大型立式氢气保护钎焊炉温度特性分析

大型立式氢气保护钎焊炉用于超长工件的氢气保护钎焊,为了提高工件的焊接质量,对设备工作区的温度均匀性进行了研究。通过有限元分析法对设备的热场进行了数值模拟,分析了工作区的热场分布。对设备的加热结构进行了优化设计,减少了设备纵向温度差,保证了工作区的温度均匀性。     

氢气作为还原气体用于LED共晶的可行性探讨

文章从大功率LED共晶设备出发,结合实际操作中所用焊接材料,对在共晶炉中充入氢气的可行性进行了探讨,详细计算了共晶炉内的氢气量及压力与爆炸极限的关系。结果表明,当氢气充入量为10ml、共晶炉内气压小于248.9Pa时,不论1W单颗LED亦或100W集成封装共晶,均可保证炉内所有焊片的氧化层得到充分还原,此时氢气占反应腔内总气体的浓度在75.6%以上,远离其爆炸极限临界值。随着氢气用量的增加,共晶炉内真空度要求随之下降,为生产厂家提供了方便。文章对氢气的排放做了简要介绍,并与其他共晶设备做了比较,对共晶设备的制造研发具有较高的指导意义。     

获得和控制回流焊炉的冷却速度

无铅焊接的实现已经迫使焊接供应商、元件制造商、电路板供应商、回流焊工艺工程师和标准机构考察回流焊曲线的方方面面。在回流焊曲线中，他们日益关注的一个领域是冷却速度。某些研究表明，锡银铜（SAC）焊接的切变强度要略低于共熔铅焊接，更快的冷却速度能够获得更小的颗粒，可以进一步加强这些强度。另一方面，大型BGA需要冷却速度较陧，以使切变达到最小。 这些研究结果使得回流焊工艺工程师需要生成位于及超过某些回流焊炉能力边缘的曲线。本文将介绍回流焊妒。中可以使用的控制参数和改动，以提高和降低冷却速度。     

立式氢炉焊接技术的研究及运用

通过对立式氢炉结构特点和焊接原理进行研究,得出了立式氢炉温度场的分布和环境因素对它的影响规律,提出采用迭加原理,通过合理装架焊件和合理选用焊料,对焊接过程实施有效控制,实现多个焊件同炉焊接的新技术。以75kW立式氢炉为例,对迭加法焊接新技术的工艺可行性和可靠性进行了验证。迭加法焊接新技术,使立式氢炉的生产效率成倍提高。     

软着陆洁净闭管扩散炉研制

介绍了一种用于晶体硅光伏电池片工艺的软着陆洁净闭管扩散炉,着重介绍了设备结构组成及性能,并给出了工艺结果说明设备性能达到国内领先水平。     

移动式硅片退火设备的研制

对硅片退火设备的结构及功能进行了大量的改进,介绍了设备的工作原理、结构特点及达到的技术指标。研究了硅片在真空炉中的退火工艺。该设备的研究提升了硅片退火处理的稳定性及工艺性,达到了工艺要求的效果。     

氢气退火在UV-LIGA制作折叠波导慢波结构中的影响

详细研究了利用紫外-光刻、电铸(UV-LIGA)技术制作全铜结构折叠波导各个阶段中氢气退火工艺对实验的影响。氢气退火工艺主要用于两个阶段：第一阶段为对铜基板的烧氢处理(前期),第二阶段为实现金属结构后对基板和铸层整体的烧氢处理(后期)。实验发现,前期氢气退火除清洁基板、降低内应力外,还能发生晶界迁移,使晶粒在高温下生长趋于稳定,利于生长与之结合更紧密的电铸层。但该处理需提前至基板抛光之前,否则会导致平整度变差。后期氢气退火除检测全铜结构能否经受高温焊接外,还有助于进一步去除光刻胶,并促进基板和铸层在高温下生长为结合紧密的共同体。     

主动热防护结构光纤激光焊接侧吹保护试验研究

主动热防护构件作为航空航天领域的重要结构，光纤激光焊接是该类结构的优选制造工艺。苛刻的服役环境对焊缝成形、表面保护及气孔缺陷提出了很高的综合要求。基于侧吹保护的光纤激光非穿透深熔焊接工艺试验，采用超景深显微镜、数字RT检测及灰度处理等设备及方法，系统分析光气间距、气体输送角度、保护气输出长度及气体流量等参数对焊缝成形、焊缝保护效果及气孔的影响规律。结果表明，保护气流量及光气间距对焊缝形貌及气孔率影响较大，正值光气间距参数下焊缝气孔率较低，气孔率同保护气流量正相关。基于优化的气体保护参数，优化了喷嘴结构，实现了主动热防护凹槽三维构件的激光焊接制造，并通过台架测试。     

毫米波多芯片组装工艺优化研究

随着毫米波系统对模块小型化集成化的需求日益增长，多芯片组装工艺技术成为毫米波模块互连的关键手段。分析了芯片组装工艺的特点，同时基于毫米波M M IC芯片组装工艺要求，通过射频互连芯片组装间隙工艺设计保证、共晶焊接钼铜载体结构优化设计以及自动点胶粘片参数优化研究，给出了相应的优化设计措施，从而达到M M IC芯片组装工艺优化的目的。     

