AI/W/TiN/AI及AI/W/TiW/AI结构特性研究

本文研究了H_2还原WF_6在α-Si/TiN/Al和TiW/Al衬底上LPCVD生长钨膜的特性。测量和分析了Al/W/TiN/Al和Al/W/TiW/Al结构的接触电阻和界面特性,研究了两种结构的热稳定性。结果表明,H_2还原WF_6可以在α-Si/TiN/Al和TiW/Al衬底上实现选择性钨淀积,钨膜质量较好。Al/W/TiN/Al和Al/W/TiW/Al结构接触电阻率为10~(-?)Ωcm~2量级,远低于难熔金属硅化物同硅的欧姆接触电阻率。两种结构的热稳定性良好。采用TiN或TiW作为Al和W之间的隔离层,CVD-W填充互连层连通孔可以满足多层金属平坦化互连技术的要求。     

TiO2/n-Si/p-Si及n-PS/p-PS/Si的光伏特性

在抛光的p型单晶硅上通过扩散工艺制备pn结,采用此种硅片利用阳极腐蚀法制备多孔硅(PS).用磁控溅射镀膜机在有pn结的单晶硅表面镀上一层TiO2纳米结构薄膜,并用表面光电压谱(SPS)研究了n-PS/p-PS/Si和TiO2/n-Si/p-Si的表面光伏特性.结果表明TiO2/n-Si/p-Si和n-PS/p-PS/Si的光伏效应比n-Si/p-Si在不同程度上有所提高.在300～600 ℃热处理温度范围内TiO2/n-Si/p-Si的光伏效应随温度的升高而增强,600～800 ℃范围内随温度的升高而降低.     

InAs/AlSb异质结的Pd/Ti/Pt/Au合金化欧姆接触

为了得到较低的接触电阻, 研究了帽层未掺杂的InAs/AlSb异质结的Pd/Ti/Pt/Au合金化欧姆接触.利用传输线模型 (TLM) 测量了接触电阻Rc.在最佳的快速热退火条件为275℃和20s时, InAs/AlSb异质结的Pd/Ti/Pt/Au接触电阻值为0.128Ω·mm.TEM观察发现经过快速热退火后Pd已经扩散到半导体中有利于高质量欧姆接触的形成.研究表明经过Pd/Ti/Pt/Au合金化欧姆接触后Rc有明显减小, 适用于InAs/AlSb异质结的应用.     

不同退火氛围对TiN/HfO2/SiO2/Si结构电荷分布的影响

热退火技术是集成电路制造过程中用来改善材料性能的重要手段。系统分析了两种不同的退火条件(氨气氛围和氧气氛围)对TiN/HfO₂/SiO₂/Si结构中电荷分布的影响,给出了不同退火条件下SiO₂/Si和HfO₂/SiO₂界面的界面电荷密度、HfO₂的体电荷密度以及HfO₂/SiO₂界面的界面偶极子的数值。研究结果表明,在氨气和氧气氛围中退火会使HfO₂/SiO₂界面的界面电荷密度减小、界面偶极子增加,而SiO₂/Si界面的界面电荷密度几乎不受退火影响。最后研究了不同退火氛围对电容平带电压的影响,发现两种不同的退火条件都会导致TiN/HfO₂/SiO₂/Si电容结构平带电压的正向漂移,基于退火对其电荷分布的影响研究,此正向漂移主要来源于退火导致的HfO₂/SiO₂界面的界面偶极子的增加。     

不同电解质对LiNi1/3Co1/3Mn1/3O2/AC超级电容器性能的影响

在以LiNi1/3Co1/3Mn1/3O2为正极,活性炭(AC)为负极的混合型锂离子超级电容器体系中,研究以LiBF4和Et4NBF4的不同配比混合为溶质的乙腈(Acetonitrile,AN)电解液对超级电容器性能的影响。结果表明,随着电解液中Et4NBF4与LiBF4的比值的增大,LiNi1/3Co1/3Mn1/3O2/AC体系超级电容器的线性放电区间逐渐变窄,循环性能逐渐变差。其中采用1 mol/L的LiBF4/AN为电解液的超级电容器的综合性能较好,其线性放电区间为0~2.7 V,倍率性能也较好,最大比功率达到23 600 W/kg,经3 000次循环后容量保持率为93.2%。     

Ti3C2/N-TiO2复合材料的制备及吸附/光催化去除污染物性能

首先利用煅烧TiN制备了N-TiO₂,并采用HF溶液腐蚀Ti₃AlC₂合成了Ti₃C₂,然后将两者以不同质量比值进行混合,通过超声法构建了一系列Ti₃C₂/N-TiO₂复合材料。采用X射线衍射仪、透射电子显微镜、X射线光电子能谱仪、紫外-可见分光光度计等多种表征手段对样品的物相、形貌和组成进行了分析。以罗丹明B水溶液为模拟污染物,研究了样品对污染物的吸附性能和光催化降解性能。结果表明,6%Ti₃C₂/N-TiO₂复合材料显示出最好的污染物吸附性能和可见光光催化降解性能,其光催化降解污染物效率分别是10%Ti₃C₂/N-TiO₂、2%Ti₃C₂/N-TiO₂和N-TiO₂的1.2、1.4和1.9倍。...     

