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DDS和DRFM的输出频谱分析 总被引:2,自引:0,他引:2
论述DDS和幅度量化DRFM(单信号输入)的一致性,建立了统一的数学模型,给出了频谱计算方法,指出如下重要特性:最大谐波相对电平不超过-9r~-6rdB,其中r是幅度量化比特数;总谐波相对电平不超过(-6r-1.7)~-(6γ 1.5)dB。 相似文献
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本文介绍I/Q通道误差自动校正的实现方法。校正网络由组合逻辑组成,可以校正同相支路和正交支路的幅相误差和直流偏移。校正系数由DSP根据相参测试信号算出。当幅度误差为0.1dB,相位误差为5°时,产生的相对镜像电平为-27dB。经过误差自动校正后,相对镜像电平下降到-52dB。 相似文献
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中国光纤通信研究的进展杨邦湘表1三次群光通信系统主要性能比较南京富士通DDL-E34M4801.3PF-LD≥-3Ge-APD≤-38.5(10-11)≥35.5≥20上海爱梯恩梯8TR6835B6B41241.6480无1.3SMLD-1.5PIN... 相似文献
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介绍了一种新型的高性能雷达频率综合器的制作方法,即采用声表面波技术制作高性能的雷达频综器。采用这种方法成功地制造了L波段、S波段、C波段超低相位噪声超高速频率综合器。该类频综输出信号具有极低相位噪声(1.6GHz处:单边带相位噪声Lm(1kHz)=-127dBc/Hz;3.4GHz处:Lm(1kHz=-122dBc/Hz;6.8GHz处:Lm(1kHz)=-116dBc(Hz)、极短的频率切换时间(约160ns)、低杂波电平(L波段为-70dB;S波段为-65dB;C波段为-60dB)、较多频点(51点)等多项优异性能。同时,该频综通过了各项环境试验的考核,且长期工作性能稳定。 相似文献
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MD110程控交换机与载波电路接口电平测试调整方法(下)魏民二、测试与调整接口电平的方法1.发送支路接口电平的测试和调整由于发送支路的接口电平调整是以MD110交换机TLU49板发送2600Hz线路测试信号,在载波机“四线发”点测量电平-32.5dB... 相似文献
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(上接第10期)附录A技术指标Commander6调制器技术指标视频标准标准基带输入电平范围0.5~2.0VP-P,用于87.5%调制度编码视频输入电平1.0VP-P,额定87.5%调制度视频输入阻抗75Ω标称视频输入回传损耗30dB最小R系数2T脉冲 3%最大S/N比率60dB最小频率响应±0.75dB最大→5.0MHz微分增益±0.35dB在87.5%调制度微分相位3%P-P最大斜率/线路时间失真1.0%最大 音频标准输入电平范围-10~+10dBm输入阻抗600Ω平衡频率响应±1.0dB… 相似文献
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(Na1/2Bi1/2)TiO3—SrTiO3无铅压电陶瓷的介电,压电性能 总被引:17,自引:2,他引:15
研究了(Na1/2Bi1/2)TiO3-SrTiO3二元系无铅压电陶瓷的介电、压电性性。Sr^2+的引入对NBT材料的常温介电系数、铁电相与反铁电相转变温度TFA(180℃)以及居里温度TC(300℃)的影响都不大,但却较大幅度地降低了NBT材料的高顽场,从而使极化相对容易。(Na1/2Bi1/2)TiO-SrTiO3二元系的压电性能参数d33和kt分别达到100pC/N和0.45。 相似文献
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假设老化是从亚稳态到稳态的变化,利用反应动力学理论对Sol-Gel法制备的CoMnNiMgO热敏元件的老化特性进行了研究,推导出老化公式△R/Ro=Σri[1-exp(-t/τi)]其中:τi=τoiexp(Ei/kT))。结果表明理论与实验能很好地一致,对于本文所研究的热敏元件,符合公式AR/Ro=r1[1-exp(-t/τ1)]+r2[1-exp(-t/τ2)],该式中:,r1=11.767×10-3;r2=20.6735×10-3;τ1=6.4578×10-3exp(6190.89/T);τ2=1.0461×10-6exp(8ll6.24/T)。 相似文献
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Cs2NaYX6(X=Cl,Br)中Cr^3+的d—d电子光谱和EPRg因子的研究 总被引:1,自引:0,他引:1
用双自旋-轨道耦合模型研究了Cs2NaYX6(X=Cl,Br);Cr^3+的EPRg因子,计算表明,配体Br4p轨道对络离子(CrBr6)^3-EPRg因卫的贡献不应忽略。解释了Cs2NaYBr6:Cr^3+的g因子移动为正值的疑惑。 相似文献
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高Q微波介质谐振器材料D_5的研究 总被引:2,自引:0,他引:2
研制出新型D5微波介质谐振器材料。该材料为ABO3型钙钛矿化合物。化学组成式为Ba(Zrx,Zny,Taz)On(式中x+y+z=1,n为任意)。该材料具有稳定的工艺特性和良好的微波性能。10GHz下,无载Q值Q0=9000,相对介电常数εr=30,谐振频率温度系数τf(10-6℃-1)在0附近可调。该材料的出现为X波段乃至Ku波段微波介质谐振器的应用提供了一种良好的可供选择的材料。 相似文献
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利用AFM对在(100)和与(100)有6°切偏角的SrTiO3基片上用射频溅射方法制备的高温超导Bi2Sr1.6La0.4CuO6+δ(Bi2201)薄膜的生长模式进行了系统地研究。对应以上两类不同切割的基片,实验观察到两种不同的薄膜生长模式。对切偏角小于0.4°的(100)SrTiO3基片,本征的生长模式是梯田岛模式(Volmer-Weber模式),每层的厚度为c/2(1.25nm);在切偏角为6°的衬底上沉积的Bi2201薄膜则以台阶流模式(Step-flowmode)生长。Bi系高温超导体的本征的二维特性决定了薄膜的生长模式。 相似文献
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