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本文介绍了用于测量a-Si:H隙态密度的空间电荷限制电流(SCLC)法,并报道了采用此方法对PECVD方法制备的a—Si:H材料隙态密度的测量结果。对n+a—Si:H/a—Si1H/n+a—Si:H结构的样品,测量得到费米能级上0.16eV间的欧态密度分布为1015~1018(cm-3eV-1)。 相似文献
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用光热偏转谱拟合计算研究非晶硅缺陷态及其稳定性 总被引:1,自引:0,他引:1
通过光热偏转谱(PDS)研究了衬底温度对用超高频辉光放电(VHF-GD)制备的a-Si:H光学特性的影响,考虑了电子在缺陷态的相关统计,数字拟合各样品在不同亚稳状态下PDS次带吸收谱(0.8 ̄1.7eV),获得带尾态,光能隙,缺陷态分布及相关能等电子态结构参数。结果表明,缺陷态分布随光照时间向能隙深处移动,相关能增加,在电中性条件下,用迭代法求出费米能级与电导率,与实验结果吻合较好,分析讨论所用计 相似文献
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本文提出了以各子电池的载波子输运方程为基础、用串联等效的方法模拟多结电池的J-V特性,并用该方法模拟分析了P/I界面态。P/I缓冲层带隙梯度对Glass/TCO/a-Si/a-Si/Al双结电池光电特性的影响,各子电池本征层为常数带隙的Glass/TCO/a-Si/a-SiGe/Al三结电池的光电特性及其所存在的优势。 相似文献
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实验研究了自对准结构的a-Si:H TFT的制备工艺,对其中关键的底部曝光和顶胶工艺进行了详细的研究和分析,对制备工艺和结构参数进行了合理的优化,成功地制备出自对准结构的a-Si:H TFT。对影响自对准结构a-Si:H TFT特性的主要因素进行了详细的分析,提出了一种新颖的双有源层结构的a-Si:H TFT,可以有效地改善a-Si:H TFT的开态特性,其通断电流比ION/IOFF〉10^5。 相似文献
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本文发展了一种研究a-Si:H TFT电流-电压特性的新方法。基于局域态电荷密度解析统一模型,提出并深入分析了沟道区有效温度参数的概念,并由此推导出了a-Si:H TFT电流-电压特性的解析表达式。其理论值与实验值符合很好。该模型可用于a-Si:H TFT静态特性分析及其电路优化。 相似文献
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a—SiFET电流—电压特性研究 总被引:1,自引:0,他引:1
本文对a-SiFET的电流-电压特性的理论研究提出一种新的方法。其不需要引入a-Si隙态密度分布的具体假设假设模型,采用合理的数学方法,推导出a-SiFET电流-电压关系的解析表达式,对a-SiFET电流-电压特性进行合理的解释。并且理论分析结果与实验结果能很好符合,为a-SiFET的理论分析开辟了一条新途径。 相似文献
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毛友德 《微电子学与计算机》1993,10(11):47-48,F003
利用直流辉光放电分解碳氢气体来淀积a-C:H膜,通过测量Al/a-C:H/SiMIS结构的高频C-V曲线讨论了a-C:H/Si界面的电子特性,结果表明a-C:H/Si膜有可能用作半导体器件的表面钝化膜。 相似文献
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氢化非晶硅带隙态密度光诱导变化的研究 总被引:1,自引:1,他引:0
王广民 《固体电子学研究与进展》1996,16(1):44-47
报导了与Staebler-Wronski效应相关的氢化非晶硅(α-Si:H)带隙态密度的光诱导变化,结果表明光照将使α-Si:H带隙上半部分态密度的分布发生变化,采用AM1太阳光谱*光照两小时使得导带迁移率边以下0.7eV处的带隙态密度从4×1016cm-3eV-1,增大到1×1017cm-3eV-1。 相似文献
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氩离子轰击对射频溅射法制备的a—SiC:H膜退火形成6H—SiC的影响 总被引:2,自引:0,他引:2
本对射频溅射法沉积的a-SiC:H膜热退火形成6H-SiC相进行了研究。我们采用红外透射谱、喇曼背散射谱和X光衍射谱来研究退火形成6H-SiC的过程。在较高的射频功率下沉积的a-SiC:H膜经800℃60分钟等时退火后转变为6H-SiC相,该温度低于在低功率下制备的a-SiC:H形成6H-SiC(1000℃)。高功率可导致6H-SiC形成温度的降低与膜中硅及石墨团簇的消失,同时高能量的氩离子轰击 相似文献
