Sb在高硅铝硅合金电磁分离过程中的变质行为

研究了高硅铝硅合金(45wt% Si)熔体电磁分离过程中,Sb添加量、下拉速率、温度等对分离效果的影响,对Sb在高硅铝硅合金电磁分离过程中的变质机理进行了分析。结果表明,在1500℃、下拉速率为10 μm/s时,过共晶铝硅合金熔体中加入Sb进行定向凝固后,合金部分硅铝比从11.53%降至11.21%,初晶硅富集区的硅含量从86wt%增至90wt%;当1500℃、下拉速率为40 μm/s时,合金部分硅铝比从12.56%降至12.13%,初晶硅富集区的硅含量从81wt%增至86.5wt%;加入变质剂后合金部分共晶硅相在α-Al基体中分布均匀且连续,形貌有所细化。     

电磁分离高硅铝硅合金制备低硅铝硅合金

在不考虑杂质元素的情况下研究了含铝45wt%的铝硅合金熔体电磁分离过程中电流频率、下拉速度、保温温度及坩埚材质对初晶硅相分离效果的影响. 结果表明,在电流频率3 kHz、保温温度1000℃、下拉速度10 ?m/s的条件下,以石墨坩埚为容器,可使合金的硅铝质量比降至0.0939. 保温温度对合金中硅的去除影响最大,相同条件下1500℃时合金硅铝质量比为0.11439;低频交变电流能强化电磁搅拌从而加强传质,降低下拉速度对降低合金中硅含量有一定作用,且可使分离界面更平坦.     

电磁分离一次铝硅合金中的富铁相

一次铝硅合金(含铁5wt%)加锰并在电磁场中进行定向凝固去除合金中的富铁相,主要通过改善富铁相的形态和降低合金中的铁含量减弱富铁相对铝硅合金性能的影响,研究了不同锰添加量下铝硅合金的电磁除铁效率、锰对富铁相形态改善的影响及电磁加锰分离富铁相的机理。结果表明,随锰添加量增大,铝硅合金中的富铁相逐渐从有害的针状转变为骨骼状、块状。加锰并经电磁定向凝固处理后,铝硅合金中绝大部分富铁相的形态变得规则,并在电磁力驱动下富集至合金底部。当锰铁摩尔比为1.2时,铝硅合金中残留的铁含量降至0.39wt%,加锰电磁除铁的效率高达90%。     

碳电热还原法熔炼一次铝硅合金的反应过程

以Al2O3尾矿和烟煤为原料,在碳管炉内进行了一次铝硅合金熔炼,采用X射线衍射光谱对不同温度不同加碳量反应后的产物进行物相分析,探讨了由尾矿生产一次铝硅合金的反应过程并获得了合格的一次铝硅合金产品. 结果表明,尾矿加烟煤在碳管炉内还原时,在较低温度(<1600℃)下,尾矿中的SiO2与C反应生成SiC,当温度上升到1700~1800℃时,尾矿中的Al2O3开始与C反应生成铝氧碳化物,当温度继续升高到1800℃以上时,在较低温度生成的铝氧碳化物被SiC分解,生成铝和硅,成为一次铝硅合金,最终获得的一次铝硅合金含铝量达40%以上.     

从粉煤灰中提取硅铝合金

粉煤灰中含有大量铝、硅、铁等元素,采用碳还原法则,可从中提取硅、铝或硅铝铁合金。硅铝合金通常是指硅铝共晶、亚共晶铸造合金而言。硅铝共晶合金不仅可用于铸造,也可以用于变形加工,因而也可把它看作变形合金。用硅铝合金加工制成的产品各项机械性能优良,完全可作为LD2的代用品,可挤压、轧制成板、棒、管及多种规格的型材。该合金还可用于建筑、汽车制造等方面。然而铝硅合金却长期不被人们所认识,工艺方面还存在着某些尚待解决的问题,推广进度缓慢。该项目由乌克兰研制开发成功,后引进国内,由于种种原因,至今没有很好推广。多年来人们…     

从粉煤灰中提取硅铝合金

粉煤灰中含有大量铝、硅、铁等元素,采用碳还原法,可从中提取硅、铝或硅铝铁合金。硅铝合金通常是指硅铝共晶、亚共晶铸造合金而言。硅铝共晶合金不仅可用于铸造,也可以用于变形加工,因而也可把它看作变形合金。用硅铝合金加工制成的产品各项机械性能优良,完全可作为LD2的代用品,可挤压、轧制成板、棒、管及多种规格的型材。该合金还可用于建筑、汽车制造等方面。然而铝硅合金却长期不被人们所认识,工艺方面还存在着某些尚待解决的问题,推广进度缓慢。该项目由乌克兰研制开发成功,后引进国内,由于种种原因,至今没有很好推广。多年来人们一…     

