共查询到20条相似文献,搜索用时 62 毫秒
1.
2.
Si^+注入GaAs及其退火中SiO2包封的作用 总被引:1,自引:0,他引:1
对Si^+注入GaAs的前后及其退火的前后用和不用SiO2包封进行了对比实验。包封退火大大提高了注入离子的激活率;在包封退火的情况下,光片注入的要比贯穿注入的载流子分布窄。所以,光片注入后包封退火较实用,它使载流子分布窄,激活率高。 相似文献
3.
在GaAs集成电路研制中需要高电激活率、高迁率的n型薄层.本文研究了引Si+注入GaAs形成的n型层光电特性与材料参量、注入和退火条件的关系.结果表明材料生长中的杂质污染和缺陷对注入层电特性有直接影响.材料或退火过程中As和Ga的原子比[As]/[Ca]稍大时,注入层中电激活率和迁移率都高.实验还证明,29Si+注入时BF+束流的影响会使注入层电激活率和迁移率下降.本文指出注入时剂量不宜过大,白光快速退火时温度不宜过高,一般在960℃5秒退火为佳. 相似文献
4.
本文对30keV Si~+和分子离子S_1F~+注入半绝缘GaAs的行为进行了研,究注入Si~+样品的Si原子纵向分布,与相同条件下用SICT模拟程序理论计算出的分布相一致,经灯光900℃10秒RTA,电激活率可达60%,电化学C—V测得的载流子纵向分布与注入态SIMS结果相同,可以获得近0.2μm的GaAS有源层。而注入分子离子SiF~+样品,虽注入层较浅,但灯光退火后,电激活率很低。因此,用分子离子SiF~+注入以形成GaAs超薄有源层是不相宜的。此外,根据X—射线双晶衍射的结果还对GaAs注入Si~+和SiF~+的退火行为进行了讨论。 相似文献
5.
作者首次用X射线双晶衍射技术对注入As^+的Si0.57Ge0.43合金的晶格损伤消除和应变驰豫进行了研究,并与未注入As^+的Si0\57Ge0\43合金的应变驰豫进行了比较。结表明,退火后,注入As^+的 Si1-xGex外延层中的应变分布不同于未注入As^+的应变分布。对于注入As^+的Si0.57Ge0.43样品,其X射线衍射峰的半宽度FWHM由于退火引起应变驰豫导致镶嵌结构的产生而展宽。 相似文献
6.
研究了Si^+和Si^+/As^+注入到Horizontal Bridgman(HB)和Liquid Encapsulated Czochralski(LEC)方法制备的半绝缘GaAs衬底电激活效率与均匀性。结果发现:在相同条件下(注入与退火),不同生长方法的半绝缘GaAs衬底电激活不同,通常电激活HB〉LEC,HB SI--GaAs(Cr)(100)A面〉(100)B面,Si^+/As^+双离子 相似文献
7.
用二次离子质谱对As+注入Si1-xGex的快速退火行为进行了研究,Si1-xGex样品中Ge组分分别为x=0.09,0.27和0.43,As注入剂量为2×10^16cm^-2,注放能量为100keV,快速退火温度分别为950℃和1050℃,时间均为18秒,实验结果表明,Si2-xGex样品,As浓度分布呈组分密切相关,Ge组分越大,As扩散越快,对于Ge组分较大的Si1-xGex样吕,Asdispla 相似文献
8.
Si^+,As^+双离子注放半绝缘GaAs的无包封快速热退火技术的研究 总被引:1,自引:1,他引:0
本文采用清华大学QSW-3075快速热处理设备对Si^+,As^+双离子注入半绝缘GaAs进行了快速热退火研究。结果表明,在适当条件下退火,注入杂质有高的激活效率,并且杂几乎没有因高温退火引起的扩散再分布,保留了原有的注入分布。在加热位置降温可消除注入晶片滑移的产生。 相似文献
9.
