集成CMOS四象限模拟乘法器

给出了一种CMOS型四象限模拟乘法器,该乘法器采用有源衰减器结合吉尔伯特单元结构.利用基于CSMC的0.6μm n阱2p2m工艺SPICE BSIM3V3 MOS模型(level=49)进行仿真,采用单电源5V电压供电.利用HSPICE仿真并给出了仿真的结果及版图实现.     

集成CMOS四象限模拟乘法器

给出了一种CMOS型四象限模拟乘法器，该乘法器采用有源衰减器结合吉尔伯特单元结构.利用基于CSMC的0.6μm n阱2p2m工艺SPICE BSIM3V3 MOS模型(level=49)进行仿真，采用单电源5V电压供电.利用HSPICE仿真并给出了仿真的结果及版图实现.     

一种宽输入范围的Gillbert模拟乘法器设计

本文分析了基于CMOS工艺设计的Gillbert单元乘法器,改进了原有电路工作电压高的缺陷,使它能在更低的电源电压下工作,并在乘法器的输入级加入有源衰减电路,增大乘法器的输入范围。本文采用上华0.6μmCMOS工艺进行设计,并用Cadence Spectre仿真器对电路进行了仿真,得到3V电源电压下,输入范围为0～2V的模拟乘法器。     

一种低压高线性CMOS模拟乘法器设计

提出了一种新颖的CMOS四象限模拟乘法器电路．该乘法器基于交叉耦合平方电路结构,并采用减法电路来实现。它采用0．18μmCMOS工艺,使用HSPICE软件仿真。仿真结果显示,该乘法器电路在1．8V的电源电压下工作时,静态功耗可低至80μW,其线性输入范围达到±0．3V,-3dB带宽可达到1GHz,而且与先前低电压乘法器电路相比,在同样的功耗和电源电压下,具有更好的线性度。     

一种宽输入范围CMOS模拟乘法器的优化设计

设计了一种基于CMOS工艺设计的宽输入范围的Gilbert单元乘法器.通过在乘法器的输入端加入有源衰减器和电位平移电路,增大了乘法器的输入范围(±4 V).该乘法器采用TSMC 0.35 μm的CMOS工艺进行设计,并用HSpice仿真器对电路进行了仿真,得到了电源电压为±4 V,以及线性电压输入范围为±4 V时,非线性误差小于1.0%,乘法运算误差小于0.3%,x输入端的-3 dB带宽为470 MHz,y输入端的-3 dB带宽为4.20 GHz的良好结果,整个乘法器电路的功耗为2.82 mW.     

一种新型低压COMS四象限模拟乘法器

提出了一种采用有源衰减器和全差分电流传输器(FDCCⅡ)为核心的新型低压CMOS四象限模拟乘法器.PSPICE仿真表明,当电源电压为±1.5 V时,电路功耗小于75μW.该乘法器电路具有较好的线性输入范围,达到±1 V,当输入电压范围限于±0.8V时,非线性误差小于0.6%,-3 dB带宽约为10 MHz.     

一种低压高频CMOS电流乘法器的设计

提出了一种新颖的高频四象限电流乘法器电路，该乘法器使用了工作在三极管区的互补MOS器件，并且采用了饱和区MOS管的平方律特性。该电路采用0．35pmCMOS工艺，使用HSpice软件仿真。仿真结果显示，该乘法器电路在±1.18V的电源电压下工作时，静态功耗为1．18mW，-3dB带宽可达到1．741GHz。与先前的电流乘法器电路相比，工作电压降低了，带宽提高了。     

一种用于PFC的模拟乘法器设计

为了实现变频控制,产生一个与输入信号同频同相的电压信号,使输入电流跟随输入电压,设计了一种基于BCD工艺的模拟乘法器,并阐述了该电路设计的工作原理和结构.该乘法器应用于电流控制的功率因素校正电路,具有0～3 V的输入信号范围,采用上华0.6 μm BCD工艺设计,并用Cadence spectre仿真器进行仿真.仿真结果表明,输出波形是一个半正弦波,并且和输入同频同相,幅度达到1.2 V.     

一种低压BiCMOS四象限模拟乘法器的设计

提出了一种结构简单的采用 Bi CMOS线性区跨导和输入预处理电路的低压 Bi CMOS四象限模拟乘法器 ,详细分析了电路的结构和设计原理。设计采用典型的 1.2 μm Bi CMOS工艺 ,并给出了电路的 SPICE模拟结果。模拟结果表明 ,当电源电压为± 3V时 ,功耗小于 2 .5m W,线性输入电压范围大约± 2 V。当输入电压范围限于± 1.6 V时 ,总谐波失真和非线性误差均小于0 .8% ,- 3d B带宽大于 110 MHz。     

高速浮点乘法器设计

设计了一种符合IEEE-754标准的32bits高速CMOS浮点乘法器.该乘法器采用MBA算法和基于4:2 compressor的树型结构完成Carry Save形式的部分积压缩,再由高速Carry Select加法器求得乘积.电路设计采用了新型的高速加法运算单元.乘法器采用0.35(m制程,内含19,197个晶体管.3.3V工作电压下(室温),乘法器延迟时间为3.807ns,功耗为107mW@100MHz.