激光诱导硅表面化学反应形成Ni-SiO_2-Si的准MOS结构膜

本文报道用激光诱导表面化学反应沉积金属膜的一种新实验结果。用OWCO_02激光诱导硅片表面的Ni_2O_3与硅片衬底反应沉积镍膜,一步形成Ni-SiO_2-Si的准MOS结构。用多种表面分析方法对膜层的成份,性能进行测试分析,并讨论了膜的生长机制。     

微量铜-铁对硅片表面污染的初步分析

通过比较微量铜铁单独存在和共存时对p型硅片表面的污染，采用电化学直流极化和交流阻抗技术以及SEM、EDX和AES等现代表面分析技术，对未污染和受污染的硅片表面进行了初步的研究．结果表明，当氢氟酸溶液中同时含有ppb水平（1e－9）的铜铁杂质时，不但铜会沉积在硅片表面上发生铜污染，而且还导致硅片表面的碳污染，并从电化学极化电阻、元素深度分布和空间电荷效应等方面对硅片表面铜与碳污染进行了初步的分析和讨论．     

LCoS反射层的实验研究

LCoS技术是硅基CMOS半导体集成电路技术和液晶显示技术相结合的新技术。铝膜作为LCoS的反射电极，要求有较高的反射率和电导率。采用电子束蒸发的方法，以高纯度的Al为靶材，硅片为衬底，制备了不同厚度的Al反射膜，并测量了在可见光范围内反射率曲线，分析了薄膜的致密性和电导率。实验结果表明，当Al层很薄时，膜的连续性较差，呈岛状或网状结构，膜的导电性不好；如果沉积较厚（1μm以上）则容易形成“铝丘”，即出现多晶态的Al分布，一方面使Al膜表面粗糙，降低其镜面反射率，同样也将严重影响Al膜的电学性能。选定50nm厚度Al膜作为LCoS的反射层为最佳。     

用卤灯扫描系统在绝缘衬底上制备硅厚膜

我们介绍了一种在绝缘衬底上制备硅厚膜的技术。我们的做法是,先在制备有SiO_2条形图形的硅片上用传统的方法沉积—层薄的多晶硅膜。然后用聚焦卤灯的光能使衬底的表面部分融化。融化的深度受硅融化时条形SiO_2下陷深度控制。随着扫描融化区域,硅就在前沿固化,于是就在衬底上得到一些被籽晶区隔开的20～/40μm厚的SiO_2上的条形无缺陷硅膜。     

电磁驱动柔性振动膜无阀微泵

提出了一种新型微泵设计方案和制作工艺，将电磁驱动器与大振幅振动膜相结合，得到流量大、易于控制的新型微泵。该微泵结构简单，由硅橡胶(聚二甲基硅氧烷PDMS橡胶)振动膜和无阀泵泵体组成，将硅加工工艺和非硅加工工艺(电镀)相结合。采用电镀和硅橡胶加工方法将振动膜直接制作在一个硅片上；用电镀和体硅加工工艺将驱动线圈和无阀泵泵体制作在另一块硅片上，然后将两个硅片键合在一起。对该微泵的性能特点正进行着更深入的研究。     

Al2O3陶瓷上金刚石膜生长工艺优化及α粒子响应

采用微波等离子体化学气相沉积（MPCVD）法在氧化铝陶瓷衬底上沉积金刚石膜，并制作梳状电极的α粒子探测器．通过优化薄膜生长条件，发现酒精浓度为0.8%、沉积温度为850℃时，金刚石薄膜的介电常数最接近单晶金刚石膜，X射线衍射、喇曼光谱及扫描电子显微镜测试表明金刚石膜的质量较好.探测器的I-V测试结果表明暗电流在1e－8～1e－7A之间，α粒子（241Am 5.5MeV）辐照下电流为1e－5～1e－4A．     

12英寸硅草晶抛光片的研制

信息产业已成为现代经济的先导产业，以集成电路为核心的电子元器件是信息产业的基础，硅片是集成电路最主要的基础功能材料，在信息产业发展中占有重要的地位和作用。目前世界半导体工业正开始由8英寸硅片的0．25微米技术向12英寸硅片的0．13-0．10微米技术转移，对12英寸硅片的市场需求将逐步扩大。     