MAX641/642/643升压型DC/DC变换器

1AX641/642/643简介MAX641/642/643是美国MAXIM公司生产的升压型DC -DC变换器 ,它具有较宽的输入/输出范围 ,其中输入电压范围为3～12V ,输出电压范围为5～50V ;工作温度范围为 -55～125℃ ;在输出电压方面 ,该系列产品具有5、12、15V等多种输出可供用户任意选择。MAX641/642/643系列DC -DC的功耗电流小于135μA ,而同时其转换效率却高达80 %。当MAX641/642/643单独构成DC/DC变换器时 ,其输出功率为5mW ,如果外加MOSFET功率开关管 ,其输出功率可扩展到10W。MAX641/642/643具有DIP8和SO8两种封装形式 ,其内部原理框图如…     

Ta/Ta2O5/Cu结构制备及应用性能研究

介绍了以Ta/Ta₂O₅/Cu为结构的平板MIM电容器的制备方法和性能测试,探究金属Cu直接作为钽电解电容器阴极层的可行性。通过阳极氧化法在钽箔表面制备非晶态的Ta₂O₅薄膜,以化学镀铜、磁控溅射镀铜两种镀铜工艺制备Ta/Ta₂O₅/Cu结构,并对所得结构进行结构表征和性能测试。实验结果表明：不同镀铜方式制备的Ta/Ta₂O₅/Cu结构在电学性能测试过程中都没有表现出电容特性,正负极之间的电阻仅有0.7Ω;以金属Cu直接作为钽电容器的阴极层会导致金属铜在测试过程中被氧化成铜离子从而进入Ta₂O₅介质层中,进而导致Ta₂O₅的击穿,因此金属铜不适合直接作为钽电容的阴极层。     

InAs/AlSb异质结的Pd/Ti/Pt/Au合金化欧姆接触（英文）

为了得到较低的接触电阻,研究了帽层未掺杂的InAs/AlSb异质结的Pd/Ti/Pt/Au合金化欧姆接触.利用传输线模型(TLM)测量了接触电阻Rc.在最佳的快速热退火条件为275℃和20s时,InAs/AlSb异质结的Pd/Ti/Pt/Au接触电阻值为0.128Ω·mm.TEM观察发现经过快速热退火后Pd已经扩散到半导体中有利于高质量欧姆接触的形成.研究表明经过Pd/Ti/Pt/Au合金化欧姆接触后Rc有明显减小,适用于InAs/AlSb异质结的应用.     

433/868/915MHz FSK/ASK/OOK无线收发器RF2945

RF2945是RFMicroDevices公司生产的一种单片射频收发芯片,利用该芯片可在433/868/915MHzISM频段进行FSK/ASK/OOK调制和解调。由于RF2945射频收发芯片内含射频发射、射频接收、PLL合成和FSK调制/解调等电路,因而可用于接收和发送数字信号。文中介绍了RF2945的结构原理和主要特性 ,同时给出了RF2945收发器的典型应用电路和使用注意事项     

SOS/CMOS和BO/CMOS介绍

前言 Ⅰ. 　SOS/CMOS介绍 一、S0S/CMOS的优点 二、SOS/CMOS的制造工艺 三、SOS/CMOS的缺点 四、SOS/CMOS的现状和展望 Ⅱ. BO/CMOS介绍 一、何谓BO/MOS 二、BO/MOS制造工艺 1、m沟增强型Si栅、BO/MOS制造程序 2、BO/MOS的关键工艺及解决办法 a. 单晶一多晶硅同步淀积问题. b. F离子注入的作用。     

Ti/Al/Ti/Au与AlGaN欧姆接触特性

研究了溅射Ti/Al/Ti/Au四层复合金属与AlGaN/GaN的欧姆接触特性,并就环境温度对欧姆接触特性的影响进行了分析研究.试验证实:溅射的Ti/Al/Ti/Au与载流子浓度为2.24×1018cm-3的AlGaN之间在室温下无需退火即可形成欧姆接触.随快速退火温度的升高接触电阻降低.快速退火时间30s已可实现该温度下最佳欧姆接触.当工作温度不高于300℃时接触电阻几乎不受温度的影响.     

环Z2m上一类常循环码的挠码及其应用

该文研究了环Z_2^m上任意长的（1+2λ）-常循环码的挠码及其应用.首先,给出环Z_2^m上（1+2λ）-常循环码的挠码.然后,利用挠码得到环Z_2^m上某些（1+2λ）-常循环码的齐次距离分布.同时,利用挠码证明了环Z_2^m上（2^m－1－1）-常循环自对偶码都是类型I码,并利用这类码构造了极优的类型I码.     

