氧分压影响SnO_2气敏传感器响应的机理

本文报道了一种SnO_2气敏传感器敏感机理的新模型。SnO_2晶粒表面势垒由3个过程控制:(1)氧吸附(作电子受主)和脱附,(2)还原性气体吸附(作电子施主)和脱附,(3)表面氧化还原反应。据此可以很好地解释实验中发现的氧分压对气敏传感器响应的影响。     

氧分压影响SnO2气敏传感器响应的机理

本文报道了一种ＳｎＯ２气敏传感器感机理的新模型。ＳｎＯ２晶粒表面势垒由３个过程控制：（１）氧吸附（作电子受主）和脱附，（２）还原性气体附（作电子施主）和脱附，（３）表面氧化还原反应。据此可以很好地解释实验中发现的氧化压对气敏传感器响应的影响。     

Pd掺杂SnO2气敏薄膜XPS分析及其气敏性能研究

分别在氧气和氩气气氛下,于纯SnO<,2>气敏薄膜上溅射金属Pd制备了Pd掺杂SnO<,2>,气敏薄膜.利用XPS分析了溅射气氛和老化处理对该气敏薄膜表面元素含量变化的影响.结果表明:溅射气氛和老化处理对气敏薄膜的表面吸附氧含量和其他元素的含量均有很大影响,如氩气气氛下制备的Pd/SnO<,2>气敏薄膜在老化前与400...     

SrTiO3氧气传感器的贵金属催化特性研究

对于SrTiO3氧气传感器,氧离子在材料表面的吸附控制着材料表面电导率的变化,所以吸附和脱附速率决定氧敏材料的响应时间.研究表明,贵金属作为表面催化剂,可加快气体分子的吸附和脱附速率,提高气敏元件的响应特性.该文在SrTiO3的n型掺杂基础上,加入贵金属Pd作为表面催化剂.实验结果表明,以Pd作为催化剂的样品,其响应时间缩短,接近气体传感器的实用要求.     

α-Fe2O3薄膜的制备、结构和气敏特性

采用等离子增强化学气相淀积工艺(PECVD)制备出了Fe₂O₃薄膜。用X射线衍射(XRD)和扫描电子显微镜(SEM)分析了薄膜的结构、表面形貌和粒度。研究了薄膜对乙醇、液化石油气、煤气和氢气的敏感特性。结果表明所研制的薄膜对乙醇有较高灵敏度,其检测下限可达1ppm,而对液化石油气、煤气和氢气不太敏感,具有优良的选择性。     

TiO2陶瓷晶界层电容器的研究

本文对TiO₂陶瓷晶界层电容器进行了较为系统的研究。用液相喷雾干燥法制备含Nb⁵⁺,Ba²⁺微量杂质的TiO₂超细原料粉末,研究了TiO₂陶瓷的电性能与烧结温度和测试条件的关系,阐述了TiO₂晶界层电容器的形成机制。     

模拟电路故障诊断L1估计及其神经网络解法

基于精确罚函数法,提出了新的求解L₁范致问题最优解的神经网络方法,它避免了Kennedy和Chua(1988)网络罚因子较大时性态变坏问题。对Bandler(1982)提出的模拟电路故障诊断L₁范数法进行了改进,将线性约束L₁问题转化为非线性约束L₁问题,并用新的神经网络方法求解,计算量小。模拟实验表明,所提神经网络方法和改进的模拟电路故障诊断L₁范数方法是可行的。     

确定BBOS对称序列左右界顶点子集的一个通项公式

根据本文作者之一(1991)提出的S_BOS相邻逻辑对称序列的性质,给出确定S_BOS对称序列左右界两顶点子集的一个通项公式。这对于利用“对跳定界搜索”法快速实现S_BOS对称序列,提供了一个选择定界范围和实用算法的依据。     

封闭循环TEA CO2激光器用催化剂的实验研究

在不同的催化剂和不同温度的条件下,用磁氧分析仪监测了封离型TEA C0₂激光器中O₂含量随时间或脉冲次数的变化。对实验现象进行了分析。对几种催化剂的特性给出了详细的比较。     

掺杂纳米SnO2气敏传感器的研究进展

介绍了半导体气敏传感器的发展历史和掺杂纳米SnO2气敏传感器的特性与应用;详细分析了掺杂金属单质、金属氧化物和稀土元素对SnO2气敏性的影响,通过掺杂可以显著改善其对特定气体的灵敏度、稳定性和选择性等参数;利用元件表面的氧吸附理论分析掺杂纳米SnO2的气敏机理;展望了SnO2气敏传感器的发展前景.     

