微波传输用HTCC金属化钨浆料的研制

研究了高温共烧厚膜导体钨浆料的制备工艺,分析了金属钨粉微观形貌及粒度分布,无机粘结相含量对印刷分辨率、金属化与陶瓷基板的结合强度、金属化层方阻值的影响。为满足微电子封装要求,通过选用粒度小于5μm、表面光滑的球形的两种钨粉进行混合,添加适量无机粘结相和以乙基纤维素为主的有机载体,采用球磨或者三轴研磨机进行有效分散,并将浆料粘度控制在一定范围内,制备出适合100μm线宽/间距精细印刷、金属化与陶瓷基板的结合强度54 MPa、方阻值为6mΩ/□的金属化浆料。将研制的金属化钨浆料应用在作为微波器件封装外壳的信号输入输出端口的陶瓷绝缘子上,在29~31GHz的Ka波段,绝缘子的插入损耗为0.4dB,电压驻波比(VSWR)小于1.15。     

BeO高导热陶瓷金属化浆料配方与批产工艺研究

研究了适合于Be O高导热陶瓷的"钨锰法"金属化浆料配方和批产工艺,并利用扫描电镜等手段对金属化层的表面形貌进行表征,重点探讨了金属化浆料中活化剂占比、金属化最高烧结温度以及浆料细度对金属化层表面形貌和结合强度的影响和机理。结果表明:当活化剂质量分数为11%,最高烧结温度为1450℃,浆料细度控制在12μm时,Be O高导热陶瓷金属化层表面形貌和结合强度最优。     

高性能PTCR电极浆料生产工艺的改进

通过增加分散剂松香的用量，提高了欧姆银浆的关键中间体材料银泥的质量稳定性。将压滤法应用于银泥洗涤工艺，既节省了设备投资，又避免了设备腐蚀。在欧姆银浆中掺入１０％的活性铝粉，降低了浆料成本，而且增强了浆料的工艺适应性。表层银浆的配制采用辊轧工艺替代球磨工艺，并对有机载体进行了调整，提高了生产效率，改善了膜层光洁度。     

用于先进的双嵌入和栓工艺的低缺陷钨CMP高性价比浆料(英文)

介绍了用于钨双嵌入和钨栓CMP工艺的新型CMP3200TM氧化铝浆料,测试证明,这种浆料在110nm技术节点的钨CMP工艺应用中取得了理想的效果。通过对氧化铝粒子制造工艺的有效控制,获得了可满足110nm技术节点双嵌入和栓层钨CMP工艺要求的低缺陷率,高性价比的氧化铝蛐硝酸铁浆料。从而在价格竞争激烈的半导体制造领域,特别是代工市场引起了业界越来越多的关注。     

IC制备中钨插塞CMP技术的研究

对目前超大规模集成电路钨插塞化学机械全局平面化(CMP)的原理及工艺进行了分析,对钨抛光浆料的组成成分进行了研究,开发了一种能够适合工业生产的钨的碱性抛光浆料,并对钨抛光浆料今后的发展进行了展望.     

稳定PbTiO_3陶瓷浆料的制备

以磷酸酯为分散剂,采用胶体电空间稳定机制改善陶瓷粉体水悬浮液的分散性,利用z 电位仪、沉降实验、粘度测定和粒度分析等手段,研究了分散剂的用量和pH值对PbTiO3陶瓷浆料稳定性的影响。并在最佳分散剂用量和pH值条件下,制备出了高固相含量(体积分数为55% )、稳定性和分散性好的PbTiO3陶瓷浆料。     

MLC内电极浆料中有机载体配方设计

多层陶瓷电容器(MLC)内电极浆料中所用的有机载体是一混合体系,体系中各组分对载体性能有着不同程度甚至相反的影响。在初步试验的基础上采用正交设计,在较短时间内,选择出优化配方。以该配方制成的载体与一定比例的金属微粉充分混合,制备出的MLC内电极浆料,满足了引进自动线对内电极浆料的工艺要求。     

活性钎焊电子浆料流变性能及丝印质量的研究

研究了固含量及有机载体对电子浆料流变性能及丝网印刷质量的影响。采用流变仪测量钎焊电子浆料的黏度和触变性,并结合丝印后形貌特征,通过优化电子浆料的配方来改善丝印质量,对后续烧结过程形成性能优良的陶瓷覆铜板三明治结构具有很好的指导意义。获得了优化的浆料配方为:固含量为质量分数89%,有机载体成分质量组成为:丙二醇苯醚溶剂93.53%,乙基纤维素粘结剂5.97%及LD-9108型流平剂0.5%。获得的浆料黏度为46.039 Pa·s,触变指数为2.6136。     

0.5mm节距数模混合陶瓷封装外壳加工工艺研究

采用多层高温共烧陶瓷工艺制作了外形尺寸为21.0mm×8.8mm×2.0mm、引线节距为0.5mm的数模混合集成电路封装外壳,研究了加工工艺对外壳性能的影响。结果表明,采用稳定生瓷片尺寸、精密制版、提高钨金属化浆料流变性、优化印刷参数设置等能够使外壳微波传输线的连续性得到改善。     

一种可代银的锌电极浆料

<正> 最近国外专利报导了一种锌导电浆料,特别适用于制作陶瓷电容器、可变电阻器以及其它电子元件的电极。 通常,陶瓷电容器和可变电阻器的电极浆料为银浆料,由银粉,玻璃粉和有机载体组成。但是,用贵金属银作电子元件电极,成本较高。     

