影响氧化锌压敏瓷喷雾造粒粉体性能的因素

采用喷雾造粒技术制备氧化锌压敏电阻用粉体，其料浆的组成、造粒机的使用条件等因素对颗粒性能均有直接影响。     

喷雾造粒粉体对BaTiO3系PTCR半导体陶瓷性能的研究

研究了通过喷雾造粒制得的BaTiO3系PTCR热敏陶瓷粉体性能对生坯成型及瓷体物理、PTC效应、电学等性能的影响,与手工造粒粉体比较,由于喷雾造粒的粉体流动性好,表面活性大,粒度均匀,其成型性及烧结后瓷体PTcR效应、电学性能均有明显提高.     

改性氧化铝黑瓷粉体制备高固相含量浆料的研究

通过对氧化铝黑瓷粉料进行预烧技术处理,增大颗粒尺寸、降低粉体比表面能、改善其团聚现象,制备出固相体积分数达55%的氧化铝黑瓷稳定料浆,并研究了分散剂用量、体系固相体积分数、R值(塑性剂/粘结剂)对料浆流变性的影响.研究结果表明:浆料的粘度随剪切速率增加而下降,呈剪切稀化的流变学特性,随着固相体积分数的增加,浆料的最佳分散剂用量也相应增加;浆料的粘度随着R值的增加而急剧减小,流变性能得到明显改善.     

喷雾造粒粉体对BaTiO3系PTCR半导体陶瓷性能的研究

研究了通过喷雾造粒制得的BaTiO3系PTCR热敏陶瓷粉体性能对生坯成型及瓷体物理、PTC效应、电学等性能的影响,与手工造粒粉体比较,由于喷雾造粒的粉体流动性好,表面活性大,粒度均匀,其成型性及烧结后瓷体PTCR效应、电学性能均有明显提高。     

电子元件、组件

TN60 9505052,闪光灯电容器老练工艺的研究/陶建平,张新华(南通电容器厂)lj电子元件与材料一1995,14(2).一4,~49 介绍了对闪光灯电容器在不同条件下进行老练工艺试验的结果;选择了合适的温度和电压条件,并采用时间间隙老练工艺,取得了满意的结果.图4表3参1(许)获得的超细、粉体制备的热敏电阻的老化机制,图4表3参5(许)口妇冈60 95050528影响氧化锌压敏瓷喷雾造粒粉体性能的因素/巾海涛,霍建华,师人伏(西安无线电二厂)11电子元件与材料一1995.14(2)一27~32 采用喷雾造粒技术制备氧化锌压敏电阻用粉体,其料浆的组成,造粒机的使用条件等因素对…     

超细镁铝尖晶石凝胶注模用浆料的制备

研究了在凝胶注模用超细镁铝尖晶石浆料的制备工艺中，粉体粒度、pH值、分散剂等对浆料流变性、Zeta电位、粘度和稳定性的影响及作用机理。实验结果表明:相同剪切速率下，随着粉体粒径的减小，浆料粘度变大，稳定性提高。当浆料中不添加分散剂时，超细镁铝尖晶石浆料在酸性条件中的Zeta电位绝对值比在碱性条件下高。添加分散剂后，等电位点对应pH值向酸性方向移动，且随固相含量的提高，制备低粘度浆料所需分散剂百分含量越低。pH值和分散剂含量均存在最佳范围，过高和过低，浆料的流变性和稳定性均会变差。Zeta电位绝对值的大小仅仅是影响浆料稳定性的一个方面，如果分散剂过量，即使浆料颗粒Zeta电位绝对值很大，浆料也会产生团聚和絮凝。     

NiZn铁氧体粉料生产中喷雾造粒用料浆的研究

通过控制料浆中粉料的粒度及料浆固含量,制成喷雾颗粒料。研究了在此条件下制成的喷雾颗粒料特性。结果表明:当粉料的粒度(D50,下同)控制在1.5μm时,颗粒料中聚乙烯醇的质量分数可从0.73%增加到1.33%,从而使喷雾颗粒料的粘结性得到加强;当料浆固含量(质量分数)由64.52%增加到68.97%时,喷雾颗粒料的表观密度由1.30g/cm3提高到1.40g/cm3以上。     

浅论过筛对颗粒料的影响

通过分析料浆中粒子的表面化学特性及其作用规律,探讨喷雾造粒前过筛对颗粒料的影响。     

燃煤型喷雾造粒塔在铁氧体制粉中的应用

介绍了燃煤型喷雾造粒系统的结构,燃煤型喷雾造粒系统和压力雾化系统的工作原理,详细分析了燃煤型喷雾造粒系统的调整原理和调整方法。从调整雾化角度对如何提高铁氧体粉料质量进行讨论。从技术指标对比,燃煤型喷雾造粒系统满足工艺参数要求;从经济指标对比,燃煤型喷雾造粒系统有明显的经济优势。结果表明,燃煤型喷雾造粒系统在降低生产成本方面有广阔的前景。     

两种造粒方法对陶瓷PTC元件性能的影响

用喷雾造粒法与手工造粒法制备的粉体在粒径及粒度分布、松装密度、成本诸方面均存在较大差别，制备的ＰＴＣ元件在晶粒大小、气孔率、电性能等方面差别很大。用喷雾造粒法制得的粉体综合参数和ＰＴＣ元件性能均优于手工造粒。     

