非晶碳氢薄膜安全抑制网络结构研究

利用完全抑制网络结构（ＦＣＮ）对氢在晶碳（ａ－Ｃ：Ｈ）膜组成进行模拟计算,得出形成质密ａ－Ｃ：Ｈ膜条件是Ｈ、ＳＰ＾２Ｃ和ＳＰＴ＾３Ｃ在其三元相图中应在一个三角形区域内。大量实验数据表明,模拟结果与实验结果相当吻合。在ａ－Ｃ：Ｈ中主要存在氢、四面体碳、乙烯、苯环和双苯等结构,它们相对含量公式理论计算得出。     

致密非晶碳氢薄膜的结构

利用完全抑制网络结构（ＦＣＮ）模拟计算氢化非晶碳（ａ－Ｃ：Ｈ）膜的组成。形成致密ａ－Ｃ：Ｈ膜的条件是Ｈ、ｓｐ＾２Ｃ和ｓｐ＾３Ｃ应在其三元相图中的一个三角形区域内。实验数据表明,模拟结果与实验结果吻合得很好。在ａ－Ｃ：Ｈ中存在氢、四面体碳、乙烯、苯环和双苯等结构,它们的相对含量在三角形区域内变化。该理论模拟对薄膜光学间隙的实验分析给出了很好的解释。     

非晶碳氢薄膜完全抑制网络结构研究

利用完全抑制网络结构（ＦＣＮ）对氢化非晶碳（ａ － Ｃ∶Ｈ）膜组成进行模拟计算,得出形成质密ａ－ Ｃ∶Ｈ 膜条件是Ｈ、ＳＰ２ Ｃ和ＳＰ３ Ｃ在其三元相图中应在一个三角形区域内。大量实验数据表明,模拟结果与实验结果相当吻合。在ａ－ Ｃ∶Ｈ 中主要存在氢、四面体碳、乙烯、苯环和双苯等结构,它们相对含量可由公式理论计算得出。     

超高真空（UHV）PECVD系统沉积a—Si1—xCx：Hk薄膜及其特性

本文研究了应用新型的超高真空等离子增强化学了相沉积（ＶＨＶ－ＰＥＣＶＤ）复合腔系统 只ａ－Ｓｉ１－ｘＣｘ：Ｈｋ薄膜及其特性。系统的真空度可达１０＾－７Ｐａ（１０＾－９Ｔｏｒｒ）以上。通过控制Ｈ２对常规用混合气体（ＳｉＨ４＋ＣＨ４）的稀释程度以及相应的ＣＨ４比例,优化沉积工艺参数,制备出能带宽度范围变化较大的高质量非晶氢化硅碳（ａ－Ｓｉ１－ｘＣｓ：Ｈｋ）薄膜,通过ＲＢＳ、ＥＲＤＡ、ＩＴ和Ｒａｍａｍ光     

高氢稀释硅烷加乙烯法制备纳米硅碳薄膜

在等离子体化学气相沉积系统（ＰＥＣＶＤ）中，使用高氢稀释硅烷（ＳｉＨ４）加乙烯（Ｃ２Ｈ４）为反应气氛制备了纳米硅碳（ｎｃ－ＳｉＣｘ＾２Ｈ）薄膜，随着（Ｃ２Ｈ４＋ＳｉＨ４）／Ｈ２（Ｘｇ）从５％时，由于Ｈ蚀刻效应的减弱，薄膜的晶态率从４８％下降到８％，平均晶粒尺寸在３．５－１０ｎｍ。当Ｘｇ≥６％时，生成薄膜为非晶硅碳（ａ－ＳｉＣｘ＾２Ｈ）薄膜。ｎｃ－ＳｉＣｘ＾２Ｈ薄膜的电学性质具有与薄膜的晶态率紧密相     

富碳含钛碳化硅纤维的研制

以聚硅烷（ＰＳ）,聚氯乙烯（ＰＶＣ）和钛酸四丁酯（Ｔｉ（ＯＢｕ）４）合成含碳量不同的聚钛碳硅烷（ＰＴＣ）先驱体,经熔融纺丝、不熔化处理、高温烧成制备出具有较好工艺性能和电阻率为１０＾３Ω．ｃｍ～１０＾０Ω．ｃｍ的富碳含钛碳化硅纤维（Ｓｉ－Ｔｉ－Ｃ－Ｏ纤维）。运用ＩＲ、ＧＰＣ、ＶＰＯ待分析手段系统地研究了富碳ＰＴＣ先驱体的合成,讨论了含碳量对纤维的制备工艺及纤维性能的影响。     

