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相似文献
 共查询到20条相似文献,搜索用时 123 毫秒
1.
只要增加几个廉价小型元件,以前的硬连线压控电流源就可变成软件可编程的压控电流源(图1)。数字电位器IC1与精密运算放大器IC2一起设定流过传输晶体管的电流ISET而并联稳压器IC3则在数字电位计两端提供一个恒定参考电压。传输晶体管只要工作在其线性区域内。就可根据所加的栅极电压来控制负载电流。数字电位器的每一个增量大小均可提高或降低运算放大器非倒相输入端的动触点电压VIN+。因此,VIN+相对于参考电压而变化,而参考电压又相对于电源电压保持稳定:  相似文献   

2.
传统的带隙基准源电路中存在运算放大器,其性能指标在很大程度上受到运放失调电压(Offset)、运放电源电压抑制比(PSRR)等参数的限制。要想进一步其性能,就需在电路结构上进行改进。 为此,笔者设计了一种新型基准源电路,其采用电流镜复制技术,没有使用运算放大器,避免了运放输入失调和电源抑制比的限制,并利用深度负反馈技术,极大地提高了电源抑制比。  相似文献   

3.
设计一款应用于电压调整器(LDO)的带隙基准电压源。电压基准是模拟电路设计必不可缺少的一个单元模块,带隙基准电压源为LDO提供一个精确的参考电压,是LDO系统设计关键模块之一。本文设计的带隙基准电压源采用0.5μm标准的CMOS工艺实现。为了提高电压抑制性,采用了低压共源共栅的电流镜结构,并且在基准内部设计了一个运算放大器,合理的运放设计进一步提高了电源抑制性。基于Cadence的Spectre进行前仿真验证,结果表明该带隙基准电压源具有较低的变化率、较小的温漂系数和较高的电源抑制比,其对抗电源变化和温度变化特性较好。  相似文献   

4.
设计了一种低功耗曲率补偿带隙基准电压源。利用亚阈值MOS管差分对,产生曲率补偿电流,对输出基准电压进行曲率补偿。采用低功耗运放来增强基准电压源的电源抑制能力,同时降低基准电压源的功耗。采用SMIC 0.18 μm 混合信号CMOS工艺进行设计。仿真结果表明,在1.5 V电源电压下,基准电压源的输出基准电压为1.224 V,在-40 ℃~125 ℃范围内的温度系数为1.440×10-6/℃~4.076×10-6/℃,电源抑制比为-77.58 dB,消耗电流为225.54 nA。  相似文献   

5.
高精度带隙基准电压源的实现   总被引:16,自引:1,他引:15  
提出了一种高精度带隙基准电压源电路 ,通过补偿其输出电压所经过的三极管的基极电流获得精确的镜像电流源 .设计得到了在 - 2 0~ +80℃温度范围内温度系数为 3e - 6 /℃和 - 85 d B的电源电压抑制比的带隙基准电压源电路 .该电路采用台积电 (TSMC) 0 .35 μm、3.3V/ 5 V、5 V电源电压、2层多晶硅 4层金属 (2 P4 M)、CMOS工艺生产制造 ,芯片中基准电压源电路面积大小为 0 .6 5 4 mm× 0 .340 mm,功耗为 5 .2 m W.  相似文献   

6.
文章设计了一种工作在亚闽值状态下的CMOS电压基准源,分析了MOSFET工作在亚闽区的电压和电流限定条件。电压基准源可提供与工艺基本无关近似零温度系数的基准电压。为了提高电路的电源抑制比,该电路采用了共源共栅电流镜结构。该结构采用了一种新型的偏置电路.使得电流镜各级联管均工作在饱和区边缘而不脱离饱和区,提高输出电压摆幅,得到有较高恒流特性的基准电流。该电路采用0,6μmCMOS工艺,通过Spectra仿真,可工作在2V电压下,输出基准电压1.4V,温度系数为17×10^-6(V/℃)。  相似文献   

7.
提出了一种高精度带隙基准电压源电路,通过补偿其输出电压所经过的三极管的基极电流获得精确的镜像电流源.设计得到了在-20~+80℃温度范围内温度系数为3×10-6/℃和-85dB的电源电压抑制比的带隙基准电压源电路.该电路采用台积电(TSMC) 0.35μm、3.3V/5V、5V电源电压、2层多晶硅 4层金属(2P4M)、CMOS工艺生产制造,芯片中基准电压源电路面积大小为0.654mm×0.340mm,功耗为5.2mW.  相似文献   

8.
张朵云  罗岚  唐守龙  吴建辉   《电子器件》2006,29(1):169-171,222
通过设计带隙基准电压源中共源共栅电流镜的偏置电路以实现低电源电压工作。该偏置电路原理是利用一个始终工作在线性区的MOS管来使共源共栅电流镜的两个级联管均工作在饱和区边缘提高输出电压摆幅,从而降低电源电压。电路基于Chartered0.25μmN阱CMOS工艺实现,Hspice仿真结果与分析计算结果相符。基于这种偏置电路所设计的带隙基准电压源最低工作电压仅为2V,温度系数为12×10-5/℃,电源抑制在频率为1~10kHz时为-98dB,1MHz~1GHz时为-40dB。  相似文献   

9.
基于工作在亚阈值区的MOS器件,运用CMOS电流模基准对CATA和PTAT电流求和的思想.提出一种具有低温漂系数、高电源抑制比(PSRR)的CMOS电压基准源,该电路可同时提供多个输出基准电压,且输出电压可调。该基准源基于CSMC0.5μm标准CMOS工艺,充分利用预调节电路并改进电流模基准核心电路。使整个电路的电源抑制比在低频时达到122dB,温度系数(TC)在0-100℃的温度范围内约7ppm/℃。  相似文献   