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研究了a-SiN:H的退火行为及其作为栅介质使用时,退火对a-Si:HTFT工作特性和可靠性的影响,实验事实表明,在380℃以下的退火处理a-SiN:H介电常数的变化呈单调上升趋势,对a-SiN:H TFT的工作特性和可靠性有明显的改善,温度进一步升高时,介电常数减小,a-Si:HTFT的特性变坏。 相似文献
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薄有源层非晶硅薄膜晶体管特性的研究 总被引:2,自引:0,他引:2
本文研究了薄a-Si:H有源层结构的a-Si:H TFT的特性,实验结果表明,当a-Si:H层的厚度小于一个临界值时,a-Si:H厚度的变化对a-Si:H TFT静态特性的影响明显增大,本文中详细分析了有源层背面空间电荷层对a-Si:H TFT特性的影响,从表面有效空间电荷层的概念出发,从理论上分析了有源层厚度与阈值电压的关系,计算的临界有源层厚度为130nm,这与实验结果基本一致。 相似文献
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a—Si:H TFT有源矩阵制造技术的研究 总被引:2,自引:1,他引:1
对a:Si:H TFT有源矩阵的一些关键制造工艺进行研究。研究了Ta2O5/a-SiNx双绝缘层的制备技术,提出了一种新的双有源层结构a-Si:H TFT来降低背光源对器件特性的影响,研制的a-Si:H TFT有源矩阵实现了彩色视频信号的动态显示。 相似文献
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从文献中摘出了6H碳化硅(6H-SiC)的重要材料参数并应用到2-D器件模拟程序PISCES和BREAKDOWN及1-D程序OSSI中。6H-SiCp-n结的模拟揭示了由于反向电流密度较低的缘故相应器件在高达1000K温度下应用的可能性。6H-SiC1200Vp-n^-1二极管与相应硅(Si)二极管的比较说明6H-SiC二管开关性能较高,同时由于6H-SiCp-n结内建电压较高,其正向功率损耗比S 相似文献
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本文对a-SiFET的电流-电压特性的理论研究提出一种新的方法。其不需要引入a-Si隙态密度分布的具体假设模型,采用合理的数学方法,推导出a-SiFET电流-电压关系的解析表达式,对a-SiFET电流-电压特性进行合理的解释。并且理论分析结果与实验结果能很好符合,为a-SiFET的理论分析开辟了一条新途径。 相似文献
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本文发展了一种简明的氢化非晶硅局域态电荷密度统一模型。从a-Si材料的带隙态密度适配参数分布函数出发,采用Shockley-Read-Hall统计描述,推导出局域态电荷密度统一的解析表达式,该模型同时考虑了带尾局域态和缺陷局域态的作用。 相似文献
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用新的催化CVD法在约350℃的低温条件下研制出了a-Si薄膜。本文是利用催化剂,使SiH和H2混合气体在一定温度下反应而裂解,在衬底上沉积a-Si薄膜。所制出的a-Si膜膜具有良好的光电特性,光电灵敏度超过10^6,电子自旋密度约2.5×10^6cm^-3。 相似文献
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《微纳电子技术》1995,(5)
从文献中摘出了6H碳化硅(6H~SiC)的重要材料参数并应用到2-D器件模拟程序PISCES和BREAKDOWN及1-D程序OSSI中。6H-SiCp-n结的模拟揭示了由于反向电流密度较低的缘故相应器件在高达1000K温度下应用的可能性。6H-SiC1200Vp-n ̄(-)-n ̄(+)二极管与相应硅(Si)二极管的比较说明6H-SiC二极管开关性能较高,同时由于6H-SiC p-n结内建电压较高,其正向功率损耗比Si略高。这种缺点可用6H-SiC肖特基二极管克服。Si、3C-SiC和6H-SiC垂直功率MOSFET的开态电阻通过解析计算进行了比较。在室温下,这种SiCMOSFET的开态电阻低于0.1Ωcm ̄2,可在高达5000V阻塞能力下工作,而SiMOSFET则限于500V以下。这一点通过用PISCES计算6H-SiC1200VMOS-FET的特性得以验证。在低于200V的电压区,由于硅的迁移率较高且阈值电压较低,故性能更优良。在上述的6H-SiCMOSFET的栅氧化层和用于钝化平面结的场板氧化层中存在着大约4×10 ̄6V/cm的电场。为了研究SiC器件的高频性能,提出了6H-SiC发射极的异质双极晶体管? 相似文献
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应用计算机数值模拟方法计算p^+(μc-Si:H)/n(c-Si)及p^+(μc-Si:H)/i(a-Si:H_/n(c-Si)异质结太阳能电池中的电池中的电场强度分布,说明μc-Si/c-Si异质结电池制造中μc-Si:H膜厚选择,进而对嵌入a-Si:H薄层的μc-Si/c-Si异质结太阳能电池设计进行分析,包括a-Si:H薄层p型掺杂效应及本底单晶硅的电阻率选择,最后讨论μc-Si/c-Si异 相似文献