盛美12英寸单片清洗设备实现商用

盛美半导体12英寸单片清洗设备近日成功进入世界知名芯片制造厂商生产线。盛美半导体12英寸单片兆声波清洗设备用于65nm技术节点以下的12英寸高端硅片清洗，盛美独家具有自主知识产权技术可使兆声波能量在12英寸硅片上非常均匀地分布（非均匀度的一个均方差小于2％），该技术在不损伤硅片微结构的条件下使颗粒去除效率达到99．2％。     

一种增强量子阱混合的新技术

采用PECVD技术在1．55μm InGaAsP—InP MQW激光器结构的材料上沉积SiO2薄膜和含磷组分的SiO(P)电介质薄膜，经过快速热退火(RTA)后，样品的PL谱测试表明：覆盖有普通SiO2薄膜的样品蓝移量在5～74nm，而覆盖SiO(P)薄膜的样品呈现出341nm的大蓝移量。对SiO(P)薄膜的样品经红外光谱及XPS谱分析后证明，该膜的结构为SiOP，存在Si-O和P—O键，Si和P为正价键，其结合能分别为103．6eV和134．6eV。在退火过程中SiOP膜存在P原子的外扩散，它强烈地影响量子阱混合的效果，该SiOP膜明显区别于SiO2电介质薄膜。     

纳米絮状碳膜的制备及场发射特性

采用电子回旋共振等离子体化学气相沉积(ECR-CVD)技术,以CH4和H2为源气体,硅片为衬底制备了碳膜。利用拉曼光谱仪和扫描电子显微镜成功研究了基板偏压、沉积时间、CH4浓度等工艺参数的改变对碳膜絮状结构的影响。通过分析碳膜结构和形貌,得出纳米絮状碳膜的最佳工艺参数。通过电流密度-电场(J-E)曲线和Fowler-Nordheim(F-N)曲线,研究了CH4浓度对纳米絮状碳膜的场发射特性的影响。随着CH4浓度的增加,碳膜的阈值电场逐渐降低,发射电流密度逐渐增加。     

热丝化学气相沉积法在CH4／H2混合气体中低温生长超薄纳米金刚石膜

用热丝化学气相沉积方法研究了低温(~550℃)和低反应气压(~7 Torr)下硅片上金刚石膜的成核和生长.成核过程中采用2.5%的CH4浓度,在经充分超声波预处理的硅片上获得了高达1.5×1011cm-2的成核密度.随CH4浓度的增加所成膜中的金刚石晶粒尺寸由亚微米转变到纳米级.成功合成了表面粗糙度小于4nm、超薄(厚度小于500nm)和晶粒尺寸小于50nm的纳米金刚石膜.膜与衬底结合牢固.膜从可见光至红外的光吸收系数小于2×104cm-1.用我们常规的HFCVD技术,在低温度和低压下可以生长出表面光滑超薄的纳米金刚石膜.     

256M DRAM单晶铝布线

２５６Ｍ　ＤＲＡＭ单晶铝布线据《学会志》１９９２年第１２期报道，日本东芝公司已研制成在绝缘膜上形成单晶铝布线的技术。以前的多晶铝布线，在晶粒间界集中电流和应力，容易引起破断，可用于线宽０．３卜ｍ左右的ＬＳＩ。在该技术中，在硅氧化膜上制作细沟，沉积铝膜...     

