银超微粒子一氧化钡薄膜多光子光电发射特性

本文测量了不同制备阶段Ag+BaO薄膜的多光子光电发射随光强变化曲线。在能量为1.17eV激光照射下,BaO薄膜的多光子光电发射为3光子效应,激活好的Ag+BaO薄膜为2光子光电发射。比较不同光谱响应的Ag+BaO薄膜多光子发射灵敏度的差别,得出在2.34eV附近光谱响应好的Ag+BaO膜2光子发射灵敏度也高。结合Ag+BaO薄膜的能带结构,对实验结果进行了讨论。     

超微粒—半导体薄膜及其应用

超微粒—半导体薄膜是一类新型材料,它具有许多独特的性能,如高的光吸收系数,较高的光电量子产额,极高的光电响应速率。这种薄膜可用于超短激光脉冲检测,大功率超短光脉冲到电脉冲转换,高效光能到电能转换等。本文着重介绍了金属超微粒—半导体薄膜的光电发射特性和多光子光电发射特性。     

金属的亚阀值光电发射

用光电发射的三阶模型推导了多光子光电发射的公式。用Nd:YAG调Q激光光源(hv=1.17eV,脉冲宽度为10ns)测量了金属Ag和Mo片的光电流与光强的关系。在2～12GW.Cm~(-2)功率范围内,测得Ag的5—光子效应和Mo的4—光子效应。理论与实验是—致的。     

反射式GaAs光电阴极的热增强光电发射能量转换理论研究

热增强光电发射是一种新的太阳能转换技术,它可以将光电发射和热电发射结合到一个过程中。本文在细节平衡条件下对光子增强热电子发射进行了理论计算,并给出了反射式GaAs光电阴极的增强热电子发射电流密度和能量转换效率。计算结果表明,阴极的电子亲和势增高会降低发射电流密度,提高输出电压,影响能量转换效率。当电子亲和势为负时,平台期能量转换效率约为15%,当电子亲和势为正时,能量转换效率可以超过25%。实验测得反射式GaAlAs/GaAs真空光电二极管的光电发射过程随温度提高而增强,在短波段更为明显。若以低功函数金刚石薄膜为阳极,可计算其能量转换效率约为2.7%,并随温度提高而略有提升。     

反射式GaAs光电阴极的热增强光电发射能量转换理论研究北大核心CSCD

热增强光电发射是一种新的太阳能转换技术,它可以将光电发射和热电发射结合到一个过程中。本文在细节平衡条件下对光子增强热电子发射进行了理论计算,并给出了反射式GaAs光电阴极的增强热电子发射电流密度和能量转换效率。计算结果表明,阴极的电子亲和势增高会降低发射电流密度,提高输出电压,影响能量转换效率。当电子亲和势为负时,平台期能量转换效率约为15%,当电子亲和势为正时,能量转换效率可以超过25%。实验测得反射式GaAlAs/GaAs真空光电二极管的光电发射过程随温度提高而增强,在短波段更为明显。若以低功函数金刚石薄膜为阳极,可计算其能量转换效率约为2.7%,并随温度提高而略有提升。     

Ag-BaO光电发射薄膜表面结构的STM研究

利用真空沉积方法制备了Ag-BaO光电发射薄膜,第一次用扫描隧道显微镜(STM)研究了Ag-BaO薄膜的表面结构,得到了高分辨的表面形貌像。介绍了Ag-BaO薄膜微区表面复杂的形态结构,并将测量结果和Ag-BaO薄膜的TEM像作了比较,分析了这些结构对光电发射的影响。     

二维层状WS2/MoS2异质结中镧系近红外光子发射与能量转移（英文）

镧系离子由于其独特的光子特性而备受关注.二维层状范德华异质结的光电特性和器件性能受到界面耦合的极大影响,该异质结通常是由两层或多层过渡金属二硫化物(TMD)堆叠而成.本文通过两步合成构建了镧系离子掺杂的层状WS2/MoS2异质结.所制备的掺杂薄膜是在晶圆衬底上生长的高度织构纳米片.更重要的是,由于两个TMD层中镧系离子之间的能量转移,层状异质结的结构减少了因均匀掺杂或浓度猝灭而引起的无益交叉松弛,所制备的堆叠异质结能够在近红外通讯窗口产生高效的光子发射.镧系掺杂和能量转移的研究结果表明,镧系离子可以有效地扩展TMD薄膜的发射波段及其异质结构.本工作所发展的镧系掺杂TMD异质结有助于进一步研究原子级超薄近红外光子器件.     