一种BGA封装器件的应急焊接工艺方法

简要介绍了热风回流焊接的常规工艺及影响焊接质量的关键工艺因素;总结了焊接的机理,结合实际工作经验,详细地描述了在没有模板、锡膏及回流焊炉等专业设备的条件下,使用电热板应急焊接BGA器件的过程及注意事项;通过引用大量的研究结论,从温度曲线和助焊剂法这两个最为关键的工艺参数分析了加热板法焊接BGA的可靠性并结合实际经验给出了提高可靠性的具体方法。最终全面总结了采用电热板使用助焊剂高可靠焊接表面贴装器件(SMD),特别是BGA器件的详细工艺流程。     

干燥炉中热风循环温控系统的设计

热风循环温控系统主要应用于干燥炉中,为被干燥对象提供所需的高品质温控环境。目前,大多数干燥炉的温度控制偏差在5℃以上,同时热气流不均匀造成不同区域的干燥效果不尽相同。通过对以往干燥炉温控系统的总结与优化,提出了一种更为精确、全面的控制方案。该热风循环温控系统主要包括温控系统与风机系统两大部分,通过优化的温控算法整合成PID 温控调节模块以实现温度的快速准确响应;同时引入风机系统,优化机械结构设计来改善气流的均匀性。通过温控系统与风机系统的有效整合,实现了分布均匀、温度可控的干燥环境。经过实际测试使用,该系统达到了设计要求,为干燥炉中温控系统的设计提供了一种可靠地选择。     

台式回流焊控制系统设计

介绍一种基于单片机的回流焊接控制系统,该系统采用AT89C51作为主控制器,通过温度传感器测温,由模糊PID控制模式实现设备的温度控制,并由触摸屏实现设备状态的显示和操作。实践表明,该系统具有结构简单、操作方便、成本低等特点。     

浅谈微组装设备的标准化问题

微组装设备技术是国防科技工业先进制造能力的重要组成部分。依赖进口整线设备组建的微组装工艺线存在整线集成缺乏顶层设计、设备匹配性不好、数据界面不统一、工艺基准及工装兼容性较差等问题,引出了微组装设备技术自主发展存在的标准化、模块化、通用化问题,阐明了标准化工作对于微组装设备研制及推动微组装设备自主可控发展的重要意义。最后,提出了微组装设备技术标准化的基本原则和发展建议。     

扩散炉自动上下料系统安全性设计

介绍了一种用于卧式扩散炉的自动上下料系统,对自动上下料系统组成进行了介绍,着重讨论了系统的安全性问题,并对安全性提出了解决方案,该系统控制效果良好,能为电池片生产企业降低人工成本,提高生产效率,增强了设备的安全性,适合大规模电池片生产要求。     

太阳能光伏玻璃基板清洗设备的研究

近年来太阳能产业飞速发展,太阳能电池的产量也日益扩大,制作太阳能光伏电池的相关设备也在不断地开发制造中,太阳能玻璃清洗机就是其中的一个。结合了国内外的多款玻璃清洗设备的优点,在很好的清洗玻璃的同时也真正地达到节能降耗的要求。     

太阳能电池测试分选设备运动控制系统设计

太阳能电池测试分选设备用于晶体硅太阳能电池的性能测试和自动分选。介绍了中国电子科技集团公司第四十八研究所开发的全自动晶体硅太阳能电池测试分选设备的系统构成,重点对该设备的运动控制系统进行描述。在该设备中,以进口可编程控制器(PLC)为核心,通过采用高精度运动控制模块实现对分选机各功能部件的高精度运动控制。     

太阳能级单晶炉热场的适应性改造研究

在JRDL-900型太阳能级单晶炉上安装自行设计的350 mm(14英寸)密闭式热场,替换原有的500 mm(20英寸)热场,使该单晶炉具备了半导体级75~150 mm(3~6英寸)常用硅单晶的生长条件。根据单晶炉实际情况,重新设定了单晶生长控制程序,实现半导体级硅单晶等径生长自动控制。在拉晶实验过程中,发现并解决了影响单晶生长的设备和技术问题,成功实现了半导体级100 mm(4英寸)硅单晶的生长,对单晶成品的相应参数测试表明,使用该类太阳能级单晶炉,通过炉体和热场的改进,能够实现半导体级产品的生产,可有效利用闲置设备和资源,并为今后该类型的大规模改造和生产奠定了技术基础。     

Double-level copper interconnections using selective copper CVD

Selective copper CVD technique involving hydrogen reduction of hexafluoro acetylacetonate copper has been used to fill vias for fabricating double-level copper interconnect structure. The surface morphology of selectively deposited copper on copper substrate of the via bottom depends strongly on via opening process. A two-step via opening process consisting of an reactive ion etching of the insulating interlayer and a wet removal of the interlayer metal results in smooth copper plug formation by CVD. Double-level copper interconnect structures have been fabricated using this technique and a via resistance as low as 100 mΩ has been obtained for a 1 μ diameter via.     

高性能IGBT激光退火设备及其量产应用

激光退火工艺可以有效修复离子注入破坏的晶格结构,获得比传统退火方式更好的离子激活效率和激活深度,且不损伤Taiko硅片的正面器件,从而在FS-IGBT器件的制造过程中得到业界的广泛关注和应用。针对FS-IGBT激光退火工艺的特点,通过对退火深度、激光波长、光斑尺寸,以及Taiko薄片传输等技术的深入分析和数值仿真,完成了SLA500激光退火设备的研制,并通过现场测试数据验证。测试结果表明,SLA500激光退火设备的各项关键技术指标,如退火深度、激活效率、RS均匀性和重复性等,均能满足FS-IGBT激光退火工艺的量产应用。