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为了改善现有CO2激光器工频LC谐振充电时充电电压随激光器工作频率升高而降低、影响激光输出的稳定性和光束质量,不利于装置的小型化和轻量化的问题。采用全桥逆变结构和串联谐振软开关电路,研究了36kV/10kW高频高压充电电源。该电源系统采用三相380V交流电作为供电系统,大功率智能功率模块作为全桥逆变电路。逆变交流信号经串联谐振电路及高频脉冲变压器得到高压脉冲信号,高压脉冲经整流给负载电容充电,电源应用电压电流双闭环控制系统,输出电压、电流经采样及放大后,反馈到电源控制芯片SG3525,芯片SG3525通过判断反馈信号的大小,控制输出脉冲宽度调制驱动信号的占空比。激光器放电频率为25Hz时,电源输出电压为37kV,峰值输出功率为13.05kW,充电效率为0.826。结果表明,该高频高压充电电源适合用作CO2激光器的高压充电电源。 相似文献
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文章在实验的基础上分析了低电压起辉CO2激光器的实质是脉冲放电。出于这种电源没有滤波电容器,因而对CO2激光器的雪崩放电所产生的尖脉冲起“放大”作用,并叠加到原来的电压上,使高压瞬时增加,于是形成了脉冲放电。应该指出:这种类型的电源是一种较好的具有发展前途的CO2激光电源。 相似文献
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第五代MOSFET在精加工电源设计中的应用 总被引:3,自引:0,他引:3
讨论了第五代MOSFET的性能及其在高频精加工电源设计中的应用。采用高速集成电路门极驱动技术及高速信号检测技术,细化了电火花加工中的单位脉冲能量,提高了脉冲密度增加了有效放电次数,改善了放电条件。在同等加工质量情况下提高了加工效率。 相似文献
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针对均匀放电、生物医疗等高频纳秒脉冲的应用需求,文中设计了一款基于射频MOSFET(Metal Oxide-Semiconductor Field Effect Transistor)的高重频高压脉冲电源。脉冲电源的控制信号由FPGA(Field Programmable Gate Array)提供,并通过光纤进行传输,经驱动芯片放大后同步触发每一级放电管。驱动芯片采用电源模块隔离供电的方式来提供不同的地电位。放电管采用RCD(Residual Current Device)吸收电路来改善开关时刻的瞬时工况。分析和研究了最后一级隔离电感对放电管电压波形、负载电压波形的影响,并对Marx电路做出了改进。实验结果表明,在1 kΩ纯阻性负载上,该电源可在1 MHz重复频率下输出上升沿为40 ns、半高宽为100 ns以及电压幅值为1.1 kV的纳秒脉冲。实验验证表明该电源能够在高频高压状态下稳定工作,满足设计要求。 相似文献
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适用于时间分辨荧光免疫分析仪的激发光系统 总被引:2,自引:1,他引:1
设计了一种能产生高频脉冲光的激发光系统。光源利用特制的高压Xe灯,Xe灯电源设计了时间、能量控制电路,解决了高频脉冲光脉宽较大的问题,使Xe灯能产生稳定的高频短脉冲光,再加上特别设计的石英透镜组,本激发光系统可得到光谱线范围可选的、脉冲宽度54μs和紫外能量大于200μW的1kHz的脉冲光。 相似文献
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为改善现有CO2激光器工频充电电源体积、重量大、充电精度低等缺点,开展高频高压充电电源的研究,研制一台采用全桥逆变结构和串联谐振软开关电路、输出电压36 kV、输出平均充电功率为10 kJ/s的高频高压充电电源。该电源系统采用三相380 VAC作为供电系统,大功率智能功率模块(IPM)作为全桥逆变电路,逆变交流信号经串联谐振电路及高频脉冲变压器得到高压脉冲信号,高压脉冲经整流给负载电容充电;同时,电源应用电压、电流双闭环控制系统,输出电压、电流经采样及放大反馈到电源控制芯片SG3525,SG3525通过判断反馈信号的大小控制输出PWM驱动信号的占空比。实验结果表明:电源输出电压36 kV,输出平均功率为10.8 kJ/s,充电效率为0.82,电源纹波系数为1%。电源系统保证了激光器稳定工作在30 Hz条件下。 相似文献
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According to the problem that the threshold for traditional blanking depends on the characteristic parameters of noise and exist large deviation,an adaptive noise mitigation algorithm based on peak estimate and feedback compensation(ANMPEFC)in power line communication was proposed.First,SLM mapping preprocessing method was employed to reduce the PAPR of emission signal,peak information was used to estimate the frequency of the received signal and the relationship between