Ag—BaO光电发射薄膜表面结构的STM研究

利用真空沉积方法制备了Ag-BaO光电发射薄膜，第一次用扫描隧道显微镜（STM）研究了Ag-BaO薄膜的表面结构，得到了高分辨的表面形貌像，介绍了Ag-BaO薄膜微区表面复杂的形态结构，并将测量结果和Ag-BaO薄膜的TEM像作了比较，分析了这些结构对光电发射的影响。     

“冷”“热”沉积的Ag—BaO薄膜在红外超短脉冲激光作用下光电发…

“冷”、“热”沉积不同制备方式得到Ａｇ－ＢａＯ薄膜的光电发射性能显示出不同的特点。在０．５３μｍ超短光脉冲作用下，这两种薄膜的光电发射没有显著差别：在１．０６μｍ超短红外光脉冲作用一的光电发射却表现出较大的差异。     

“冷”“热”沉积的Ag-BaO薄膜在红外超短脉冲激光作用下光电发射的比较

“冷”、“热”沉积不同制各方式得到Ag－BaO薄膜的光电发射性能显示出不同的特点。在0．53μm超短光脉冲作用下，这两种薄膜的光电发射没有显著差别；在1．06μm超短红外光脉冲作用下的光电发射却表现出较大的差异。实验研究表明：两种制各方式获得的样品在红外超短脉冲激光作用下均为双光子光电发射，但“热沉积”样品比“冷沉积”样品的光电发射量子产额高1个多数量级，前者为5．8×10-7，后者为2．1×10－8。     

透射式GaN光电阴极在正面光照和背面光照下的量子效率特性研究

研究了透射式GaN光电阴极在正面光照和背面光照两种工作模式下的光电发射特性差异及影响因素,并推导了这两种工作模式下的量子效率理论公式,利用所推导的公式对实验获得的GaN光电阴极量子效率曲线进行了分析。研究结果表明,两种工作模式下光电子的表面逸出几率与光子能量具有不同的依赖关系,背面光照下,光电子将以一个一致的表面逸出几率从表面发射出去,并且短波响应会受到缓冲层及界面特性的影响,总体光电发射效率依赖于阴极表面势垒所决定的平均电子逸出几率。利用所推导的量子效率公式对实验曲线进行拟合,可实现多个阴极参量的评估,这为透射式GaN阴极材料与制备工艺水平的分析提供了重要依据。     

半导体材料多光子光电导特性研究

一、引言随着高强度激光器的出现和广泛应用,人们对过去已建立起的一些经典理论和概念有了新的认识。多光子光电理论就是在这种情况下产生的。在光电效应中,通常可以分为外光电效应和内光电效应两类。如果吸收光子后受激电子能够逸出材料体外即产生光电子发射,这种现象称为外光电效应。内光电效应中材料的电性能发生变化,但是受激     

用于超短激光脉冲检测的新型光电薄膜的量子产额

超短激光脉冲的研究已经成为基础科学与应用科学研究的重要内容，对用于检测这种信号的光电发射功能薄膜材料的研究也受到人们极大重视。Ag－Ba－O薄膜是一种可以经历暴露大气，用于超短激光脉冲检测的新型光电发射材料。光电薄膜在超短激光脉冲作用下的量子产额测量与普通可见光作用下量子产额的测量有很大不同。当激光波长为1．06μm，激光的功率密度为107～108W／cm2，选单光脉冲宽度为40Ps时，经历暴露大气的Ag－Ba－O薄膜光电量子产额为10-6数量级。这种薄膜经历暴露大气后，可见光的积分灵敏度全部损失，但在1．06μm激光作用下恢复，光电量子产额不比未暴露大气的样品低。这为Ag－Ba－O薄膜应甲于红外超短激光脉冲的检测奠定了基础。     

