| 原位反应结合多孔Si3N4陶瓷的制备及其介电性能 |
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| 引用本文： | 夏咏锋,曾宇平,江东亮.原位反应结合多孔Si3N4陶瓷的制备及其介电性能[J].无机材料学报,2008,23(4). |
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| 作者姓名： | 夏咏锋 曾宇平 江东亮 |
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| 作者单位： | 1. 中国科学院上海硅酸盐研究所,上海200050;中国科学院研究生院,北京100049
2. 中国科学院上海硅酸盐研究所,上海,200050 |
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| 摘 要： | 以氮化硅(Si3N4)和氧化铝(Al2O3)为起始原料,利用原位反应结合技术制备Si3N4多孔陶瓷.研究烧结温度和保温时间对Si3N4多孔陶瓷的微观结构、力学性能以及介电性能的影响.结果表明:烧结温度在1350°C以下,保温时间4h时,随着烧结温度的升高,保温时间的延长,样品的强度和介电常数增大;但条件超出这个范围,结果刚好相反;物相分析表明多孔陶瓷主要由Si3N4和Al2O3以及Si3N4氧化牛成的SiO2(方石英)组成.所制备的多孔Si3N4陶瓷的气孔率范围为25.34%～048.86%,抗弯强度为34.77～127.85MPa,介电常数为3.0～4.6,介电损耗约为0.002.
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| 关 键 词： | Si3N4多孔陶瓷 介电性能 反应结合 气孔率 反应结合 多孔陶瓷 介电性能 Ceramics Porous In Situ Reaction Dielectric Properties 介电损耗 抗弯强度 气孔率 组成 方石英 氧化 分析表 范围 条件 介电常数 样品 延长 结果 |
Preparation and Dielectric Properties of In Situ Reaction Bonded Porous Si3N4 Ceramics |
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| XIA Yong-Feng,ZENG Yu-Ping,JIANG Dong-Liang.Preparation and Dielectric Properties of In Situ Reaction Bonded Porous Si3N4 Ceramics[J].Journal of Inorganic Materials,2008,23(4). |
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| Authors: | XIA Yong-Feng ZENG Yu-Ping JIANG Dong-Liang |
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