高功率GaAlAs窗口式激光器

在GaAlAs二极管激光器上加上无吸收表面,可以增加输出功率和器件寿命。半导体二极管激光器通常被认为是一种低功率器件,典型的商品化器件连续输出功率只有几个毫瓦。对于光纤通讯来说,这种功率水平是合适的。但对其它的很多应用,如远距离的自由空间通讯及泵浦Nd:YAG激光器,则需要50mW以上的输出功率。较高的功率还有利于光学存贮和光学印刷技术,在这种技术中,书写速度与激光器的输出功率成正比。     

实用化AlGaAs/GaAs双异质结激光器

AlGaAs/GaAs双异质结激光器是光纤通信系统中的主要光源之一,它的万小时工作寿命的可信度是其主要关键指标。为此,国家科委和中国科学院给上海光机所下达了“实用化AlGaAs/GaAs双异质结激光器”的攻关任务,其中主要指标为万小时器件寿命的可信度达到85～90％。     

AlGaAs-GaAs DH激光器退化特性及P-I特性

研究了质子轰击条形双异质结构(DH)激光器的退化特性及P-I 特性,发现一般快退化器件 CW工作寿命小于 200小时.损坏后用 EBIC方法观察到有源区中增殖着暗线缺陷. DH激光器CW工作寿命超过200小时,而且每千小时的退化率小于4％的器件,一般cw工作寿命都能超过5000小时,有的器件已超过8000小时***仍在继续工作. 大部分器件具有良好的线性P-I特性,也有的观察到出现扭折“Kink”,结合近场观测和发射光谱的研究,判定这是由于激光器有源区中Al含量(即x值)的不均匀分布所致.     

He-Ne激光器布氏窗的玻璃粉封接

He-Ne激光器是一种使用方便,用途很广的激光器件。目前国内生产的这类器件在质量上都存在一定的问题,特别是寿命较短,一般只有数千小时。而国外同类产品的寿命一般都有一万小时,甚至有连续运转几年的长寿命激光器,相比之下差距较大。影响He-Ne激光器寿命的因素很多,主要有:因玻璃与玻璃烧接、玻璃-金属封接(玻珠)的工艺不完善和钨杆内在的或加工过程中产生的隙纹而引起的微漏,使用密封性能不良的环氧胶而引起的慢性漏气和释放杂质气体;     

长寿命GaAlAs/GaAs DH激光器筛选规范的建立和可信度试验

在对半导体激光器均匀退化模式分析的基础上,建立了筛选规范,并进行了可信度试验。提出的方法可用来预期器件寿命,估计激光器参数对寿命的影响。按规范筛选出来的器件,其中85％以上能连续工作超过万小时,其平均退化率为1.6％/千小时,均方偏差1.0。     

小功率氩离子激光器

氩离子激光器是可见光范围内连续输出最强的一种激光器,它输出蓝绿光,可运用于农业有种、医疗、通信、全息照相、泵浦染料激光、同位素分离、彩色电视等方面,随着激光技术的发展,对它的需要也日益迫切目前国内生产的氩离子激光器主要是外腔式石英管壳分段石墨结构的,均附有充气装置,单次充气寿命往往只有几十小时,乃至几百小时,若设有自动充气装置,寿命约一千小时左右.这种器件成本高,工艺复杂,在我国能生产和试制的单位也为数不多.     

GaAs/GaAlAs双异质结激光器退化的研究(摘要)

我们观察了室温下工作的DH激光器的退化现象,发现在短时间内退化的器件除阈值升高外尚伴随着微分量子效率的下降。这些器件中观察到了暗线缺陷的形成。还有一些较快退化的器件则只有阈值的上升,而量子效率基本上不变。观察到这些器件中往往出现腔面的损伤。对热稳定性良好并于较长时间(>250小时)阈值上升率(△J_(th)/J_(th)千小时)小于3%的器件,高温老化证明它们的寿命都能超过万小时量级。     

氦—氖激光器寿命超过1万小时

氦-氖激光器是应用最广泛的激光器件,但目前器件寿命一般在3000小时左右。为了提高器件寿命,我们分析了目前商用器件寿命低的主要原因,结果表明:1.漏气放电颜色为紫色,这主要是空气中的氮气放电颜色。漏气的原因主要是电极钨杆有裂     

补偿式长寿命CO_2激光器的研究

封离式CO_2激光器的长寿命运转受到CO_2离介损耗的限制,本文基于碱土金属碳酸盐分介CO_2的化学平衡原理,采用碳酸钙为CO_2补充源 补偿激光器寿命期间CO_2的离介损耗。对碳酸盐的平衡压强,激光器输出特性等作了实验研究。获得了稳定的长寿命运转,器件已连续运转2500小时,输出功率下降16％。     

