激光淀积: 一定会发展

激光淀积可把径向尺寸小的薄膜结构直接记录到基片上。图1表示普通激光淀积试验装置。激光淀积虽有几种，但一般可很方便地分成两类，即热和光化淀积。     

激光等离子体淀积硅薄膜过程动力学研究

采用强TEA CO_2脉冲激光辐照SiH_4/H_2系统,对SiH_4激光等离子体淀积硅膜进行了研究,测量了膜淀积及膜性能随淀积条件的变化关系.同时采用光学发射光谱、光声激光偏转方法对其基本的微观和宏观动力学过程进行了研究,在此基础上初步建立了膜淀积的物理模型,计算了膜淀积速率、膜面积等,结果与实验符合得较好.     

激光辅助固态薄膜淀积技术的进展

本文综述了近年来激光辅助固态薄膜淀积技术的进展。简要概述了脉冲激光蒸发淀积(PLED)和激光诱导化学气相淀积(LCVD)的基本原理、淀积系统和激光器。侧重详细介绍了这种技术在制备微电子器件所需要的高Tc超导体膜、金属膜、半导体膜和介质膜中的应用。     

激光蒸发淀积法制备高Tc超导薄膜

本文简要介绍了激光蒸发淀积法制备高Tc超导薄膜的原理和实验装置，以及激光蒸发淀积技术在制备高Tc超导薄膜中的应用。     

脉冲激光沉积薄膜专家系统

脉冲激光淀积技术是制备薄膜的先进技术之一,具有膜成分容易做到与靶成分一致、便于控制淀积条件、适用面宽、淀积速率高、易于引入新技术等特点.为了使脉冲激光淀积技术智能化、简便化,研究开发出了"脉冲激光淀积薄膜专家系统".该专家系统具有薄膜基片选择、淀积参数确定、实验结果总结、相关数据查询等功能.本文首先阐述了该专家系统的设计思想和工作原理,然后介绍了该专家系统的功能和结构;最后对该专家系统的适用条件和进一步拓展的目标进行了讨论.利用该专家系统,成功地指导了掺钛氧化钽薄膜和钛酸锶钙薄膜的制备.(OH16)     

激光化学汽相淀积薄膜微透镜的设计与实践

本文介绍了采用激光化学汽相淀积（ＬＣＶＤ）技术淀积氮化硅薄膜微透镜的系统与工艺的设计。实践表明，按要求建立了ＬＣＶＤ的实验装置后，只要适当控制源气体的化学配比与浓度，调节激光功率与衬底上的光斑尺寸，选择淀积时间，就可以淀积出不同直径、透明、表面光滑的氮化硅薄膜微透镜。     

OLD诊断SiH_4的LPCVD动力学过程

用光—声激光偏转(OLD)技术研究了激光等离子体淀积(LPCVD)硅膜中的激波动力学过程。证明激波对淀积膜的结构、均匀性及面积有重要影响。     

激光产生的硅汽相淀积

当硅烷被脉冲CO_2激光器照射时就淀积出硅膜。当激光调至SiH_4吸收频率上时,有效地导致出这种激光产生的汽相淀积。其效率是那么高,以致1.3MW/cm~2的未聚焦束就足够了。无任何热效应。在汽压超过100乇以上能有效地产生淀积,这表明包含有一种碰撞附加过程。     

可调谐TEACO_2激光辐照SiH_4击穿过程的研究

一、引言 激光等离子体淀积硅膜在半导体工业得到广泛应用。在这种技术中,SIH。通常被用做各种硅膜生长的高纯硅源。现已有很多关于SIH_4激光等离子体淀积过程的报道~[1～3],其中普遍     

大规模集成电路工艺中的激光技术

近年来发展起来的激光化学,作为一种新工艺正在平面工艺和薄膜加工等方面得到广泛的应用。对微电子器件制造已显示出它是一种有潜力的材料加工工具,主要包括腐蚀、淀积和掺杂等。本文将根据国外文献报导概述激光腐蚀和激光淀积等工艺技术。