OLD诊断SiH_4的LPCVD动力学过程

用光声激光偏转(OLD)测量了强TEA CO_2脉冲激光辐照SiH_4-H_2系统产生等离子体淀积(LPCVD)硅薄膜过程中的激波效应,证明激光击穿SiH_4诱发的激波效应是LPCVD中基本的气体动力学过程,并讨论了激波对膜生长的影响。     

激光辅助固态薄膜淀积技术的进展

本文综述了近年来激光辅助固态薄膜淀积技术的进展。简要概述了脉冲激光蒸发淀积(PLED)和激光诱导化学气相淀积(LCVD)的基本原理、淀积系统和激光器。侧重详细介绍了这种技术在制备微电子器件所需要的高Tc超导体膜、金属膜、半导体膜和介质膜中的应用。     

激光化学气相淀积铁薄膜

用氯化氙准分子激光分解Fe(CO)_5在石英片上沉积铁薄膜.研究了激光能量密度、淀积时间对膜层特性的影响,获得最大淀积速率1.7nm/脉冲     

激光等离子体淀积硅薄膜过程动力学研究

采用强TEA CO_2脉冲激光辐照SiH_4/H_2系统,对SiH_4激光等离子体淀积硅膜进行了研究,测量了膜淀积及膜性能随淀积条件的变化关系.同时采用光学发射光谱、光声激光偏转方法对其基本的微观和宏观动力学过程进行了研究,在此基础上初步建立了膜淀积的物理模型,计算了膜淀积速率、膜面积等,结果与实验符合得较好.     

Ti的激光化学汽相淀积

用1.4kW_cwTEM_ooCO_2激光分解TiBr_4,使Ti淀积在不锈钢基体上。对膜的厚度和淀积速率作为TiBr_4的分蒸气压、辐射时间和室温的函数进行了研究。得到比用化学汽相淀积制作的纯Ti膜大两个数量级的淀积速率(190μm/h)。另外,用俄歇电子谱、扫描电     

可调谐TEACO_2激光辐照SiH_4击穿过程的研究

一、引言 激光等离子体淀积硅膜在半导体工业得到广泛应用。在这种技术中,SIH。通常被用做各种硅膜生长的高纯硅源。现已有很多关于SIH_4激光等离子体淀积过程的报道~[1～3],其中普遍     

磷硅玻璃膜的等离子活性淀积及特性

研究了由等离子体活化反应系统(P—PSG)淀积的磷硅玻离膜。分析了对应不同淀积参数的P—PSG的基本特征。在该等离子体淀积方法中,利用反应气体SiH_4、PH_3和N_2O进行淀积, P—PSG有高的淀积速率〔大约为百分之10(W/O)P摩尔重量〕。用这种方法淀积的P-PSG膜与常压下(AP-PSG)淀积的常规PSG膜比较,显示出良好的薄膜性能,如在热处理期间具有较强的抗裂性,保真的台阶覆盖和可控的压应力等。     

脉冲激光沉积薄膜专家系统

脉冲激光淀积技术是制备薄膜的先进技术之一,具有膜成分容易做到与靶成分一致、便于控制淀积条件、适用面宽、淀积速率高、易于引入新技术等特点.为了使脉冲激光淀积技术智能化、简便化,研究开发出了"脉冲激光淀积薄膜专家系统".该专家系统具有薄膜基片选择、淀积参数确定、实验结果总结、相关数据查询等功能.本文首先阐述了该专家系统的设计思想和工作原理,然后介绍了该专家系统的功能和结构;最后对该专家系统的适用条件和进一步拓展的目标进行了讨论.利用该专家系统,成功地指导了掺钛氧化钽薄膜和钛酸锶钙薄膜的制备.(OH16)     

二氧化硅膜的减压淀积

我们在一个减压CVD反应器中,于700～750℃下用四乙氧基硅烷(TEOS)分解法,在硅衬底上淀积出了二氧化硅膜。淀积速率为200～300埃/分。在能装载100片的淀积区,淀积膜厚的均匀性优于1％。台阶覆盖性良好,缺陷密度很低,膜的应力是压应力而且很小。膜的折射率,红外质谱和密度与常压淀积的二氧化硅膜相同。系统中添加磷化物使淀积速率增加,膜厚的均匀性变坏。因此,这种反应并不能适用于淀积集成电路所用的掺磷二氧化硅膜;然而,对非掺杂的二氧化硅膜淀积工艺来说,这种反应似乎是一个很好的工艺过程。     

室温下用离子束辅助淀积法在衬底上镀制MgF_2膜

实验在真空度为2×10~(-4)Pa的普通扩散泵浦高真空室中淀积MgF_2膜。当离子源工作时,这真空度降到10~(-2)Pa(充了氩气)。膜淀积在热源上方40cm处的25×12mm石英玻璃和PMMA衬底上。Kaufman型离子枪在衬底下方30cm处,与衬底法线成30°角。加了负偏压的1cm~2的离子探针用陶瓷架同蒸发物流隔开。淀积速率和膜的厚度用石英晶体控制。膜均以5A/Sec的速率淀积。参考膜不用离子束辅助法制作:一组淀积在室温衬底上,另一组淀积在加热到300℃的衬底上。用离子束     

