InGaAsP/InGaP/AlGaAs大光学腔量子阱激光器的优化

本文对808nm InGaAsP/InGaP/AlGaAs材料的大光学腔结构激光器进行了理论优化.为确保激光器是单横模激射,我们使用传递矩阵的方法,分别计算了限制层和欧姆接触层厚度对TE2和TE0模式损耗的影响,对上下限制层和欧姆接触层的厚度进行了优化,其优化后的厚度分别为0.8,0.6和0.11μm.高折射率的欧姆接触层被低折射率的限制层和金属层包围形成了无源的次级波导,泄漏波在次级波导中形成了寄生模式.欧姆接触层厚度对模式损耗的影响是周期性的,当欧姆接触层厚度为该模式的λ1/4时发生第一次共振,发生共振的间隔为其垂直注入的泄漏波波长λ1的一半.     

基于有效折射率法的多层光波导模式数值分析

文章针对具有实际使用价值的多层光波导计算了有损耗波导准横电(Quasi-TE)模、准横磁(Quasi-TM)模有效折射率与横电/横磁(TE/TM)模电磁场曲线分布。计算了6层损耗波导TE/TM模式，分析了多层波导模式的有效射折率和电磁场曲线分布与波导结构的内在关系，并且利用有效折射率法完成Quasi-TE/TM模式的有效折射率计算，得到了TM模式有效折射率与模式阶数非单调递减、损耗波导模式更为丰富等结论。文章的研究工作可以为实际光波导器件设计、制作及应用提供理论基础。     

太赫兹Si/SiGe量子级联激光器波导模拟

波导层结构设计是制备太赫兹(THz)量子级联激光器的关键问题之一.本文基于德鲁得(Drude)模型,利用时域有限差分(FDTD)法,对Si/SiGe量子级联激光器的波导层进行优化设计,从理论上对传统的递变折射率波导、单面金属波导、双面金属波导以及金属/金属硅化物波导横磁模(TM模)的模式损耗和光场限制因子进行了对比分析.结果表明,金属/金属硅化物波导不但可以减小波导损耗,而且有很高的光学限制因子,同时其工艺也比双面金属波导容易实现,为Si/SiGe太赫兹量子级联激光器波导层的设计提供了一定的理论指导.     

太赫兹Si/SiGe量子级联激光器波导模拟

波导层结构设计是制备太赫兹(THz)量子级联激光器的关键问题之一.本文基于德鲁得(Drude)模型,利用时域有限差分(FDTD)法,对Si/SiGe量子级联激光器的波导层进行优化设计,从理论上对传统的递变折射率波导、单面金属波导、双面金属波导以及金属/金属硅化物波导横磁模(TM模)的模式损耗和光场限制因子进行了对比分析.结果表明,金属/金属硅化物波导不但可以减小波导损耗,而且有很高的光学限制因子,同时其工艺也比双面金属波导容易实现,为Si/SiGe太赫兹量子级联激光器波导层的设计提供了一定的理论指导.     

高Al组分n-AlGaN的Ti/Al/Ti/Au欧姆接触

采用Ti/Al/Ti/Au多层金属电极对高Al组分n-AlxGa1-xN(x=0.6)欧姆接触的制备进行了研究,通过优化Ti接触层厚度以及合金退火条件,获得了较低的比接触电阻率(5.67×10-5Ω.cm2)。研究证实,Ti接触层厚度对欧姆接触特性有着重要影响,同时发现,高低温两步退火方式之所以能够改善欧姆接触特性的本质是与Al3Ti及TiN各自的生成条件直接相关,即低温利于生成Al3Ti,高温利于生成TiN,而这对n型欧姆接触的有效形成至关重要。     

9.0μm GaAs基量子级联激光器的波导优化

通过转移矩阵法和有效折射率法计算了9.0μm GaAs基量子级联激光器波导的模式损耗和限制因子,从而对其波导结构进行优化.计算中考虑了各外延层的厚度、脊宽和腔长的影响.给出了在较低阈值下节约材料生长时间的各外延层厚度.     

9.0μm GaAs基量子级联激光器的波导优化

通过转移矩阵法和有效折射率法计算了9．0μm GaAs基量子级联激光器波导的模式损耗和限制因子，从而对其波导结构进行优化．计算中考虑了各外延层的厚度、脊宽和腔长的影响．给出了在较低阈值下节约材料生长时间的各外延层厚度．     

Ni层厚度对p-GaN/Ni/Au欧姆接触特性的影响

对p-GaN/Ni/Au欧姆接触特性与Ni金属层厚度之间的相关性进行了对比实验研究,利用XRD衍射结果与表面金相显微分析手段对Ni/Au双层金属电极在合金退火过程中的行为特性进行了细致探讨。分析结果表明:在Ni/Au电极结构中,由双层互扩散机制与NiO氧化反应机理决定,Ni层与Au层之间的厚度比率对p型GaN欧姆接触特性的优劣有重要影响,在Ni、Au层厚度相当时可获得最佳的p型欧姆接触。     

用MATLAB模拟三层平板波导的模式特性

本文建立三层平板光波导模型，推导出电场方程的具体形式，运用MATLAB对三层平板波导理论进行分析求解，使以往复杂的计算变的非常简单。将具体数值代人电场方程进行计算，取不同的波导层厚度时得到不同的波导模式，然后做出不同波导模式TE波的三维图形。最后介绍了三层平板波导理论在激光器模式理论中的应用。     

过模弯曲圆波导模式耦合设计

基于耦合波理论,波导轴线采用常规圆弧弯曲和改进的正弦弯曲结构,对TE01—TM11模式变换器进行全面优化分析,计算中考虑了多模、反向波、金属壁所带来的欧姆损耗以及相位重匹配等因素.以正弦弯曲设计的Ka波段TE01—TM11模式变换器的转换效率达到99%,带宽超过32%,并得出常弯曲结构中波导半径、波导曲率、变换器长度和转换效率之间的关系.     