作者首次用X射线双晶衍射技术对注入As+的Si0.57Ge0.43合金的晶格损伤消除和应变弛豫进行了研究,并与未注入AS+的Si0.57Ge0.43合金的应变弛豫进行了比较.结果表明,退火后,注入AS_的Si1-xGex外延层中的应变分布不同于未注入AS+的应变分布.对于未注入As+的Si0.57Ge0.43样品,其X射线衍射峰的半宽度FWHM由于退火引起应变弛豫导致镶嵌结构的产生而展宽.对于注入As+的Si0.57Ge0.43样品,950℃的快速退火过程可以有效地消除晶格损伤,使晶格得以恢复,且其退火后的 相似文献
10.
采用室温下Se^+离子注入半绝缘GaAs衬底,通过优化注入能量,剂量,注入角度及快速热退火温度,时间,获得了高剂量下杂质激活率大于74%,注入层平均载流子浓度为(5-6)×10^16-cm^-2,平均载流子迁移率为3010cm^2/v.s,载流子浓度分布陡峭的优质离子注入薄层,成功地研制出3000门GaAs超高速门阵列集成电路。 相似文献
11.
12.
用二次离子质谱对As+注入Si(1-x)Gex的快速退火行为进行了研究.Si(1-x)Gex样品中Ge组分分别为x=0.09,0.27和0.43.As+注入剂量为2×10(16)cm(-2),注入能量为100keV.快速退火温度分别为950℃和1050℃,时间均为18秒.实验结果表明,Si(1-x)Gex中As的扩散与Ge组分密切相关,Ge组分越大,As扩散越快.对于Ge组分较大的Si1-xGex样品,As浓度分布呈现“盒形”(box-shaped),表明扩散与As浓度有关.Si1-xGex样品中As的快 相似文献
13.
本讨论了用MIQ-156四极SIMS仪器对AlxGa1-xAs中Si进行定量分析的实验方法,考察了测量结果的重复性及x变化时SiRSF的变化规律,在IMS-4fSIMS仪器上进行了对比测试,用Cs^+源对^29Si的原子检测了限达到了4×10^15cm^-3。 相似文献
14.
本文报道采用选择性掺杂的多晶硅热退火掩膜作扩散源进行的GaAs中Si扩散机制的研究结果.发现共P扩散时,样品表层的电学性能明显提高.Si杂质的内扩散小;共Al扩散时,Si杂质内扩散很深.用GaAs中化学配比平衡观点讨论了扩散层中杂质分布与电学性能关系,认为Si杂质在GaAs中的热扩散主要由As空位浓度决定. 相似文献
15.
在Ⅲ-Ⅴ族半导体GaAs外延层上共注入Er和O离子(GaAs:Er,O).经面对面优化退火后,光致发光(photoluminescence-PL)谱中观测到对应Er3+第一激发态到基态4I13/2-4I15/2跃迁,其相对强度较单注入Er的GaAs(GaAs:Er)增强10倍,且谱线变窄.从二次离子质谱(SecondaryIonMasSpectrometry-SIMS)和卢瑟福背散射实验给出退火前后Er在GaAs:Er样品中的剖面分布.SIMS测量分别给出O注入前后Er和O在GaAs:Er,O中的深度剖面分布,分析表明Er和O共注入后形成光学激活有效的发光中心. 相似文献
16.
本文对源漏n^+浅结注入的自对准GaAsMESFET内部的电位,电场及载流子浓度的稳态分布进行了二维数值分析,分析表明,不同n^+注入深度对器件的特性有一定的影响。当n^+注入深度为有源层厚度的1/4时,畴的体积最小。适当选取n^+区边缘与栅之间的距离可提高器件的击穿电压。 相似文献
17.
本文用椭圆偏振光谱法研究了低温(77K)、中等能量(147keV)、剂量分别为3×1013及4×1013ions/cm2的BF2+分子离子注人Si的损伤及退火效应.根据样品椭圆偏振参数与C-Si的比较确定退火后晶格恢复的程度.结果表明,椭偏测量是研究分子离子注入Si的有用工具;BF注入硅样品的退火转变温度在500℃以下;并获得在某些实验条件下的最佳退火温度和最佳退火时间。 相似文献
18.
19.