Al-Si合金熔析结晶过程中界面稳定性与硅晶体生长的控制

利用交变磁场与温度场耦合作用,通过控制Al-Si合金熔析结晶时硅晶体生长过程中固液界面的稳定性,解决硅熔析精炼过程中硅晶体与合金熔剂分离难的问题,分析了耦合物理场在结晶过程中的作用机理.结果表明,硅铝合金熔体中硅含量越高,越难发生成分过冷现象,固液界面越稳定,有助于生成致密的块状硅晶体;坩埚内径由3 cm降至1 cm,熔体内温度场分布发生变化,固液界面曲率由16.7变为125,形成的硅晶体更致密,硅晶体与合金熔剂的分离效果增强,硅晶体区域所占比例由0.57减小至0.42;下拉速度越慢,固液界面越稳定,硅晶体与合金熔剂的原位分离效果越好,当其为0.05 mm/min时,样品底部硅晶体比例为99.9%,而样品顶部基本没有硅晶体.电磁场的电磁搅拌作用可增大熔体流动,强化熔体传质,增大固液界面前沿硅含量,提高固液界面稳定性.     

铝-硅合金酸性浸锌

通过交流阻抗测试对铝-硅合金酸性浸锌配方进行了优选。对比了铝-硅合金基体、酸性浸锌层、浸锌后电镀镍层、浸锌后化学镀镍层的极化曲线及交流阻抗图谱,并分析了酸性浸锌层的微观形貌及组成。结果表明:酸性浸锌层可作为铝-硅合金电镀镍层及化学镀镍层的良好底层,从而提高铝-硅合金基体的耐蚀性。酸性浸锌层的晶粒呈球状,致密、均匀,主要成分为氟、锌、氧。     

石墨粉末镀铜

一、前言由于复合材料某些性能优于基体合金,因此,复合材料的应用日增。石墨分散于铝硅合金中而形成的铝—硅—铜—石墨复合材料,由于其减摩和防咬合性能好,可做为各种轴承和滑动部件的新材料。制造此类复合材料一般采用粉末冶金法和液态冶金法,后者制取的复合材料性能优于前者。但采用液体合金法,由于铝和石墨在熔点附近的润湿角高达157°,石墨很难分散于铝硅合金中,并易于偏析。为改善石墨和铝硅合金的润湿性,采用石墨粉末表面     

多晶硅金刚线切割废料制备Al-Si合金过程中的热力学和动力学分析

通过X射线衍射仪、X射线荧光光谱分析仪、傅里叶变换红外光谱仪分析了金刚线切割多晶硅废料的组分及其体系中存在的硅氧化物，研究了铝与切割废料合金化过程中可能存在的化学反应过程，采用HSC Chemistry 6.0软件对其反应体系进行了热力学分析，利用差热分析法研究了铝热还原切割废料中SiO2的动力学过程，对金刚线切割多晶硅废料进行了掺铝制备铝硅合金的实验研究。结果表明，金刚线切割多晶硅废料和铝粒按不同铝硅摩尔比兑掺后，在电磁搅拌的作用下，合金化的温度范围为800~1600℃，铝热反应可将废料中少量的SiO2杂质还原成单质Si，铝热还原二氧化硅的活化能为364.1 kJ/mol，反应级数为0.91，实验样品的EPMA和XRD等表征结果表明合金成分和渣相与热力学分析完全吻合，合金化效果明显。     

赤泥与低品位铝土矿制取Al-Si合金的研究

对电热还原赤泥与低品位铝土矿制取铝硅合金进行了研究。结果表明,配以低品位铝土矿的赤泥熔炼铝硅合金切实可行,熔炼出的铝含量为50%,硅35%和一些杂质。其中的杂质主要是铁和一些金属氧化物。最佳熔炼温度为2 000~2 200℃,合金中的Al、Si含量均随还原温度的升高而增大;相同还原温度下的Si回收率大于Al的回收率;使用含冰晶石和氯化钠混合物的精炼剂可有效去除合金中的杂质。     

高效晶硅太阳电池的发展与抑制光衰的研究进展

晶硅太阳电池在光伏发电中占有80％以上的市场份额,其科技进步主导着光伏发电的走向.随着晶硅太阳电池光电转换效率的提高,其光衰也随之提高,成为高效晶硅电池科技发展的瓶颈.研究发现,硅中的杂质补偿度和B-O复合体均能造成电池的“光衰”.利用掺镓硅单晶替代掺硼硅单晶并严格控制硅中的杂质补偿度能够大大抑制光衰,其机理和工艺的研究对高效晶硅电池的发展意义重大.     