利用O^18示踪和核反应分析研究不锈钢的着色机制

利用Ｏ＾１８示踪技术和Ｏ＾１８（Ｐ，ａ）Ｎ＾１５核反应分析研究了不锈钢在Ｈ２ＳＯ４－ＣｒＯ３溶液中形成氧化膜机制，用ＥＳＣＡ分析了不锈钢表面氧化物的价态。     

灰关联法分析三元复合驱体系对A3钢腐蚀的主要影响因素

采用灰关联分析法找三元复合驱（氢氧化钠－石油磺酸钠－部分水解聚丙烯酰胺）体系中的所有要素在可能存在的浓度范围内导致Ａ３钢发生电化学腐蚀的顺序。在含氢龙钠的溶液中,ＮａＯＨ对Ａ３钢腐蚀的影响最大,其次是ＨＣＯ３和Ｃａ＾２＋,再其次是部分水解聚丙酰胺（ＨＰＡＭ）和Ｃｌ＾－,影响最小的是石油磺酸钠（ＲＳ）。在不含ＮａＯＨ的溶液中,Ｃａ＾＋对Ａ３钢腐蚀的影响最显著,Ｃｌ、ＲＳ、ＳＯ４＾２－其次,,ＨＣＯ３     

水溶液中Ni-Ce-P合金电沉积行为的研究

用动电位扫描法研究Ｎｉ－Ｃｅ－Ｐ合金电沉积行为,结果民体和Ｈ３ＰＯ３可使金属离子的析出电位正移,加上Ｎｉ＾２＋的诱导共沉积,使得Ｎｉ－Ｃｅ－Ｐ合金从水溶液中宙积出来,ＸＰＳ谱图和能理弥散仪测试结果表明,镀层成分分别为：８１．９（ｗｔ）％,Ｎｉ,９．７７（ｗｔ）％ｃｅ,６．３２（ｗｔ）％Ｐ。     

OH^—和氧离子杂质在BaF2晶体辐照损伤的影响

从理论和实验两方面研究ＯＨ＾－和氧离子杂质为ＢａＦ２晶体辐照损伤的影响，并对其机理进行讨论，理论上用ＨＦＳ－ＤＶＭ－Ｘα）局域密度离散变分法计算ＯＨ＾－和氧离子杂质心在ＢａＦ２中的电子结构，得到ＯＨ＾－，Ｈｓ＾－（Ｕ心），Ｏｓ＾－，Ｏｓ＾２－和（Ｏｓ＾２－－Ｆ＾＋）都可能是引起辐照损伤的源泉。实验发现，ＢａＦ２晶体水解处理后，ＯＨ＾－和氧离子杂质很容易进入ＢａＦ２，在晶体中的存在形式主要是：ＯＨ＾     

rf—dc PECVD制备的a—C：H（N）薄膜的结构分析

采用射频－直流等离子增强化学气相沉积技术用Ｃ２Ｈ２和Ｎ２气的混合气体制备出ａ－Ｃ：Ｈ（Ｎ）薄膜,用ＴＥＭ、红外谱、ＸＰＳ等多种分析测试手段研究了薄膜的结构。结果表明ａ－Ｃ：Ｈ（Ｎ）薄膜中Ｎ与Ｃ原子可形成Ｎ－Ｃ、Ｃ＝Ｎ和Ｎ≡Ｃ键,而碳氢原子主要以ＣＨ２基的形式存在。且薄膜中存在具有理想化学配比的Ｃ３Ｎ４相,薄膜的结构是由Ｃ３Ｎ４相镶嵌在非晶态ＣＮｘ基体中组成。     

掺杂聚苯胺磁化率的研究

分别研究了浓Ｈ２ＳＯ４掺杂本征态聚苯胺（ＰＡｎ）、ＨＣｌ掺杂ＰＡｎ以及ＦｅＣｌ３掺杂这两种聚安在地的磁化率。通过研究磁化率的变化曲线,我们得到了一些有意义的结果：浓Ｈ２ＳＯ４掺杂ＰＡａ和ＨＣｌ掺杂ＰＡｎ的磁化率变化规律不同;ＦｅＣｌ３掺杂浓Ｈ２ＳＯ４－ＰＡｎ材料可以获得比ＦｅＣｌ３掺杂ＨＣｌ－ＰＡｎ材料更高的磁化率;ＦｅＣｌ３在掺杂ＨＣｌ－ＰＡｎ材料和浓Ｈ２ＳＯ４－ＰＡｎ材料时,ＦｅＣｌ３在这两种     

高密度聚乙烯—炭黑（HDPE—C）PTC材料的导电机制

利用炭黑与高密度聚乙烯复合制成了具有ＰＴＣ功能的导电材料（ＨＤＰＥ－Ｃ）,根据目前各种地电理论,提出“晶界”导电模型,并推导出了炭黑的填加量（Ｌ）、高聚物结晶体大小（α）、碳粒子半径（ｒｃ）、碳粒子间距（Ｘ）之间的关系,晶界导电模型与实验结果有较好的符合。     

