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1.
This paper reports that the growth of RuOx(110) thin layer growth on Ru(0001)
has been investigated by means of scanning tunnelling microscope (STM). The STM
images showed a domain structure with three rotational domains of RuOx(110)
rotated by an angle of 120℃.
The as-grown RuOx(110) thin layer is expanded from the bulk-truncated
RuOx(110) due to the large mismatch between RuOx(110) and the
Ru(0001) substrate. The results also indicate that growth of RuOx(110)
thin layer on the Ru(0001) substrate by oxidation tends first to formation
of the Ru-O (oxygen) chains in the [001] direction of RuOx(110). 相似文献
2.
3.
基于分步式压印光刻的激光干涉仪纳米级测量及误差研究 总被引:1,自引:1,他引:0
针对在未做隔离保护处理的环境中,基于Michelson干涉原理的激光干涉仪测量系统存在严重的干扰误差,不适合分步式压印光刻纳米级对准测量的要求.采用Edlen公式的分析及计算,不仅在理论上揭示出环境温度、湿度、气压等变化对激光干涉仪测量准确度的影响,而且证明影响测量准确度的最大干扰源是空气流动的结果.通过气流隔离措施和系统测量反馈校正控制器,能够实时补偿激光干涉仪两路信号的相差.最终,测量漂移误差在10 min内由13 nm降低到5 nm以内,满足压印光刻在100 mm行程中达到20 nm定位准确度要求. 相似文献
4.
利用脉冲激光淀积法(PLD)在α-Al2O3衬底上淀积了ZnO薄膜, 通过ZnO和α-Al2O3固相反应制备了具有ZnAl2O4覆盖层的α-Al2O3衬底. X射线衍射谱(XRD)表明ZnAl2O4薄膜随反应时间由单一(111)取向转变为多晶取向, 然后变为不完全的(111)择优取向. 同时扫描电子显微镜(SEM)照片表明ZnAl2O4表面形貌随反应时间由均匀的岛状结构先变为棒状结构, 然后再变为突起的线状结构. 另外, XRD谱显示低温制备的ZnAl2O4在高温下不稳定. 在ZnAl2O4覆盖的α-Al2O3衬底上利用光加热低压MOCVD法直接生长了GaN薄膜. XRD测量表明随ZnAl2O4厚度增加GaN由c轴单晶变为多晶, 单晶GaN的摇摆曲线半高宽为0.4°. 结果表明薄ZnAl2O4覆盖层的岛状结构有利于GaN生长初期的成核, 从而提高了GaN的晶体质量. 相似文献
5.
6.
7.
8.
建立傅里叶变换步进扫描时间分辨光电导光谱,并研究太阳电池中与转换效率密切相关的少数载流子寿命.实验选取三种典型的硅太阳电池(单晶硅样品1、多晶硅样品2和多晶硅样品3 ),发现其瞬态光电导的上升和衰退曲线可以分别用两个简单的指数函数描述.由于有复合中心的参与,复合过程中少数载流子的寿命比产生过程中的寿命短.为验证实验结果的可靠性,采用了提取样品少数载流子的体寿命和计算其有效扩散长度两种方法.通过与太阳电池暗伏安特性和负载特性研究相结合,进一步分析和讨论了少数载流子寿命与短路电流、开路电压和转换效率的关系.同时探讨了步进扫描时间分辨光谱实验的其他用途.
关键词:
步进扫描
时间分辨
硅太阳电池
瞬态光电导 相似文献
9.
10.