| 改进型PVDF—MOSFET超声传感器声学和电学特性 |
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| 引用本文： | 盛晓清,郑学仁.改进型PVDF—MOSFET超声传感器声学和电学特性[J].华南理工大学学报(自然科学版),1994,22(5):46-52. |
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| 作者姓名： | 盛晓清 郑学仁 |
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| 作者单位： | 华南理工大学应用物理系 |
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| 摘 要： | 本文提出了一种利用绝缘钝化ＰＩ膜垫高扩展栅电极的改进型ＰＶＤＦ—ＭＯＳＦＥＴ超声传感器的结构，从而达到减小寄生电容和提高灵敏度的目的．实验测量表明，该传感器工作在λ／４的振动模式下，具有良好的电压传输特性和频响特性，灵敏度比普通ＰＯＳＦＥＴ传感器提高了３．８ｄＢ。
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| 关 键 词： | 传感器 聚偏氟乙烯 聚酰亚胺 灵敏度 |
THE ACOUSTIC AND ELECTRICAL PROPERTIES OF THE IMPROVED POSFET SENSORS |
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| Sheng Xiaoqing, Zheng Xueren, Liu Baiyong, Li Bin.THE ACOUSTIC AND ELECTRICAL PROPERTIES OF THE IMPROVED POSFET SENSORS[J].Journal of South China University of Technology(Natural Science Edition),1994,22(5):46-52. |
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| Authors: | Sheng Xiaoqing Zheng Xueren Liu Baiyong Li Bin |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | s: sensors polyvinylidne fluoride polyimides sensitivity |
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