Na1/2Bi1/2TiO3-BaTiO3系陶瓷压电性?及弛豫相变研究

系统研究了（１－ｘ）Ｎａ１／２Ｂｉ１／２ＴｉＯ３－ｘＢａＴｉＯ３（ｘ＝０．０２、０．０４、０．０６、０．０８、０．１０）无铅压电陶瓷系统的相界、材料压电性能,弛豫特性及相变．这个系统的陶瓷材料具有Ｋｔ／Ｋｐ较大,频率常数比较高等特点．Ｘ－ｒａｙ衍射结构分析发现此系统的相界在０．０４＜ｘ＜０．０６之间;材料的一些主要性能在相界附近达到极值．利用介电系数－温度曲线,并结合热激电流曲线对此系统的弛豫性进行研究和分析;初步研究了各配方组成的铁电－顺电的相变过程,发现在一定的组成范围内,材料在由铁电相向顺电相的转变过程中经历了一个过渡相区．     

在宽光谱范围内具有强光电响应的全有机复合材料

本文合成了席夫碱化合物2-hydroxynaphthylidene-1′-naphthylamine (HNAN)和硝基改性的HNAN (HNAN-NO₂).这两种化合物在可见光(<650 nm)下显示出强吸光性.我们将这些化合物与Poly(vinylidene fluoride-trifluoroethylene)(P(VDF-Tr FE))铁电聚合物复合,得到了在可见光和红外光下具有高光电响应的复合材料.研究发现,利用HNAN的硝基改性或高电场下对复合材料进行极化可以大大增强复合材料的光电响应.复合材料在近红外光(波长915 nm)下可产生1386 mV的光电压,而在绿光(532 nm)下可产生352.7 mV的光电压.本文还探索了复合材料在绿光下的光电响应的产生机理,发现其响应主要源于席夫碱的光热效应和铁电聚合物的热释电效应之间的耦合作用.该复合材料可作为光电材料应用于下一代人工视网膜的光响应材料,并使人工视网膜能够感知的光波段从可见光扩展到红外光.     

PbZrO3含量对PZN-PZ-PT固溶体弥散性相变的影响

报道了相界附近PZN-PZ-PT三元系固溶体弥散性相变,并研究了PbZrO3含量对PZN-PZ-PT固溶体弥散性相变的影响,发现随着PbZrO3含量的增加,PZN-PZ-PT固溶体弥散程度有所增加.     

Na1/2Bi1/2TiO3-BaTiO3系陶瓷压电性及弛豫相变研究

系统研究了（１－ｘ）Ｎａ１／２Ｂｉ１／２ＴｉＯ３－ｘＢａＴｉＯ３（ｘ＝０．０２、０．０４、０．０６、０．０８、０．１０）无铅压电陶瓷系统的相界、材料压电性能、驰豫特性及相变。这个系统的陶瓷材料具有Ｋｔ／Ｋｐ较大,频率常数比较高等特点,Ｘ－ｒａｙ衍射结构分析发现此系统的相界在０．０４〈ｘ〈０．０６之间;材料的一些主要性能在相界附近达到极值。利用介电系数－温度曲线,并结合热激电流曲线对此系统的驰豫性进     

PbZrO3含量对PZN-PZ-PT因溶体弥散性相变的影响

报道了相界附近ＰＺＮ－ＰＺ－ＰＴ三元系固溶体弥散性相变,并研究了ＰｂＺｒＯ３含量对ＰＺＮ－ＰＺ－ＰＴ固溶体弥散性相变的影响,发现随着ＰｂＺｒＯ３含量的增加,ＰＺＮ－ＰＺ－ＰＴ固溶体弥散程度有所增加。     

PbZrO_3含量对PZN-PZ-PT因溶体弥散性相变的影响

报道了相界附近PZN-PZ－PT三元系固溶体弥散性相变,并研究了PbZrO3含量对PZN－PZ－PT固溶体弥散性相变的影响,发现随着PbZrO3含量的增加,PZN－PZ－PT固溶体弥散程度有所增加．     

电化学蚀刻钽箔制备高容量薄膜钽电解电容器

钽电解电容器具有较高的电容密度和较好的稳定性,将钽电解电容器制作成埋入式电容能够 扩展钽电容的应用。传统钽电容经钽粉压块、烧结、被膜等工艺制作而成,其具有较大的尺寸而不能 被埋入到电路板或者基板内部。该研究探索了电化学蚀刻钽箔的方法来制作钽电解电容阳极并进一步 制作成片状埋入式钽电解电容器。在 0.1 mol/L 稀硫酸水溶液中测试经蚀刻并氧化后的钽箔阳极,得到 最大比电容为 74 nF/mm2。将该钽箔阳极制备成钽电解电容器件,测试结果显示电容器件在 100 Hz～1 MHz 的电容值＞30 nF/mm2;持续施加 10 V 直流电压 1 200 s,其漏电流最大为 2.7×10－6 A,薄膜电容的总厚度约为 75 μm。