热浸渗铝硅合金Q235钢的抗高温腐蚀性能研究

研究了Q2 35钢经热浸渗纯铝和不同硅含量的铝合金后的抗高温氧化和抗热腐蚀性能 ,比较了纯铝渗层和铝硅合金渗层的抗高温腐蚀性能 ,并分析了硅元素的作用。结果表明 ,Q2 35钢经热浸渗纯铝和铝硅合金后的抗氧化性能基本接近不锈钢 ,而抗热腐蚀性能则明显优于不锈钢     

熔盐电解磁搅拌-真空蒸馏联合法制备多晶硅

以高纯二氧化硅为原料,高纯石墨为阳极,磁场中旋转的镁锌合金为阴极,电解制备镁硅锌合金.通过真空蒸馏分离合金得到了纯度较高的多晶硅.采用熔盐电解监控仪和Teslmcter对电流密度、槽电压、反电动势和磁场强度参数进行测量,研究了电磁搅拌在阴极合金反应过程中的作用,电解过程中的反电动势、电流效率及产物硅浓度的变化.结果表明...     

添加剂对尖晶石碳质材料性能的影响

为提高尖晶石碳质材料的抗热震性和抗冲刷性,以尖晶石、石墨和不同种类添加剂(铝-硅合金、硅粉、B4C、Si C)为原料,热塑性酚醛树脂为结合剂,在氮气保护下经950℃热处理后,制备了石墨含量为8%(w)的尖晶石碳质材料,探究了添加剂对尖晶石碳材料力学性能、抗热震性和抗氧化性的影响。结果表明:1)铝-硅合金或B4C能明显提高尖晶石碳材料的常温抗折强度,但会降低材料的抗热震性,B4C对材料的抗热震性最不利,硅粉和Si C对常温抗折强度影响不大,但能显著提高抗热震性;2)铝-硅合金或硅粉能显著提高材料的高温抗折强度,B4C或Si C对高温强度影响不大。3)经950℃热处理后,B4C对提高材料的抗氧化性作用不明显,单独加入硅粉、铝-硅合金和B4C复合添加均能提高抗氧化性能。     

多组分谱图拟合技术ICP-AES法测高硅含量合金样品中硅成分

用混合酸消解高硅含量合金,不分离析出不溶硅,直接用氢氟酸溶解,充分冷却消化液避免四氟化硅挥发。采用多组分谱图拟合技术消除基体干扰;ICP-AES法测试消解液中的硅含量。消解液还可以直接用于合金的其他成分分析。     

发明专利公开

将包括铝或铝合金芯片和铝一硅合金表面层的三层复合板或叠层板.插接于两陶瓷粘结面或陶瓷与金属粘结面之间,在将所得的结构件保持在低于铝或铝合金的熔点高于铝—硅合金固线温度的粘结温度下,同时对插接材料进行加压.用这样的方法使陶瓷与陶瓷或陶瓷与金属相粘结。     

明矾石矿酸熔分离铝硅的研究

简述了明矾石矿中铝硅分离的传统方法，提出了酸熔分离铝硅的工艺流程，并利用安徽庐江明矾石矿进行了研究。     

铝硅合金金相试样的制备技巧

介绍铝硅合金的金相制备过程,总结了这一类铝硅合金金相制备过程中容易出现的各种问题,如:硅颗粒容易脱落、产生抛光细划痕、基体硬度低容易变形等问题,并针对这些问题做了细致的分析,采取了水磨、浅腐蚀、酒精精抛等方法,最终制备出了清晰的金相组织。     

钼蓝光度法测定铝钼铌硅合金中的硅

介绍了用钼蓝光度法测定铝钼铌硅合金中硅含量的方法.经实验,结果表明:该方法操作简便,方法稳定性、重现性、准确性好,能满足铝钼铌硅中硅含量的分析检测要求.