ZnO薄膜晶体管真空退火设备的研究

针对退火工艺能够改善ZnO薄膜晶体管性能及稳定性的问题,研究了ZnO-TFT真空退火设备。介绍了该设备的结构特征、电控系统及达到的指标。设备研发后对ZnO-TFT器件进行真空退火工艺处理,退火工艺提升了ZnO-TFT器件电学性能和偏压稳定性,设备达到满足工艺要求的效果。     

半导体硅片退火后检测工艺的发展探讨

半导体硅片退火工艺对生产硅片具有十分重要的作用,为此,本文加强对硅片的退火技术检测,希望能够控制硅片技术质量。因为自然界当中并不存在单体硅,硅主要以氧化物或者是硅酸盐的形式出现,需要通过提纯与精炼的方式才能够形成硅片。这个过程中硅需要进行退火工艺处理,消除硅片中氧施主的影响,内部缺陷也在这个过程中减少。这个工艺流程是制造半导体硅片的重要环节。退火后的技术检测则是实现硅片生产的最后一个环节,是确保硅片质量的重要基础。本文侧重对半导体硅片退火检测工艺发展情况进行具体阐述。     

氧本征吸除低温退火工艺的研究和改进

讨论了硅片中氧沉淀形成的机理，推荐一种本征吸除的改进技术，用以增强吸除效果。在本征吸除工艺的低温退火中，用连续的线性升温退火代替常规的恒温退火。采用改进的本征吸除工艺后，可增加硅片表面ＭＯＳ结构少子产生寿命和降低Ｐ＋Ｎ结二极管的反向电流。     

300mm硅片CMP设备装载技术研究

定位装载机构是硅片化学机械抛光（CMP）设备的一个重要组成部分。本文通过对目前CMP设备中硅片定位装载机构的介绍、分析与比较,介绍了一种新型定位装载机构的功能、结构原理及控制原理,并最终通过在工艺试验中的实际应用确定了该机构已基本达到设计要求。     

高性能IGBT激光退火设备及其量产应用

激光退火工艺可以有效修复离子注入破坏的晶格结构,获得比传统退火方式更好的离子激活效率和激活深度,且不损伤Taiko硅片的正面器件,从而在FS-IGBT器件的制造过程中得到业界的广泛关注和应用。针对FS-IGBT激光退火工艺的特点,通过对退火深度、激光波长、光斑尺寸,以及Taiko薄片传输等技术的深入分析和数值仿真,完成了SLA500激光退火设备的研制,并通过现场测试数据验证。测试结果表明,SLA500激光退火设备的各项关键技术指标,如退火深度、激活效率、RS均匀性和重复性等,均能满足FS-IGBT激光退火工艺的量产应用。     

125毫米硅片的离子注入和快速退火

为了提高集成电路的生产率必须继续采用大面积硅片。本文给出了硅片尺寸对离子注入设备的设计、生产率、掺杂均匀性和注入时硅片温度控制影响的比较结果。采用散射光源的单片退火炉对大直径硅片进行退火比炉子退火具有若干独特的优点。本文还给出了100mm和125mm硅片注入后硅片平整度和薄层电阻均匀性的比较。     

8英寸立式扩散/氧化炉的研制

本文简要介绍了适用于8英寸硅片、能够进行扩散、氧化、退火、合金等工艺的立式扩散氧化炉的研制目的、技术路线、关键部件及技术难点.重点介绍了加热炉体及其温度控制、储片台、颗粒控制及设备含氧量的设计及控制.     

高温退火对铸造多晶硅片中位错密度的影响

对铸造多晶硅片进行了1 000~1 400℃的高温退火和不同方式冷却实验,用显微观察法对退火硅片及其相邻姊妹片位错密度进行了测量统计。研究了退火温度和冷却方式对铸造多晶硅片中位错密度的影响。结果证实:当退火温度在1 100℃及以下时,硅片的位错密度并没有降低反而增加了;当退火温度在1 320℃及以上时,硅片的位错密度明显降低,其幅度随温度提高增大;但退火后如断电随炉冷却而不控制冷却速率,位错密度又会提高。     