工艺条件对PTCR热敏陶瓷喷雾造粒粉体性能的影响

采用压力喷雾造粒的方式对BaTiO3系PTCR热敏陶瓷粉体进行喷雾造粒处理,研究了喷雾造粒过程中浆料组成和雾化条件对粉体性能的影响。研究结果表明：喷雾造粒过程中浆料粘度过高,雾化条件控制不当,都会使喷雾造粒粉体颗粒的团聚程度增加,影响粉体的松装密度和流动性,对生坯成型及材料烧结不利,考虑到料浆中粘合剂含量、固体物含量的综合影响,添加适量的分散剂可以降低料浆的粘度,控制适当的雾化压力,选用合适的喷雾直径与涡旋片组合可以获得理想的粉体。     

纳米级三氧化二铝对碱性钨抛光液的影响

研究了纳米级三氧化二铝颗粒的加入对以二氧化硅为磨料的碱性钨抛光液的影响。首先用单一因素法分析了三氧化二铝与二氧化硅质量比对原有碱性钨抛光液的去除速率的影响,以及氧化剂体积分数和pH值对抛光液去除速率的影响,取最优值,然后对添加三氧化二铝抛光液抛光后晶圆表面粗糙度进行了测试分析。实验结果显示在三氧化二铝与二氧化硅质量比为1∶2,二氧化硅水溶胶与去离子水体积比为1∶1,氧化剂体积分数为2%,pH值为9时,去除速率达到175 nm/min,较原有碱性钨抛光液提高约1倍,表面粗糙度为2.24 nm,能满足实际生产要求。     

钨青铜Sr_xBa_(1-x)Nb_2O_6陶瓷的制备及介电性能研究

以SrCO3、BaCO3和Nb2O5为原料,采用传统固相法制备了SrxBa1-xNb2O6(SBN,x=0.49～0.56)无铅压电陶瓷。研究了SBN陶瓷组分及烧结温度对其相结构、微观形貌和介电性能的影响。结果表明,所有陶瓷组分在1380℃下烧结均可获得钨青铜结构单相。随着x值的增大,陶瓷致密化速度减慢,晶粒生长趋向均匀,介电性能提高,居里温度向低温方向移动。借助居里外斯公式证明了所有陶瓷组分均为典型的弛豫型铁电体。     

水性粘合剂对Ni-MLCC流延成型的影响

以聚丙烯酸酯乳液为粘合剂,采用水基流延成型制备了镍电极多层陶瓷电容器(Ni-MLCC)。利用扫描电子显微镜对膜片表面形貌进行了分析,研究了该水性粘合剂对Ni-MLCC陶瓷浆料黏度、膜片拉伸强度以及所制电容器的电性能的影响。结果表明:粘合剂的用量以质量分数10%为最佳,流延成型所得膜片表面光滑,无缺陷,瓷粉分散均匀,所制备电容器的各项电性能符合EIA-Y5V规范。     

掺钪钨粉的制备研究

采用液-固掺杂工艺,以Sc(NO3)3水溶液制备了Sc2O3掺杂的钨粉,研究了所获钨粉的形貌、Sc2O3的分布。扫描电镜显示掺杂钨粉颗粒表面和裂缝中均匀附着了Sc2O3粉末,选区能谱分析证明Sc2O3在钨颗粒的表面覆盖均匀。Sc2O3与钨接触面增多,增大了钪与钨的结合力,该掺杂钨粉能够用于制备热电子发射均匀、抗离子轰击能力强的含钪钡钨阴极。     

氧化铝陶瓷的钨金属化研究

阐述了在真空炉中高温烧结W涂层的基本实验方法和工艺,采用的金相照片,扫描电镜和能谱分析等方法对镀层进行了微观的成分分析.结果显示金属化温度影响W粉的烧结,配方中的氧化钇在连接W和陶瓷基体中起到关键作用.     

用激光将廉价有机硅烷合成SiC纳米粉的研究

采用激光诱导二甲基二乙氧基硅烷气相合成了ＳｉＣ纳米陶瓷粉,对其合成工艺进行了研究,用多种分析手段对粉体进行了测试表征,同时对合成的非晶纳米ＳｉＣ粉和初期晶化进行了探讨。实验结果表明：通过控制反应物蒸气流量,可对反应温度进行控制,从而实现对粉体组成、结构进行控制。在其他条件不变时,当反应物蒸气流量为７００～８２０ｓｃｃｍ时,可制得较为理想的平均粒径为１０～１５ｎｍ的非晶ＳｉＣ纳米粉;非晶ＳｉＣ纳米粉在１１６０℃氩气氛下晶化处理,开始晶化,由非晶ＳｉＣ经固相反应得到β－ＳｉＣ。     

均匀沉淀法制备陶瓷金属化层的微观结构研究

利用均匀沉淀法制备了混合均匀并且钼粉粒度达到纳米级的陶瓷金属化粉末,使用该粉末进行了陶瓷金属化层制备,获得了比较理想的陶瓷金属化层显微结构。同时研究了Mo的含量及烧结温度对陶瓷金属化层显微结构的影响,并将该工艺生产的制品与国内现有制品的微观结构进行了对比。     

粒度对CaO-B_2O_3-SiO_2系LTCC材料性能的影响

用行星球磨机把相同原料球磨不同时间后,制得了不同粒度的CaO-B2O3-SiO2系用于制造LTCC的粉体材料;采用统一的固相烧结陶瓷工艺过程把LTCC粉体材料制备成陶瓷;研究了粉体粒度对瓷体晶相组成、微观形貌及析晶温度等物理性能的影响。结果表明,粉体粒度减小有助于烧结,但粒度过小会使液相在烧结过程中过早出现并包裹住未及排出的气体,从而导致瓷体结构不致密。最终确定球磨时间为7h,中位径为1.29μm,比表面积为7.344m2/g的粉体有较好的综合性能,用其制得的LTCC εr为6.053,tanδ为2.33。