BF2+注入多晶硅栅的SIMS分析

文本采用SIMS技术,分析了BF₂⁺注入多晶硅栅退火前后F原子在多晶硅和SiO₂中的迁移特性。结果表明,80keV,2×10¹⁵和5×10¹⁵cm^-2 BF₂⁺注入多晶硅栅经过900℃,30min退火后,部分F原子已扩散到SiO₂中。F在多晶硅和SiO₂中的迁移行为呈现不规则的特性,这归因于损伤缺陷和键缺陷对F原子的富集作用。     

集成运算放大器同相和反相形式的En-In噪声分析和比较

本文通过分析和比较同相和反相放大器E_n-I_n噪声的特点,给出了若干新结果。本文方法在低噪声运放电路设计和运放噪声参数提取中都具有十分重要的意义。     

新型热释电材料及其在高性能红外探测器中的应用

采用改进的Bridgman法生长出了大尺寸高质量的Pb(Mg_1/3Nb_2/3)O₃-PbTiO₃(PMNT)单晶,并发现了PMNT单晶具有非常大的热释电响应。为探索高性能的热释电材料,提高现有红外探测器的性能,对PMN-PT的热释电性能、及其在红外探测器中的应用进行了系统的研究。研究表明：PMNT单晶具有优异的热释电性能,其综合性能优于传统的热释电材料。用PMNT单晶制备出了的红外探测器,电压响应率和比探测率分别为Rv = 211 V/W,D* = 1.06×108 cm·Hz^1/2·W^-1,器件性能能够基本满足使用要求,同时也表明PMNT单晶有望在高性能的红外探测及成像器件中得到实际应用。     

EBCMOS钝化层表面残气吸附特性

基于密度泛函理论，研究了电子轰击互补金属氧化物半导体(EBCMOS)钝化层表面的残气吸附机制，并分析其电学特性。结果表明，以Al₂O₃钝化层为例，真空腔内残余气体H₂在Al₂O₃不同表面的吸附为物理吸附，在(001)面的吸附距离最大，吸附强度最低，电荷转移最少。对比CO,N₂,CO₂,H₂O等残余气体分子在(001)表面的吸附结果发现，(001)面对残气分子的吸附均为物理吸附，(001)面相比于其他表面，对残余气体分子有更好的抑制作用，所生成钝化层能提高EBCMOS器件电子倍增层的电荷收集效率。研究结果对研制寿命长而稳定的EBCMOS器件具有理论指导意义。     

Hydrogen Gas Sensing Based on SnO<Subscript>2</Subscript> Nanostructure Prepared by Sol–Gel Spin Coating Method

A novel H₂ gas sensor based on a SnO₂ nanostructure was operated at room temperature (RT) (25°C). The SnO₂ nanostructure was grown on Al₂O₃ substrates by a sol–gel spin coating method. The structural characteristics, surface morphology, and gas sensing properties of the SnO₂ nanostructure were investigated. Thin film annealing at 500°C produced a high-quality SnO₂ nanostructure with a crystallite size of 33.98 nm. A metal–semiconductor–metal gas sensor was fabricated using the SnO₂ nanostructure and palladium metal. The gas sensor exhibited a sensitivity of 2570% to 1000 ppm H₂ gas at RT. The sensing measurements for H₂ gas at different temperatures (RT to 125°C) were repeatable?for 50 min. Sensor sensitivity was tested under different H₂ concentrations (150 ppm, 250 ppm, 375 ppm, 500 ppm, and 1000 ppm) at different operating temperatures. Adding glycerin to the sol solution increased the porosity of the SnO₂ nanostructure surface, which increased the adsorption/desorption of gas molecules which leads to the high sensitivity of the sensor. Therefore, this H₂ gas sensor is a suitable?portable?RT gas sensor.