室温连续工作大于1000小时的GaAlAs激光器

国际上把半导体激光器用作光纤通讯系统的发射源,是从这种器件室温连续工作1000小时以上开始的。为了使我们研制的这种器件能用于光纤通讯系统,我们曾对这一器件的机理作过一番研究,首先是液相外延技术作了一定的改进,收到一定的效果,使我们研制的GaAlAs双异质结激光     

5000小时室温连续激射GaAs/AlGaAs双异质结激光器

一、引言 半导体激光器采用双异质结构(DH),对有源层内的注入载流子及辐射光场进行限域,使得阈电流密度迅速下降为～1×10~3安培/厘米~2,1970年实现了室温连续激射。双异质结激光器是光纤通讯和精密测距的较理想光源,但急待解决稳定性和可靠性问题。自从对DH激光器退化机理有了比较清楚了解之后,激光器寿命基本上每年提高半个至一个数量级。到1976年美国Bell公司通过升温加速老化试验推断激光器寿命可望达到100万小时。也已采用多种方式制作各     

用低溅射锆代替铝作He-Ne激光器的阴极

为了延长He-Ne激光器的寿命,美国无线电公司正用锆阴极代替铝阴极。不管运转多少小时,公司也担保某些He-Ne管的寿命为一年,比以前用的器件输出高且价格低。     

激光在计量中的应用

十二年前提出了受激辐射理论,第一台激光器实现之后已经有了十个年头,出现了能量转换效率超过3终的固体激光器和寿命达5000小时以上的气体激光器等器件,为推广激光的应用,在性能和可靠性方面正在大力开展研究工作。     

气体成分及电极材料对封离型CO_2激光器寿命的影响

本文叙述了三个实验的情况,并了作分析。实验1 激光器放电区长500毫米,管壳用95~#玻璃吹制成三套管结构、镜片用环氧树脂密封。用纯银作成筒状同轴电极,电极置于水冷套内。激光管内充以CO_2,N_2,He,Xe混合气体。实验结果,工作寿命只有1000小时。实验2 激光器电极作了改进,其它参数同实验1。激光器工作了5000小时以上,但只有1200小时在寿命线之上。显然激光器工作寿命的提高并不显著。发现寿命短是管壳中N_2消耗的结果。这     

一种内腔封离型玻璃波导CO2激光器的研制

本文介绍一种玻璃波导CO2激光器，该激光器采用薄波导壁及放电管中间回气等结构改进，使工作气压提高到160乇以上，在无氮气的情况下，长160mm的波导激光器连续输出功率不小于600mw。实验数据有良好的重复性。针对腔镜镀金膜过早损坏、限制器件工作寿命问题进行了机理分析，提出一种同轴阳极方法，并配以CO2催化再生技术，使器件工作寿命大于500小时。     

长寿命Al_xGa_(1-x)As-GaAs双异质结激光器

本文报导长寿命连续工作的Al_xGa_(1-x)As-GaAs双异质结激光器结构、特性.升温加速老化实验表明,E_α=0.75±0.05电子伏特.由此推算室温下器件寿命可达8万小时以上.     

大功率半导体激光器的可靠性研究

文中介绍了半导体激光器寿命测试的理论依据,给出寿命测试的数学模型,据此对InGaAsP/GaAs有源区无铝的808nm大功率半导体激光器进行高温恒流加速老化实验,得到器件在高温下的寿命,利用外推公式推算出激光器在室温条件下工作的寿命可超过30000小时。讨论了实验中出现的灾变退化,提出了防止灾变退化的几种方法。     

用热解碳研制长寿命氩离子激光器

氩离子激光器在科研、文教、卫生等领域有着十分广泛的应用。在先进国家，该器件早已商品化，最高输出功率可达40瓦，寿命数千小时。而国内的氩离子激光器与国外相比差距还相当大。     

可见光阶梯衬底内条形半导体激光器

将所设计的新结构半导体激光器──阶梯衬底内条形激光器推进到可见光波段(0.75—0.80μm)。器件直流阈值最低26mA,光功率线性15—20mW,2—4 I_(th)基模工作,4mW工作寿命已超过5000小时。本文还讨论分析了该结构器件可靠性改善的原因。     

光纤通讯用的GaAs—AlGaAs双异质结(DH)激光器的研制

本文报导了一种光纤通讯用的质子轰击条型GaAs—AlGaAs DH激光器。该器件的室温工作寿命已达到10000小时,同时器件的特性可重复,在一个60mm~2面积上的外延晶片上可获得100支以上闽值电流小于120mA的CW工作器件。器件在9.6km无中继34.368Mb/S光纤传输系统中试用显示出响应快、工作稳定的优点。