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Al2O3添加剂对合成MgTiO3陶瓷相组成及介电性能的影响 总被引:4,自引:0,他引:4
研究了添加剂Al2O3对MgO和TiO2合成MgTiO3陶瓷烧结性、物相组成和微波介电性能的影响,XRD分析结果表明:没有添加Al2O3时,合成的MgTiO3陶瓷中只含有MgTiO3和MgTi2O5相;加入Al2O3后MgTiO3陶瓷中除了MgTiO3和MgTi2O5相外,还出现了MgAl2O4相,这是由于Al2O3和 MgO发生固相反应.MgAl2O4的出现虽然阻碍材料的致密化并导致密度下降,但是可以降低反应烧结合成MgTiO3陶瓷的相对介电常数和介电损耗. 相似文献
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原位反应结合多孔Si3N4陶瓷的制备及其介电性能 总被引:2,自引:0,他引:2
以氮化硅(Si3N4)和氧化铝(Al2O3)为起始原料, 利用原位反应结合技术制备Si3N4多孔陶瓷. 研究烧结温度和保温时间对Si3N4多孔陶瓷的微观结构、力学性能以及介电性能的影响. 结果表明: 烧结温度在1350℃以下, 保温时间<4h时, 随着烧结温度的升高, 保温时间的延长, 样品的强度和介电常数增大; 但条件超出这个范围, 结果刚好相反; 物相分析表明多孔陶瓷主要由Si3N4和Al2O3以及Si3N4氧化生成的SiO2(方石英)组成. 所制备的多孔Si3N4陶瓷的气孔率范围为25.34%~48.86%, 抗弯强度为34.77~127.85MPa, 介电常数为3.0~4.6, 介电损耗约为0.002. 相似文献
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TiN-Al2O3纳米复合材料的力学性能和导电性能 总被引:5,自引:0,他引:5
以纳米TiN和α-Al2O3粉体为原料,采用球磨混合法制备了纳米TiN-Al2O3复合粉体,通过热压烧结得到致密烧结体.研究了纳米TiN颗粒对Al2O3材料力学性能和导电性能的影响,实验结果表明:在Al2O3基体中加入15vol%TiN纳米颗粒时,Al2O3材料的弯曲强度和断裂韧性分别从370MPa和3.4MPa·m1/2提高到690MPa和5.1MPa·m1/2,随着TiN添加量的增加,复合材料的电阻率逐渐降低,在25vol%TiN时达到最低值(6.5×10-3Ω·cm). 相似文献
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Sm2O3掺杂BaTiO3陶瓷的结构与电性能研究 总被引:2,自引:0,他引:2
采用溶胶-凝胶法制备了掺杂不同浓度Sm2O3(分别为0.001,0.002,0.003,0.005,0.007mol)的BaTiO3陶瓷,并对其结构与电性能进行了研究.结果表明:Sm2O3掺杂BaTiO3陶瓷的晶型在室温下为四方相,而且随着Sm2O3掺杂浓度的增加,BaTiO3陶瓷的晶粒尺寸变小,说明Sm2O3掺杂对BaTiO3陶瓷晶粒的生长有一定的抑制作用;Sm2O3掺杂BaTiO3陶瓷的电阻率比纯BaTiO3陶瓷明显下降,当添加量为0.001mol时,电阻率最小,.从4.3×109Ω·m下降为6.536×103Ω·m;Sm2O3掺杂BaTiO3陶瓷的晶粒电阻随着温度的变化,呈现NTC效应,而晶界电阻随着温度的变化,呈现PTC效应,且晶界电阻远远大于晶粒电阻,说明该材料的PTC效应是由晶界效应引起的. 相似文献
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纳米α-Al2O3/W复合粉体的制备 总被引:1,自引:0,他引:1
论述了非均相沉淀法制备纳米α—Al2O3/W复合粉体的实验过程,以及纳米钨粉对α—Al2O3相转变温度的影响.结果表明:纳米钨粉的存在降低了α—Al2O3的相转变温度.本实验所制凝胶在1000℃真空中煅烧1h可获得平均粒径<50nm的α—Al2O3/W粉体. 相似文献
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以铝、B2O3为原料,利用自蔓延高温合成(SHS)制备了Al2O3/AlB12复相陶瓷粉体,研究了燃烧条件对粉体特性的影响.结果发现,经球磨处理后,复相陶瓷粉体中Al2O3的平均粒径为3~4μm,AlB12的粒度为亚微米级.粉体的比表面积为~1m2/g.燃烧过程中B2O3易于挥发,并在合成产物的表层生成B2O3和9Al2O3·2B2O3副产物相.在较低压力的氩气中进行合成,可以减少副产物相,获得纯度较高的复相陶瓷.与实际测量的燃烧温度对比发现,按照化学反应式13Al+6B2O3=6Al2O3+AlB12,通过热力学计算得到的绝热燃烧温度明显偏高. 相似文献
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Ca0.3(Li1/2Sm1/2)0.7TiO3微波介质陶瓷的低温烧结研究 总被引:2,自引:1,他引:1
采用传统陶瓷制备工艺, 制备了掺杂Na2O-CaO-B2O3(NCB)氧化物的Ca0.3(Li1/2Sm1/2)0.7TiO3(CLST)陶瓷, 研究了NCB掺杂量与晶相组成、显微结构、烧结性能及微波介电性能的关系. 研究结果表明: 复合氧化物NCB掺杂量在1wt%~15wt%范围内没有杂相生成, 晶相仍呈斜方钙钛矿结构. 随着NCB添加量的增加, 陶瓷致密化温度和饱和体积密度降低, 介电常数εr、无载品质因数与谐振频率乘积Qf值也呈下降趋势, 频率温度系数τf向正方向增大. NCB氧化物掺杂能有效地将CLST陶瓷的烧结温度由1300℃降低至900℃. 添加12.5wt% NCB的CLST陶瓷在低温900℃烧结5h仍具有良好的微波介电性能: εr=73.7, Qf=1583GHz, τf=140.1×10-6/℃, 满足高介多层微波器件的设计要求. 相似文献
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采用溶胶凝胶法在硅衬底上制备了Al2O3∶Tb3+薄膜; 并采用DTA-TG、XRD、SEM、AFM及光致发光光谱对其进行了一系列表征; 分析了Al2O3∶Tb3+薄膜的发光机理, 探讨了热处理温度和Tb3+掺杂浓度对发光性能的影响规律. 研究结果表明, 采用溶胶凝胶法制备工艺, 制备了高发光强度的Al2O3∶Tb3+薄膜, 薄膜的最佳激发波长为240nm, Tb3+的最佳掺杂浓度为5mol%(Tb2O3/Al2O3=5mol%), 在240nm光激发下, 最强的发射峰出现在544nm附近; 并且制备的Al2O3∶Tb3+薄膜表面致密、平整且无裂纹产生, 表面粗糙度约为1.3nm, 有利于硅基光电子器件的制备和应用. 相似文献
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Na1/2Bi1/2TiO3-BaTiO3系陶瓷压电性及弛豫相变研究 总被引:30,自引:1,他引:29
系统研究了(1-x)Na1/2Bi1/2TiO3-xBaTiO3(x=0.02、0.04、0.06、0.08、0.10)无铅压电陶瓷系统的相界、材料压电性能、驰豫特性及相变。这个系统的陶瓷材料具有Kt/Kp较大,频率常数比较高等特点,X-ray衍射结构分析发现此系统的相界在0.04〈x〈0.06之间;材料的一些主要性能在相界附近达到极值。利用介电系数-温度曲线,并结合热激电流曲线对此系统的驰豫性进 相似文献