一种半岛型结构谐振梁压力传感器

提出了一种新型结构压力传感器，器件由上下两硅片键合而成，上硅片制作半岛型结构氮化硅谐振梁，下硅片制作矩形压力膜。应用有限元软件对器件结构及灵敏度进行了计算机模拟分析，器件利用MEMS技术研制并采用电热激励压阻拾振方式进行了测试。实验及理论模拟分析结果证实新型结构可以大大提高压力传感器灵敏度。     

氮化硅薄膜的PECVD生长及其性能研究

采用ＰＥＣＶＤ法，反应温度为２５０℃，反应气体为ＮＨ３，ＳｉＨ４，在抛光硅片上沉积０．２～０．４μｍ厚的氮化硅薄膜。对这种Ｓｉ３Ｎ４薄膜的光学性能和电学性能进行了测试，其光学折射率为１．８７５，电阻率及击穿场强分别为８×１０１６Ω·ｃｍ及１×１０７Ｖ／ｃｍ，并用ＦＴＩＲ谱分析了薄膜的化学结构。     

沉积在聚合物表面上的金属薄膜自发形成图案的实验研究

用离子溅射法在聚二甲基硅氧（polydimethylsiloxane,PDMS）表面沉积的金膜因金属与聚合物之间热膨胀系数的差异从而导致了具有正弦界面、微米尺度的波长和振幅的复杂而有序的褶皱图案。用光刘技术在硅片制备图形结构作为模板,通过复制模铸得到表面具有浮雕结构的聚二甲基硅氧烷基片。改变浮雕结构可以调控其上沉积的金膜的褶皱图案呈规则有序的排列。这种多尺度的复合结构将光刘技术、复制模铸和物理自组装等有效结合,可广泛应用于微纳制造领域。     

HF溶液中铜离子在硅片表面沉积的研究

研究了溶液中的铜离子在硅片表面的沉积情况,尝试采用几种螯合剂来减少铜在硅片表面的沉积.GFAAS的测试结果表明,HF稀溶液中加入少量螯合剂,均可以使硅片表面的金属Cu的沉积量显著减少,但不同的螯合剂效果不同,而且与溶液中螯合剂与铜形成的络合物稳定性质并不完全一致.加入螯合剂后,铜离子与螯合剂不仅在溶液中反应,而且在硅片表面形成竞争吸附,对铜离子在硅片表面的沉积量影响较大.     

聚苯胺/十六氯酞菁锌杂化有机半导体氯气传感器的研究

本文采用微加工技术在硅片上制作了铂金叉指电极,通过真空共蒸发沉积制备了聚苯胺/十六氯酞菁锌气敏薄膜,借助SEM对沉积膜进行了表征分析,并分析了氯气作用下影响该薄膜自身性能的相关因素,同时也对该传感器进行了气敏性能测试。实验结果表明：当聚苯胺与十六氯酞菁锌化学计量比为2：3时,薄膜对氯气有很好的敏感特性;最佳的蒸发沉积条件为基片温度160 ℃、蒸发温度425 ℃、薄膜厚度75 nm;提高工作温度(100 ℃以上)或增加气体浓度(100 ppm以上),均可以提高响应特性,但二者都将存在一个上限值。最后,我们也对该气敏薄膜的敏感机理进行了讨论。     

压印技术制作太赫兹器件

英国格拉斯哥大学的研究人员．实现了一种快速可靠的太赫兹器件压印技术。该技术使用硅片作为掩模板在聚丙烯中压印太赫兹衍射器件，制作成本低廉。     

ZnSe基底7～14μm波段宽带增透膜

简要叙述了7～14μm波段红外增透膜的膜料选择以及硒化锌基底上高性能红外增透膜的设计和工艺研究。介绍了离子辅助沉积技术沉积该膜的的工艺过程。给出了用该方法制备的7～14μm波段宽带减反射膜的实测光谱曲线,其峰值透过率高达98%以上,在设计波段范围内平均透过率大于97%,膜层附着性能好,光机性能稳定。这对于红外光学系统的应用具有十分重要的意义。     

SiO_2钝化腹对硅／玻璃静电键合的影响

本文分析了硅／玻璃静电键合过程中硅表面ＳｉＯ２钝化膜的作用．ＳｉＯ２膜的存在使键合过程中的静电力减弱，键合工艺所选择的电压上限受ＳｉＯ２膜击穿电压的控制，对于商用抛光硅片与玻璃，要完成良好的键合，一般ＳｉＯ２厚度要小于０．５μｍ．