红外加热吸附反应外延系统的温度均匀性研究

为指导全新的吸附反应外延技术ARE(Absorption Reaction Epitaxy, ARE)设备红外热源的设计,分析在真空腔室中红外管阵列的热流分布。通过对灯管阵列灯管数量、灯管间距、灯阵与硅片之间距离等设计参数。采用COMSOL Multiphysics软件进行仿真模拟,研究了以红外为热源的设备腔室及硅片温度场分布情况,实测硅片表面温度及均匀性与仿真基本吻合。结果表明在保证源在硅片表面良好扩散效果的同时,当灯管阵列灯管长度为200 mm,数量为11根,间距10 mm,距离硅片15 mm时硅片表面温度不均匀度达到0.683%,满足红外加热吸附反应外延工艺需求,可为ARE红外热源及腔室设计提供参考。     

集成电路工艺中减薄与抛光设备的现状及发展

晶圆加工是单晶硅衬底和集成电路制造中的关键技术之一,为了得到更稳定的硅片,提高其平整度和表面洁净度,国内外技术人员越来越注重减薄与抛光设备的研究与改进。介绍了针对硅片平坦化工艺的减薄设备及现阶段加工过程中防止碎片的技术方法;介绍了化学机械抛光设备的技术发展现状以及针对硅片抛光的后清洗工艺。     

多线切割工艺断线问题的分析

在多线切割工艺中,镀铜金属线对硅单晶切割片的质量有着重要影响,成为多线切割工艺需要控制的重要辅料。断线问题一直是困扰多线切割工艺人员的主要问题之一,一直得不到有效的解决,从材料、设备、工艺以及人员等多个视角对断线问题进行了分析,并给出相应的解决措施。     

太阳能电池测试分选设备运动控制系统设计

太阳能电池测试分选设备用于晶体硅太阳能电池的性能测试和自动分选。介绍了中国电子科技集团公司第四十八研究所开发的全自动晶体硅太阳能电池测试分选设备的系统构成,重点对该设备的运动控制系统进行描述。在该设备中,以进口可编程控制器(PLC)为核心,通过采用高精度运动控制模块实现对分选机各功能部件的高精度运动控制。     

承载器残余真空分析

承载器作为化学机械平坦化设备的关键部件,其性能直接决定了晶圆抛光的质量。以实验的方式,分析了承载器吸附晶圆的残余真空效应,并提出了消除残余真空的方法。     

浅谈晶圆超薄化

主要简介了晶圆超薄化芯片减薄工艺的发展动态,讨论了现有设备基础上实现晶圆超薄化的局限性,提出了晶圆超薄化的工艺过程改进方案。     

大型无氧铜氢气保护焊接设备的研究

对氢气保护钎焊炉的结构及功能进行了大量的改进,研究了无氧铜大型构件在氢气炉中的焊接工艺。介绍了设备的结构特点、电控特点及达到的技术指标。设备的研究提升了大型无氧铜构件的一次性焊接成型的稳定性及工艺性,达到了工艺要求的效果。     

浅谈微组装设备的标准化问题

微组装设备技术是国防科技工业先进制造能力的重要组成部分。依赖进口整线设备组建的微组装工艺线存在整线集成缺乏顶层设计、设备匹配性不好、数据界面不统一、工艺基准及工装兼容性较差等问题,引出了微组装设备技术自主发展存在的标准化、模块化、通用化问题,阐明了标准化工作对于微组装设备研制及推动微组装设备自主可控发展的重要意义。最后,提出了微组装设备技术标准化的基本原则和发展建议。     

太阳能光伏玻璃基板清洗设备的研究

近年来太阳能产业飞速发展,太阳能电池的产量也日益扩大,制作太阳能光伏电池的相关设备也在不断地开发制造中,太阳能玻璃清洗机就是其中的一个。结合了国内外的多款玻璃清洗设备的优点,在很好的清洗玻璃的同时也真正地达到节能降耗的要求。     

LCD光刻胶涂布质量浅析

通过对液晶显示器制造过程中的关键工序---光刻胶涂布工艺、原理进行分析，对光刻胶涂布设备参数进行调整等，为生产LCD提高合格率提供参考。     

薄膜电容含浸固化联动线运料方式的改进

薄膜电容含浸固化联动线是薄膜电容器生产中的后道设备,主要完成电容的真空含浸和粉末包装。主要介绍了第二代联动线在运料方式上的改进,提高了整线的效率和稳定性。     

台式回流焊控制系统设计

介绍一种基于单片机的回流焊接控制系统,该系统采用AT89C51作为主控制器,通过温度传感器测温,由模糊PID控制模式实现设备的温度控制,并由触摸屏实现设备状态的显示和操作。实践表明,该系统具有结构简单、操作方便、成本低等特点。