CH3NH3PbI3和CH3NH3MnI3的电子结构和光学性质研究

采用第一性原理计算,研究了有机金属卤化物钙钛矿CH₃NH₃PbI₃和CH₃NH₃MnI₃的电子结构、磁性和光吸收。CH₃NH₃PbI₃和CH₃NH₃MnI₃都是具有直接带隙半导体,CH₃NH₃MnI₃磁基态为G型反铁磁序(G-AFM)。CH₃NH₃MnI₃在G-AFM状态下的带隙值为1.668 eV;当系统处于FM态时,多数自旋通道的带隙为0.696 eV,少数自旋通道的带隙为2.148 eV。结果表明,具有FM态的CH₃NH₃MnI₃的光激发电子将迅速熔化局域磁序。最后计算了CH₃NH₃PbI₃和CH₃NH₃MnI₃的光学特性,结果表明具有铁磁态的CH₃NH₃MnI₃(FM)表现出较强的红外光吸收。     

LCD/PDP/OLED的综合比较

分析比较FPD行业最具代表性的LCD/PDP/OLED的类型、用途、基本原材料和显示原理,并整理列出LCD/PDP/OLED的中国和世界主要厂商,最后就当前LCD/PDP/OLED发展的市场热点进行叙述.     

易回收型Ag/BiOCl/Bi2O3/CNF异质结光催化剂的制备及降解性能研究

针对传统粉体光催化剂难以回收的问题,以电纺碳纤维(CNF)为基底,通过两步溶剂热法和光还原反应,制备了Ag/BiOCl/Bi₂O₃/CNF异质结光催化剂。BiOCl/Bi₂O₃异质结可有效提升光生载流子的分离能力,Ag修饰增强了电荷传输,使复合光催化剂对有机污染物的降解性能大幅提升。通过吸附-降解协同作用,Ag/BiOCl/Bi₂O₃/CNF对10 mg·L^-1罗丹明B (RhB)经光照120 min后的移除率高达91.1%,对20 mg·L^-1盐酸四环素(TCH)经光照160 min后的移除率达85.3%。Ag/BiOCl/Bi₂O₃/CNF不仅可快速处理有机污染物,还具有循环稳定、便捷回收的特点,可克服现有粉体光催化剂难以重复利用的缺点,具有实际应用潜力。     

Cr/Cu/Al/Cr薄膜电极的防氧化性能

采用Al作为Cu导电层的主要防氧化保护层,在普通浮法玻璃上利用磁控溅射和湿法刻蚀技术制备Cr/Cu/Al/Cr复合薄膜及其电极,研究不同的热处理温度对复合薄膜及其电极的结构、表面形貌和导电性能的影响。由于有Al层作为保护层,在热处理过程中,Al先与穿过Cr保护层的氧进行反应,从而可以更有效地保护Cu膜层在较高的温度下不被氧化,所制备的薄膜在经过600℃的热处理之后仍然具有较好的导电性能。而对于Cr/Cu/Al/Cr电极,侧面裸露的金属层在热处理过程中的氧化是其导电性能逐渐下降的主要原因,退火温度超过500℃之后,电极侧面裸露部分的氧化范围不断往电极的中间扩散,导致了薄膜电极导电性能显著恶化。虽然如此,Cr/Cu/Al/Cr薄膜电极在430℃附近仍然具有较好的导电性能,电阻率为7.3×10-8Ω.m,符合FED薄膜电极的要求。以此薄膜电极构建FED显示屏,通过发光亮度均匀性的测试验证了Cr/Cu/Al/Cr电极的抗氧化性。     

锂离子电池正极材料Li[Ni1/3Mn1/3Co1/3]O_2的制备与显微结构研究

本文通过正交实验探索了影响Li[Ni_1/3Mn_1/3Co_1/3]O_2材料显微结构和性能的实验因素;利用扫描电子显微镜(SEM)和透射电子显微镜(TEM)对所合成样品的微观形貌和显微结构进行表征。结果表明通过改进制备条件,可以合成颗粒尺寸细小、结构完整、结晶性好的Li[Ni_1/3Mn_1/3Co_1/3]O_2材料,这有助于改善其电化学性能。     

Ti/Al/Ti/Au与AlGaN欧姆接触特性

研究了溅射 Ti/ Al/ Ti/ Au四层复合金属与 Al Ga N / Ga N的欧姆接触特性 ,并就环境温度对欧姆接触特性的影响进行了分析研究 .试验证实 :溅射的 Ti/ Al/ Ti/ Au与载流子浓度为 2 .2 4× 10 1 8cm- 3的 Al Ga N之间在室温下无需退火即可形成欧姆接触 .随快速退火温度的升高接触电阻降低 .快速退火时间 30 s已可实现该温度下最佳欧姆接触 .当工作温度不高于 30 0℃时接触电阻几乎不受温度的影响     

n-GaN表面Ti/Al/Ti/Au电极的电学特性

实验研究了淀积在GaN上的Ti/Al/Ti/Au电极的电学和热学特性,绘制了不同退火温度下的I-V曲线,得到了最低的欧姆接触电阻率(ρs=1.2×10-4 Ω·cm2),并通过X射线衍射谱分析了GaN与Ti/Al/Ti/Au电极接触表面在退火过程中的固相反应.实验结果表明,在Ti/Al表面增加Ti/Au保护层能够保证Al层在高温时不发生球化和氧化,电极更稳定可靠能够进一步提高欧姆接触特性.