织结构的研究则是敏捷性研究中的根本．对在实践中应用较广泛的组织形式：直线职能制（Ｕ型）和事业部制（Ｍ 型）的组织结构进行了定量讨论．将通常用于物流系统研究的Ａｒｅｎａ 仿真软件，应用在属于信息流系统的Ｕ型和Ｍ 型组织结构的仿真研究上，以两种企业组织结构的运行时间为指标，对两者的运行效率进行了仿真对比．结果表明，Ｍ 型运行效率优于Ｕ型．这与定性研究结论与实践结果是完全一致的．说明利用Ａｒｅｎａ对组织结构所建模型是可靠而实际的     

杂萘联苯聚醚砜酮膜结构计算机直接试验设计

以杂萘联苯聚醚砜酮/聚乙烯吡咯烷酮/N-甲基吡咯烷酮（PPESK/PVP/NMP）为铸膜液体系,对杂萘联苯聚醚砜酮的膜结构进行了计算机直接试验设计。结果发现采用膜结构参数——趋向海绵膜结构特征分数St,可以对膜结构进行定量化表征和设计。以聚合物浓度和PVP添加剂作为影响因素,通过直接实验设计,分别得到了描述PPESK膜水通量、截留率、膜结构的3个数学模型。这3个数学模型表明,PVP添加剂和聚合物浓度能显著地影响膜的水通量、截留率和结构;随着聚合物和PVP添加剂浓度的增加,膜的水通量显著下降,截留率降低,膜结构逐渐由指状结构变为海绵结构。实验值和模型的预测值吻合得较好,表明采用直接实验可以实现对PPESK超滤膜的膜结构与性能的调控。     

辐射腔体的空腔效应

由辐射性能一致的漫射表面组成的腔体,在温度一致的条件下,其辐射行为可以归结到由腔体开口的表现来描述,这就是所谓空腔效应。本文从辐射表面之间的换热规律出发,推导出反映空腔效应的定量概念－空腔因子,建立了空腔因子与腔体形状和腔体材料的关系。     

考虑温度应力的某大底盘双塔结构裙楼楼板地震反应分析

大底盘双塔结构是近年来工程中广泛应用的一种结构形式,其结构的抗震性能有其自身的特殊性和复杂性.目前国内对于此类复杂高层建筑,往往只专注于对其抗震性能的研究,对结构温度应力的考虑则没有引起足够的重视.结构整体在不同温度场的作用下,底盘大面积的混凝土楼板必定是受温度影响最显著的结构构件之一.但在具体设计中,无论是专用计算程序,还是主流的结构设计软件,都没有对大底盘楼板做进一步定量的分析.针对上述问题,本文通过有限元软件SAP2000建模对考虑温度和地震作用下的某大底盘多塔结构进行了反应谱分析,定量地分析了温度作用对大底盘楼板的内力分布和抗震性能的影响.     

芳香烃在简单盐水溶液中ks值的计算

运用分子拓扑理论探讨芳香烃在简单盐水溶液中盐效应常数ｋｓ与芳香烃和盐结构之间的定量关系,提出了新的拓扑指数,给出了新的计算方法。计算盐效应常数ｋｓ的各种理论值,并与实验值进行比较,结果表明新方法的计算值最接近实际。     

某些硫逐磷酰胺烷基芳基酯类化合物的结构与杀螨活性定量关系

某些硫逐磷酰胺烷基芳基酯类化合物的结构与杀螨活性定量关系陈其民,刘钊杰,卿湘华,张景龄（化学系）关键词化学结构与生物活性,Ｏ－烷基－Ｏ－（２－烷氧羰基苯基）硫逐磷酰胺酯,回归分析中国分类号Ｏ６２１．２Ｏ－（２一烷氧谈基苯基）硫逐磷酸胺酯是一类具有良好...     

孔隙结构对碎屑储集岩物性控制作用的定量描述

油气储集岩的微观孔隙结构对其物性具有重要的控制作用.通过扫描电镜的直接观察和对应的孔渗物性分析揭示了微观孔隙结构与岩石孔渗性能呈良好的正相关关系.由常规压汞法可以提取多项表征储集层微观孔隙结构的特征参数,使用对应分析数学地质手段筛选出主控因素.通过多元线性回归,获得了储集岩孔隙度、渗透率与其孔隙结构参数之间的定量关系,以及储集岩孔隙度与其孔隙结构参数及矿物组成之间的定量关系.这些定量关系证明了孔隙结构对碎屑储集岩物性的明显控制作用,为储集岩孔渗性能的预测提供了新的手段.