微孔结构TiO2薄膜在准固态染料敏化太阳电池上的应用

采用200 nm聚苯乙烯(PS)造孔可以改善TiO2半导体薄膜的散射光性能,提高了准固态染料敏化太阳电池的光电性能。用10%聚苯乙烯造孔制备TiO2半导体组装的染料敏化太阳电池,在100 mW/cm2光强下电池光电转换效率达到2.94%,与不含造孔剂电池相比,光电转换效率提高52%。薄膜光学性能和入射单色光子–电子转化效率(IPCE)研究表明,电池光电性能的提高与薄膜的光散射改善和电池中染料的光捕获效率增大密切相关。     

远紫外CsI/Au/Lif光阴极特性研究

本文作了CsI/Au/LiF远紫外光电发射特性研究。在105～167um波长范围本征发射平均量子效率15-18%电子/光子。423K温度退火处理半小时前后,ESCA分析表明CsI层与Au膜具有高度的相容性。阈值光电发射随CsI表面C和O_2污染而下降。     

用于超短激光脉冲检测的新型光电薄膜的量子产额

超短激光脉冲的研究已经成为基础科学与应用科学研究的重要内容，对用于检测这种信号的光电发射功能薄膜的研究也受到人们极大重视。Ａｇ－Ｂａ－Ｏ薄膜是一种可以经历暴露大气，用于超短激光脉冲检测的新型光电发射材料，光电薄膜在超短激光脉冲作用下的量子产测量与普通可见光作用下量子产额的测量有很大不同。光激光波长为１．０６μｍ，激光的功率密度为１０＾７－１０＾８Ｗ／ｃｍ＾２，选单光脉冲宽度为４０ｐｓ时，经历暴露大     

在短脉冲激光作用下薄膜的损伤机制

计算了不同材料的能带带隙、初始电子密度、激光波长和激光脉宽等参效对薄膜的抗激光损伤闭值的影响,研究了在不同脉冲宽度激光作用下多光子离化和雪崩离化两种损伤机制的竞争．结果表明,在以平均电子能量不变为特征的雪崩电离的建立期间,光电离速度影响初始电子的浓度,从而影响雪崩电离和光电离之间的竞争．激光脉冲的宽度越大,雪崩电离对电子发展的贡献越大,而多光子离化的贡献越小．     

CuPc／ZnS多层复合薄膜的光电性能研究

本文首次报道了用真空热蒸发法制备 Cu Pc/ Zn S交替多层复合薄膜 ,研究 Cu Pc和Zn S的层数以及制备工艺对薄膜光电性能和结构的影响。利用光电导特性测量仪、紫外 -可见光谱仪和 X射线衍射仪等设备分析了复合薄膜的结构和光电性能 ,探讨了有机 /无机复合薄膜的光电导机理 ,提出了理论模型。     

CuPc／ZnS多层复合薄膜的光电性能研究

本文首次报道了用真空热蒸发法制备ＣｕＰｃ／ＺｎＳ交替多层复合薄膜,研究ＣｕＰｃ和ＺｎＳ的层数以及制备工艺对薄膜光电性能和结构的影响。利用光电导特性测量仪、紫外可见光谱仪和Ｘ射线衍射仪等设备分析了复合薄膜的结构和光电性能,探讨了有机／无机复合薄膜的光电导机理,提出了理论模型。     

膜层厚度对CuPc／ZnS多层复合薄膜光电性能的影响

为了找到制备CuPc/ZnS多层复合膜薄膜最佳光电导性能的参数,本文研究了CuPc/ZnS多层复合膜的CuPc膜层的厚度系列、ZnS膜层的厚度系列的光电导性能和结构,利用表面电位衰减仪、紫外－可见光谱仪和X射线衍射仪等设备分析了复合薄膜的光电导性能和结构及其关系,探讨了改变CuPc、ZnS膜层的厚度对CuPc/ZnS多层复合膜薄膜的光电导性能和结构的影响。