声表面波气敏传感器敏感薄膜厚度的研究

理论上研究了声表面波气敏传感器敏感薄膜厚度对系统灵敏度的影响.分析了气体浓度、敏感薄膜厚度、敏感薄膜密度对系统灵敏度的共同影响.提出了最佳薄膜厚度的概念,并给出了相应的关系式.     

一种新颖的MEMS表面工艺牺牲层厚度的电测量方法

牺牲层厚度是MEMS表面工艺中的一个重要参数,对它的测量和控制有着重要的意义。目前大多采用光机械的方法来测量,但是测试方法复杂、测试时间长。本文介绍了一种新颖的MEMS表面工艺牺牲层厚度测试技术,实现了牺牲层厚度的电测量。测试方法简单快捷,并且很便于测试系统集成。     

异质结应变层的临界厚度的确定

简要介绍了异质结的临界厚度,叙述了计算临界厚度的两种理论和其实验值.     

LiF作为电子注入层对OLEDs器件性能的影响

制造了两种OLEDs器件,它们的结构分别为:ITO/NPB(50 nm)/Alq3(65 nm)/Mg:Ag(10:1)(100 nm)/Ag(50 nm)and ITO/NPB(50 nm)/Alq3(65 nm)/LiF(x)/Al(100 nm).结果发现,在同样电压下,与Mg:Ag/Ag电极相比,插入LiF层可以明显提高器件的电流.当LiF厚度为1 nm时,器件性能最好.以Mg:Ag/Ag合金作为电极时的器件的最大亮度为8 450 cd/m2,而插入LiF层的器件最大亮度可达到14 700 cd/m2.此外,器件的发光效率也得到了明显的提高,在7 V时达到了最大为3.117 cd/mA.同时,当LiF厚度大于1 nm或小于1 nm时,器件性能都将会下降.     

特性阻抗板生产控制

概述了特性阻抗板生产过程中主要影响因素并提出有效控制阻抗的方法。     

双晶x射线衍射法测量超薄层外延材料厚度

介绍了通过双晶ｘ射线衍射测量超薄外延层厚度的一种方法。利用回摆曲线中的干涉条纹测量了通过ＭＢＥ生长的Ｇａ０．７Ａｌ０．３Ａｓ／Ｇａ０．９Ａｌ０．１Ａｓ／Ｇａ０．７Ａｌ０．３Ａｓ结构的各层层厚。     

Study of polycrystalline-Si thin-film transistors with different channel layer thickness at low bias voltage

A sub-micron poly-Si TFT device, operating at a drain bias of 1.5 V, has been studied with respect to channel layer thickness. A thinner channel layer may lead to better good gate control over the entire channel region, thus resulting in a lower threshold voltage. Similarly, under negative gate bias, a thinner channel layer would sustain larger vertical electric field. However, a thinned channel layer can reduce the source/drain bulk punch-through, thus causing a smaller channel region with relatively high electric field for carrier field emission. With using a low drain bias of 1.5 V, for the poly-Si TFT device with a thinner channel layer, the leakage current would be more effectively suppressed by the resultantly smaller channel region with relatively high electric field for carrier field emission. As a result, even for a gate length of 0.5 μm, the poly-Si TFT device with 20-nm channel layer can cause an off-state leakage of about 0.1 pA/μm at a drain bias of 1.5 V, and an on/off current ratio higher than 8 orders can be achieved.     

An improved analytical model for the electric field distribution in an RF-LDMOST structure

This paper presents an improved analytical model for an RF-LDMOST structure based on the 2D Poisson equation.The derived model indicates the influence of high doped shallow drift and low doping concentration p epitaxial layer on the electric field distribution.In particular,the importance of the thickness of the p epitaxial layer for electric field distributions in RF-LDMOST are shown through MATLAB analytical results based on the model.Then ISE TCAD simulations and experiments are processed and their re...     

(Si/Ge)n多层薄膜的设计制备及光吸收性能

采用射频磁控溅射技术,在石英玻璃衬底上沉积了具有不同层数和厚度的(Si/Ge)n多层薄膜。XRD、Raman光谱测试表明,溅射态薄膜为微晶结构,在溅射过程中层间扩散形成Si-Ge振动键,溅射时间和薄膜层数影响着薄膜层间的扩散和结晶率;FESEM结果表明,薄膜表面由颗粒团簇构成,层与层之间有明显界面。UV-vis光谱测试表明,(Si/Ge)n多层薄膜在可见光范围内具有较宽的吸收,增加薄膜层数可扩大太阳能光谱的响应范围,而增加Si单层膜厚度对光吸收范围的影响较小。     

激光冲击强化技术中自由约束层理论厚度的研究

针对激光冲击强化应用技术中的自由约束层厚度的问题 ,分析了涂层气化、爆炸形成的向金属层内部和自由约束层内部传播的高强度压力、自由约束层与涂层之间的粘着力和约束层本身性能之间的关系。推导了自由约束层的最佳理论厚度———既能获得最佳冲击强化效果 ,又可达到一次高效安全地清除自由约束层的目的