作红外激光应用的优质多层減射膜

一般说来,作红外应用的大多数高反射率激光反射镜,目前是用蒸汽淀积技术将多层膜淀积在牢固的和相当昂贵的基底材料(如锗、硅及红外材料)上而制成的。尽管用这种技术能获得高反射率的反射镜,但往往出现一些问题,例如产品少和易脆等等。     

激光产生的硅汽相淀积

当硅烷被脉冲CO_2激光器照射时就淀积出硅膜。当激光调至SiH_4吸收频率上时,有效地导致出这种激光产生的汽相淀积。其效率是那么高,以致1.3MW/cm~2的未聚焦束就足够了。无任何热效应。在汽压超过100乇以上能有效地产生淀积,这表明包含有一种碰撞附加过程。     

LPCVD多晶硅膜的制备和在硅化铂肖特基势垒红外电荷耦合器件(PtSi-SBIRCCD)中的应用

本文介绍热壁低压化学汽相淀积(LPCVD)制备多晶硅膜的淀积变量,影响膜层质量的因素。其次简述了多晶硅膜的等离子刻蚀情况及其在硅化铂肖特基势垒红外电荷耦合器件(Ptsi-SBIRCCD)研制中的应用。     

DD-500等离子淀积台设计中的工艺物理

等离子(增强)化学汽相淀积(Plasma Enhanced Chemicadl Vapor Deposition)简称PCVD(或PECVD)技术是生长用于半导体器件的固体薄膜的一种新工艺,即低温(<400℃)工艺。DD-500等离子淀积台是为了用PCVD技术生长氮化硅钝化膜而设计的。但本设备还能低温淀积等离子氧化硅作多层布线的介质膜和掺杂的氢化无定形硅(α-Si)制作太阳     

激光淀积: 一定会发展

激光淀积可把径向尺寸小的薄膜结构直接记录到基片上。图1表示普通激光淀积试验装置。激光淀积虽有几种，但一般可很方便地分成两类，即热和光化淀积。     

高温法淀积PbS多晶膜的化学过程

PbS多晶膜化学淀积过程,直接关系到PbS元件的光电性能,是PbS器件制备的核心工艺。在PbS多晶膜形成的化学过程中,还伴随着其他化学反应发生。因而,除生成PbS多晶膜外,还产生其他一些化合物。如何控制其他化学反应进行的进程和程度是化学淀积PbS多晶膜工艺极为重要的任务之一。一、NaOH、Pb(CH_3COO)_2及(NH_2)_2CS溶解过程NaOH、Pb(CH_3GOO)_2及(NH_2)_2CS是高温法化学淀积PbS多晶膜的三种试剂。这三种化合物在淀积PbS多晶膜前均需溶解于水中。1.NaOH的存放和溶解     

在锗基底上采用离子辅助淀积的宽带减反射膜

在220℃温度的锗基底上,采用或未采用离子辅助淀积片镀制了五种宽带减反射膜.在这些膜上进行1.06μm波长、0.1μm脉冲的激光损伤阈值的测量.在氩离子轰击下淀积的锗膜显示出较高的激光损伤阈值,所以,锗基底上的减反射膜具有更强的牢固度.     

烷氧基硅烷混合热解淀积PSG二次钝化膜的工艺探讨

PSG(Phosphosilicate Glass)膜是硅器件常用的表面钝化膜.本文介绍一新的常压淀积系统,在外部引入富氧的条件下,可使烷氧基硅烷的热解温度降至400℃以下,从而特别适用于淀积二次钝化膜.给出了工艺的实验曲线和采用正交试验优化的工艺规范以及淀积膜的一般特性.     

氧化新技术

在LSI和VLSI中都必须使用介质膜,其中使用最多的是氧化硅膜.制备氧化硅膜的方法很多,主要包括热氧化和淀积氧化.但它们的生长温度都比较高,会引起杂质再分布、晶片翘曲和二次缺陷等,降低氧化温度是减小这些影响的重要措施.在双层布线中更需要用低温方法制取绝缘膜.因此,低温快速氧化是目前国内外研究比较活跃的课题.激光诱导化学气相淀积(LCVD)和激光增强氧化是低温快速氧化的新技术.本文将浅谈该技术的氧化机理、实验设备和结果分析.     

用于VLSI的PECVD硼磷硅玻璃膜的制备工艺和特性分析

硼磷硅玻璃膜(BPSG)是在等离子增强型化学汽相淀积(PECVD)系统中淀积的。在一个可容纳70个园片(片径100毫米)的淀积区内,膜厚度均匀性好于±5％、膜中掺杂量的变化低于±0.5％(重量)。具有保形台阶覆盖的淀积速率是200～300埃/分。本文概述了一种用离子色谱法来对掺杂物分析的新技术,也是作为用更通用的仪器进行快速无损分析的一种技术。最后,在本文中还表示了在各种掺杂浓度下低回流处理温度和回流角之函数关系。