用CONE/TG研究含淀粉膨胀阻燃聚丙烯体系的阻燃和烟释放

利用锥形量热仪（ＣＯＮＥ）在５０ｋＷ／ｍ＾２热辐照条件下,并配合ＴＧ和极限氧指数（ＬＯＩ）对含淀粉膨胀阻燃聚丙烯（ＰＰ）体系的阻燃和烟释放进行了研究,通过对获得的最大热释放速率（ｐｋ－ＨＲＲ）,总烟释放量（ＴＳＰ）、平均比消光面积（ａｖ－ＳＥＡ）及质量损失速度燃烧热（ａｖ－ＥＨＣ）、最大烟产生速率（ｐｋ－ＳＰＲ）、总烟释放量（ＴＳＰ）、平均比消光面积（ａｖ－ＳＥＡ）及质量损失速度（ＭＬＲ）等参数和     

Ti(OC4H9)4-MAPS体系溶胶-凝胶转变研究

研究了Ｔｉ（ＯＣ４Ｈ９）４－ＭＡＰＳ体系中Ｔｉ（ＯＣ４Ｈ９）４、ＭＡＰＳ、Ｃ２Ｈ５ＯＨ、Ｈ２Ｏ４个原料组分对聚钛硅氧烷产转变规律的影响。结果表明,增大水和Ｔｉ（ＯＣ４Ｈ９）４的用量或降低ＭＡＰＳ和Ｃ２Ｈ５ＯＨ的用量,菜成凝胶;反之,则易形成溶胶。     

P—Si上电沉积非晶Ni—W—P薄膜的耐蚀性研究

对Ｐ－Ｓｉ上电沉积Ｎｉ－Ｗ－Ｐ合金薄膜在３％ＮａＣｌ、０．５ｍｏｌ·ｄｍ＾－３Ｈ２ＳＯ４、１ｍｏｌ·ｄｍ＾－３ＨＣｌ介质中的阳极溶解行为进行了研究,ＸＰＳ分析了钝化膜中各元素的化学价态和存在形式。结果表明,非晶Ｎｉ－Ｗ－Ｐ合金薄膜的耐蚀性远优于晶态Ｎｉ－Ｗ－Ｐ薄膜和非晶Ｎｉ－Ｐ薄膜;高Ｗ含量的非晶Ｎｉ－Ｗ－Ｐ合金薄膜,有较强的耐蚀能力;在ＮａＣｌ介质中非晶Ｎｉ－Ｗ－Ｐ合金形成了由Ｎｉ２Ｏ３、ＮｉＨ     

非晶硅碳合金(a-SiCx:H)薄膜的进展

从制备方法,结构特征和光电性能等各方面介绍了氢化非晶硅碳合金（ａ－ＳｉＣｘ：Ｈ）薄膜这种重要的半导体材料,对其发展现状及前景进行了综述。并对近年来出现的纳米硅碳（ｎｃ－ＳｉＣｘ：Ｈ）薄膜的发展状况作了专门评述。     

掺杂聚苯胺吸波材料的研究

采用３ｃｍ波导式测量线在８￣１４ＧＨｚ频率范围内,用多点拟合的实验和计算方法对掺杂聚苯胺的微波吸收特性及参量进行了研究。发现：浓Ｈ２ＳＯ４掺杂本征态聚苯胺（ＰＡｎ）所合成材料的电脶耗很小、磁损耗较大（相对于盐酸聚苯胺而言）且不利于对微波的吸收;ＦｅＣｌ３掺杂浓Ｈ２ＳＯ４－ＰＡｎ材料可合成磁损耗较高、基本上有利于吸收微波的材料;更令人注意的是,利用ＨＣｌ－ＰＡｎ具有较大的电损耗,浓Ｈ２ＳＯ４－ＰＡｎ     

高密度聚乙烯－炭黑（HDPE－C）PTC材料的导电机制

利用炭黑与高密度聚乙烯复合制成了具有ＰＴＣ功能的导电材料（ＨＤＰＥ－Ｃ），根据目前各种导电理论，提出“晶界”导电模型，并推导出了炭黑的填加量（Ｌ）、高聚物结晶体大小（α）、碳粒子半径（ｒｃ）、碳粒子间距（ｘ）之间的关系．晶界导电模型与实验结果有较好的符合．     

镍合金化学镀层的阳极行为及局部腐蚀

利用电化学测试及Ｘ射线光电显微（ＸＰＳ）、扫描电镜（ＳＥＭ）等方法，研究了镍合金化学镀层在酸性介质中的阳极行为局部腐蚀，结果表明，由于Ｎｉ－Ｐ合金中磷的不均匀分布及胞界等的存在，在Ｃｌ＾－的作用下，Ｎｉ－Ｐ合金发生孔蚀。Ｎｉ－Ｐ合金表面膜由Ｎｉ（ＯＨ）２及Ｎｉ３（ＰＯ４）２组成，在开路及电位较低时，以Ｎｉ（ＯＨ）２为主，在电位较高时，以Ｎｉ３（ＰＯ４）２为主。阳极极化过程中，由于表面膜组成的改变导