10.
介绍了一种多功能、低功耗微处理器电源监控芯片的设计方法.此芯片集成了带隙基准电压源、电压比较器、时基振荡、看门狗模块.文中分别对系统中各个模块做了介绍,特别是带隙基准电压源和时基振荡这两个重要模块.其中,带隙基准电压源温度系数只有12 ×10-6,芯片整体功耗电流不超过30 μA.  相似文献   

11.
基准电压源电路是常用的器件,常用于数字仪表的ADC电路、数据采集系统、工业过程控制、测试设备及便携式中作小电流输出的电源等。美国模拟器件公司(ADI)开发的一种通用基准电压源REF19X系列电路与传统的基准电压不同之处是有睡眠模式,并且具有精密、微功耗、输出电流大、压差低的特点。该系列的输出电压从2.048V~5.00V有7个品种、3种封装、可满足各种电路对基准电压的需要。  相似文献   

12.
正任何电子实验室工具箱中都需要有工作台电源以及电烙铁和手持式万用表这些东西。有些项目仅需要一个恒定电压源,但是更常见的情况是,正确测试及调试一个项目时需要各种电压和电流。能够用一个高性能可调工作台电源随心所欲引入所需电压和电流可节省大量调试时间。可惜典型通用可调工作台  相似文献   

13.
程控电压源的研制   总被引:1,自引:0,他引:1  
介绍一种高精度程控电压源的工作原理和操作方法。本机配用双地址只听IEE-488接口,可用微机控制,也便于面板操作。电源共分四档,其电压变化范围为50μV~100V,精度为±0.05%,最大输出电流为200mA,输出阻抗小于1mΩ。  相似文献   

14.
一种高精度CMOS带隙基准电压源设计   总被引:2,自引:1,他引:1  
介绍了带隙基准电压源的基本原理,设计了一种高精度带隙基准电压源电路.该电路采用中芯国际半导体制造公司0.18 μm CMOS工艺.Hspice仿真表明,基准输出电压在温度为-10~120 ℃时,温度系数为6.3×10-6/℃,在电源电压为3.0~3.6 V内,电源抑制比为69 dB.该电压基准在相变存储器芯片电路中,用于运放偏置和读出/写驱动电路中所需的高精度电流源电路.  相似文献   

15.
本文介绍并分析了几种典型的电流源结构,并设计了一种具有良好稳定性和高精度的CMOS基准电流源.在高精度的基准电流源电路中使用了带隙电路,使电路获得一个不受电源电压、温度和工艺参数影响的基准电压,然后通过电压-电流转换电路获得稳定的基准电流.HSPICE的仿真结果表明:当温度从-55℃到125℃变化时,电流输出仅变化了0.004.  相似文献   

16.
研究了一种常用Widlar型基准电流源结构,分析电源电压对于基准电流的影响.通过引入小信号分析方法,建立基准电流源的小信号等效模型,运用反馈电路分析理论,得出基准电流与电源电压之间的关系.进而通过改进基准电流源的结构以增大反馈回路增益,减小电源电压对于工作点的影响,设计出一个具有高电源抑制比的基准电流源.该电路经由UMC 0.6 μmBICMOS工艺仿真,当电源电压在2.7~5.5 V时,其电源抑制比高达193 dB,电压调整率仅为250×10-6/V.  相似文献   

17.
提出了一种新颖的可用于AC/DC控制芯片中的基准电压源电路。此电路以PTAT(proportional to absolutetemperature)电流为偏置电流,利用二极管连接的MOS晶体管迁移率和阈值电压的温度系数可相互补偿的特性,产生与温度无关的栅源电压。该电路结构简单,既无启动电路也无运放,避免了运放失调对基准源的影响,设计采用CSMC0.5μm BCD工艺。仿真结果表明,该基准电压源具有较低的温度系数和高电源电压抑制比,可作为AC/DC控制芯片中迟滞比较器的参考源。  相似文献   

18.
针对目前有机电致发光器件(OLED)驱动电源功能单一、电路复杂和成本较高等问题,设计了一种多功能OLED 驱动电源,该电源基于单片机STC89C52 控制和字符液晶1602 显示。其能够灵活快捷地设置OLED 驱动所需的四种电源,可调恒压源、可调恒流源、占空比及频率可调的脉冲电压源和电流-电压混合源(正向恒流反向恒压),可以根据OLED 样品测试的实际情况,确定不同应用条件下的电源输出。从测试结果来看,该驱动电源误差小、分辨率高、纹波系数小、稳定性好,能够完全满足设计要求,而且具有结构简单、操作方便、易于扩展、成本低的特点。  相似文献   

19.
分析了传统CMOS工艺带隙基准源电路中基准电压设计的局限性。给出了一种低电源电压带隙基准源的电路设计方法,该电路采用TSMC0.13μm CMOS工艺实现,通过Cadence Spectre仿真结果表明,该电路产生的600mV电压在-30-100℃范围内的温度系数为12×10^-6/℃,低频时的电源抑制比(PSRR)可达-81dB,可在1-1.8V范围内能正常工作。  相似文献   

20.
凌力尔特公司( Linear Technology Corporation )推出DC/DC转换器LT3954,该器件具有内部5A开关,可用作恒定电流源和恒定电压稳压器。器件的内部PWM调光发生器使其非常适合驱动大电流LED,它也有适合于充电电池和超级电容的功能。LT3954的4.5V至40V输入电压范围适合包括汽车、工业和建筑照明等多种应用。(来自凌力尔特)  相似文献   

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