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1.
利用脉冲激光淀积法(PLD)在α-Al2O3衬底上淀积了ZnO薄膜, 通过ZnO和α-Al2O3固相反应制备了具有ZnAl2O4覆盖层的α-Al2O3衬底. X射线衍射谱(XRD)表明ZnAl2O4薄膜随反应时间由单一(111)取向转变为多晶取向, 然后变为不完全的(111)择优取向. 同时扫描电子显微镜(SEM)照片表明ZnAl2O4表面形貌随反应时间由均匀的岛状结构先变为棒状结构, 然后再变为突起的线状结构. 另外, XRD谱显示低温制备的ZnAl2O4在高温下不稳定. 在ZnAl2O4覆盖的α-Al2O3衬底上利用光加热低压MOCVD法直接生长了GaN薄膜. XRD测量表明随ZnAl2O4厚度增加GaN由c轴单晶变为多晶, 单晶GaN的摇摆曲线半高宽为0.4°. 结果表明薄ZnAl2O4覆盖层的岛状结构有利于GaN生长初期的成核, 从而提高了GaN的晶体质量.  相似文献   
2.
Synthesis of ZnAl2O4/α-Al2O3 complex substrates and growth of GaN films   总被引:1,自引:0,他引:1  
With the solid phase reaction between pulsed-laser-deposited (PLD) ZnOfilm and α-Al2O3 substrate, ZnAl2O4/α-Al2O3 complex substrates were synthesized. X-ray diffraction (XRD) spectra show that as the reaction proceeds, ZnAl2O4 changes from the initial (111)-oriented single crystal to poly-crystal, and then to inadequate (111) orientation. Corresponding scanning electron microscope (SEM)images indicate that the surface morphology of ZnAl2O4 transforms from uniform islands to stick structures, and then to bulgy-line structures. In addition, XRDspectra present that ZnAl2O4 prepared at low temperature is unstable at the environment of higher temperature. On the as-obtained ZnAl2O4/α-Al2O3 substrates, GaN films were grown without any nitride buffer using light-radiation heating low-pressure MOCVD (LRH-LP-MOCVD). XRD spectra indicate that GaN film on this kind of complex substrate changes from c-axis single crystal to poly-crystal as ZnAl2O4 layer is thickened. For the single crystal GaN, its full width at half maximum (FWHM) of X-ray rocking curve is 0.4°. Results indicate that islands on thin ZnAl2O4 layer can promote nucleation at initial stage of GaN growth, which leadsto the (0001)-oriented GaN film.  相似文献   
3.
在碱性条件下,聚邻二硒代苯被硼氢化钾还原成双硒离子后与二卤代和缩后关环得到7个邻苯二硒型硒杂冠醚化合物,其结构经元素分析、MS、IR和HNMR证实。  相似文献   
4.
5.
用硒代吗啉与不同的酸组分、醛组分反应得到七个曼尼希反应的产物。  相似文献   
6.
合成了7,11-二硒杂苯并-13-冠-4及其铂配合物,并从底物的性质、反应温度、催化剂用量以及化学气氛四个方面考察了该配合物对烯烃与三乙氧基硅烷的硅氢加成反应的催化特性。与单硒杂冠醚配合物相比,该配合物对某些烯烃的催化活性较高,但催化反应需要的温度也较高.  相似文献   
7.
报道了碲杂冠醚(TeB15C5)对Na^+、K^+、Ag^+和Pb^2+的液膜迁移能力,并与相应的全氧冠醚(B15C5)、硫杂冠醚(SB15C5)和硒杂冠醚(SeB15C5)作了比较;同时以SeB15C5对K^+的迁移为例考察了冠醚浓度和盐浓度对迁移速率的影响。  相似文献   
8.
10-硒杂苯并-15-冠-5铂配合物的合成及基催化硅氢化性能   总被引:3,自引:0,他引:3  
本文报道了首例硒杂冠醚铂配合物-10-硒杂苯并-15-冠-5铂配合物的合成,并研究了它对烯烃与三乙氧基硅烷的硅氢加成反应的催化特性.实验结果表明:它是此类反应的一个高效催化剂.  相似文献   
9.
本文报道了首例硒杂冠醚铂配合物-10-硒杂苯并-15-冠-5铂配合物的合成,并研究了它对烯烃与三乙氧基硅烷的硅氢加成反应的催化特性.实验结果表明:它是此类反应的一个高效催化剂.  相似文献   
10.
合成了7,11-二硒杂苯并-13-冠-4及其铂配合物,并从底物的性质,反应温度、催化剂用量以及化学气氛四个方面考察了该配合物对烯烃与三乙氧基硅氢加成反应的催化特性,与单硒杂冠醚配合物相比,该配合物对某些烯烃的催化活性较高,但催化反应需要的温度也较高。  相似文献   
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