peak frequency and impulse characteristics was established.Next,received signal was processed by blanking block and feedback compensation block adaptively according to estimated pulse frequency.Finally, performance of proposed algorithm and existing algorithms were analyzed based on threshold deviation.According to the results from simulation,it is clearly demonstrated that the proposed ANMPEFC can work in power line impulse noise environment without knowing the noise characteristics and has better performance in contrast to existing impulse noise suppression algorithm. 相似文献
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针对脉冲无线电超宽频(IR-UWB)接收系统,提出了一种低功耗频率合成器设计。合成器的设计以一个整数N分频II型四阶锁相环结构为基础,包括一个调谐范围为31%的7位压控振荡器,一组基于单相时钟逻辑的高速分频器。分频器能够合成八个由IEEE标准802.15.4a定义的频率。该集成频率合成器运用65 nm CMOS技术制造而成,面积为0.33 mm2,工作频率范围为7.5–10.6 GHz。测试结果显示,在1.2 V供电下,该合成器的3-dB闭环带宽为100 kHz,稳定时间为15 。测量相位噪声低于-103 dBc/Hz@1MHz,抵消频率为1 MHz。杂散信号功率低于低于-58 dBc。相比其他先进的合成器,提出合成器的工作电流为5.13 mA,功耗仅为6.23mW。 相似文献
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针对大功率变频电源高功率密度的要求,提出了一种新型叠层功率母线。这种功率母线采用5层式叠层功率母线技术,运用这种新型功率母线可有效地减小功率母线寄生电感,降低功率模块开关过程中产生的尖峰电压和功率母线对电源系统空间的电磁干扰,同时可以增加伴生电容,有利于提高高频时的电容容量,减小电压纹波。通过新型功率母线的应用,母线寄生电感降至40 nH左右,采用0.47μF的吸收电容,就可以获得较好的吸收效果,简化了吸收电路。 相似文献
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国内在高压电力电缆故障方面仍缺乏较成熟的测寻方法,文章通过对高压电力电缆故障成因及类型的分析,着重从低压脉冲反射法、直流高压闪络法、冲闪法等方面阐述了电力电缆故障的距离检测方法,并就冲击放电声测法与声磁同步法的故障定点检测作了深入探讨. 相似文献
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报道了910 nm高峰值功率垂直腔面发射半导体激光器列阵(Vertical Cavity Surface Emitting Laser,VCSEL)的设计方法及测试结果.所制备的910 nm VCSEL列阵在准连续工作时激光功率达到2 W;在重复频率10 kHz,脉冲宽度30 ns,工作电流60 A的电脉冲驱动条件下,VCSEL列阵峰值输出功率达到25.5 W.随着工作电流的增加,VCSEL列阵输出的激光光谱呈现明显办展宽现象,证实VCSEL列阵即使在窄脉冲工作时大的电流驱动仍然会产生严重的内部热效应;VCSEL列阵输出激光的光脉冲波形在驱动电流增大至60 A时脉宽仅展宽了6 ns左右,证实VCSEL阵列具有非常优越的脉冲响应特性.对VCSEL列阵进行光束准直处理后,在1 m距离处得到了近圆形的均匀光斑.我们相信这种高功率的910 nm面阵光源在未来汽车光探测测距(LiDAR)等智能驾驶领域具有很大的应用潜力. 相似文献
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A high power density monolithic power amplifier operated at Ku band is presented utilizing a 0.3μm AlGaN/GaN HEMT production process on a 2-inch diameter semi-insulating(SI) 4H-SiC substrate by MOCVD. Over the 12-14 GHz frequency range,the single chip amplifier demonstrates a maximum power of 38 dBm(6.3 W), a peak power added efficiency(PAE) of 24.2%and linear gain of 6.4 to 7.5 dB under a 10%duty pulse condition when operated at Vds = 25 V and Vgs = -4 V.At these power levels,the amplifier exhibits a power density in excess of 5 W/mm. 相似文献