水基流延制备片式PTCR陶瓷的研究

采用sol-gel法制备纳米BaTiO3基PTCR粉体,并以其为原料,采用水基流延成型工艺制备片式PTCR。研究了在sol-gel法制备BaTiO3粉体中,施受主元素含量、陶瓷的烧成温度与PTC效应、晶粒尺寸的关系以及水基流延工艺中各种添加剂对浆料和膜片性能的影响。结果表明:以纳米BaTiO3粉体为原料、水基流延的片式PTCR坯片,在1240℃下就能半导化,所得陶瓷样品的升阻比高于104,温度系数大于13%℃–1,平均晶粒尺寸小于2μm。     

包裹A1_2O_3对BaTiO_3基陶瓷性能的影响

采用固相法制备掺杂有稀土元素Nd和Y的BaTiO3基陶瓷粉体,在该粉体表面包裹A12O3。研究了包裹A12O3对BaTiO3基陶瓷的微观结构、微观形貌、介电性能、击穿电压和介电非线性的影响。结果表明:包裹A12O3后,BaTiO3基陶瓷的相对介电常数达到4000,绝缘电阻率达到1011?.cm,耐压提高到20×103V/mm,介电非线性得到改善,有望在储能领域中得到应用。     

Bi掺杂BaTiO_3基PTC陶瓷的制备、微结构和电性能

采用液相掺杂及低温固相反应法制备了Bi掺杂BaTiO3纳米晶体,然后经烧结制得了Bi掺杂BaTiO3基PTC陶瓷。分析了所制Bi掺杂BaTiO3晶体的物相、晶粒大小及微结构,研究了烧结条件对所制PTC陶瓷电性能的影响。结果表明:Bi掺杂BaTiO3晶体在常温下为立方晶系,颗粒基本呈球形且大小均匀,粒径约为60 nm;在烧结温度为1 330℃、保温时间为20 min条件下所制PTC陶瓷性能最佳:室温电阻为26.29,升阻比为3.585×104。     

掺杂Ag元素对溶胶–凝胶一步法制备BaTiO_3基PTCR陶瓷性能的影响

为改善PTCR陶瓷材料的电学性能,采用AgNO3作为Ag掺杂原料,用溶胶–凝胶一步法合成了含Ag元素的BaTiO3基PTCR陶瓷,着重讨论了银含量对半导体陶瓷电学性能的影响规律。结果表明,适量的Ag掺杂对材料的室温电阻率(r)影响不大,并且还可以有效提高PTCR陶瓷的温度系数(aR)和耐电压(Vb)。本实验中掺杂0.05%Ag(摩尔分数)时,获得的PTCR陶瓷性能较好:r≈28 W·cm,a25>16%℃1,Vb>180 V·mm1。     

轧膜成型对BaTiO_3片式PTCR性能的影响

为制备片式BaTiO3陶瓷PTCR元件,采用轧膜成型的方法。通过研究材料性能与成型因素的关系,并通过与干压成型工艺对比,研究了轧膜成型工艺对陶瓷PTCR性能的影响。 通过调整影响轧膜成型的条件,可以制得具有良好可塑性、均匀度、致密度、光洁度的薄膜。     

原位聚合法制备BaTiO3厚膜的研究

研究了在BaTiO3水浆料中通过加入丙烯酰胺有机单体原位聚合形成聚丙烯酰胺的过程制备厚膜。生坯的柔韧性通过加入丙三醇作为增塑剂加以改善。实验结果表明，由于所制备浆料的均匀性好，这种由原位聚合形成的厚膜显微结构均匀，电性能优良。     

钨浆料的稳定性研究

研究了用于质量分数为96%的氧化铝陶瓷的钨金属化配方以及相应的钨浆料生产工艺。为了提高钨浆料的稳定性,对浆料各组分的形貌、工艺进行了分析,发现粉体形貌、分散工艺、树脂性能对钨浆稳定性影响很大,提出了延长载体制备时间、提高载体黏度、选择粒度分布合理且比表面积较小的粉体等改善措施。结果表明,采用改善措施后在实际生产中取得了良好效果,制得的钨浆料印刷在陶瓷基片上于1 300℃烧结,平均封接强度达到39 MPa。     

气相法对BaTiO3陶瓷扩渗Gd元素及其电性能研究

采用气相法对BaTiO3 陶瓷扩渗Gd元素 ,使BaTiO3 陶瓷的导电性发生了显著变化 ,其室温电阻率从 4 .0× 10 12 Ω·m下降为 2 .76× 10 3 Ω·m ,而且随着频率增大和温度升高 ,交流电导逐渐增大 ,BaTiO3 陶瓷的导电性更强。Gd扩渗后BaTiO3 陶瓷的晶粒电阻随着温度的变化 ,呈现NTCR效应 ,而晶界电阻随着温度的变化 ,呈现PTCR效应 ,且晶界电阻远远大于晶粒电阻 ,说明该材料的PTCR效应是由晶界效应引起的。Gd扩渗使BaTiO3 陶瓷的介电常数显著降低 ,且随频率的增大而逐渐减小 ,介电常数随温度的变化呈PTC效应 ,并使BaTiO3 陶瓷的居里温度升高为 130 .6°C。     

通信总配线架过流保护用BaTiO_3系PTCR热敏电阻器的研制

针对总配线架小型化而提出的过流保护用PTCR热敏电阻器小型化的要求,研究和讨论了PTCR热敏电阻器配方材料组成和生产工艺对其性能的影响。根据行业标准YD/T 741—95,对通信总配线架过流保护用钛酸钡(BT)系PTCR热敏电阻器配方进行设计,以施主掺杂Y2O3的配方,研制出全部性能指标满足YD/T 741—95要求的、小型化过流保护用PTCR热敏电阻器。试验发现:采用掺杂Y2O3的配方,工艺稳定性好,适合大批量生产;所制备的PTCR热敏电阻器反应灵敏,耐电流强度大,阻值稳定性好。