首页 | 官方网站   微博 | 高级检索  
文章检索
  按 检索   检索词:      
出版年份:   被引次数:   他引次数: 提示:输入*表示无穷大
  收费全文   13篇
  免费   6篇
  国内免费   8篇
数理化   27篇
  2022年   1篇
  2020年   3篇
  2019年   5篇
  2018年   3篇
  2016年   1篇
  2015年   1篇
  2011年   1篇
  2010年   1篇
  2009年   4篇
  2008年   3篇
  2006年   2篇
  2005年   1篇
  2003年   1篇
排序方式: 共有27条查询结果,搜索用时 328 毫秒
1.
本文研究了不同衬底温度对Ga液滴在Al_(0.4)Ga_(0.6)As表面形成纳米结构的影响,当300℃≤T≤380℃时,Ga液滴演化成纳米孔(Nanohole)和盘状结构(diffusion halo),纳米结构的尺寸随温度升高而增大.当T≥385℃时,盘状结构消失,形成一定平坦的Al_xGa_(1-x)As薄膜,Ga液滴在界面处继续向下刻蚀直至耗尽,形成平均直径为75 nm,平均孔深为5.52 nm的纳米孔.本文还通过盘状结构测出平均扩散长度△R,并拟合出Ga原子在Al_(0.4)Ga_(0.6)As表面的激活能E_A=0.78(±0.01) eV和扩散前因子D_0=0.15(×4.1~(±1))10~(-2 ) cm~2s~(-1).  相似文献   
2.
本文报道了一种利用简单的两步牺牲模板法,在泡沫铜基底表面完成了三维氧化铜纳米晶阵列的生长. 氧化铜纳米晶阵列具有良好的导电性,稳定性,在碱性溶液中有着优秀的电解水产氧催化性能. 氧化铜纳米晶阵列催化水的电化学氧化只需400 mV的过电势即可达到100 mA/cm2的电流密度,与其它铜基电解水产氧催化剂以及贵金属IrO2相比都有着明显的优势. 氧化铜纳米晶阵列在270 mA/cm2左右的工作电流下连续工作10 h依然可以保持良好的稳定性,是相同的工作电压下IrO2工作电流的10倍(约25 mA/cm2).  相似文献   
3.
利用液滴外延技术在Al0.4Ga0.6As表面制备了纳米结构并用原子力显微镜进行表征,发现纳米结构的密度随金属Ga沉积量的增加呈先增加后减小再增加的趋势.这种密度异常变化的现象,主要是由于液滴之间相互扩散并最终形成连续的平坦层,随着沉积量的继续增加,新吸附的Ga原子在平坦层上面形成新的Ga液滴,从而导致了密度的降低.此外,纳米结构的孔深、孔径、环高和盘径几何特征尺寸随着沉积量的增加而增加,且在表面[1-10]和[110]两个方向上纳米结构中的量子环以及盘状结构的形貌特征呈现各向异性.  相似文献   
4.
采用循环伏安法和方波伏安法考察了酸性大红3R在碳糊电极上的伏安行为和反应机理。当扫描速率为0.1 V/s时,在pH 1的0.05 mol/L H2SO4支持电解液中,酸性大红3R有一对峰电位分别是0.74 V和0.72 V(vs.饱和甘汞电极)的氧化峰和还原峰,并且显示吸附控制的2电子单质子的准可逆氧化还原过程。在最佳实验条件下,酸性大红3R的方波氧化峰峰电流与其浓度在2.12×10^-5-3.39×10^-4mol/L范围内呈线性关系,检出限为8.35×10^-6mol/L,由此建立测定酸性大红3R含量的方波伏安法。该方法可用于计算酸性大红3R常规染羊毛与蚕丝的上染率,测定结果与分光光度法一致。  相似文献   
5.
采用分子束外延(MBE)技术制备In_(0.5)Ga_(0.5)As/GaAs量子点,利用扫描隧道显微镜(STM)对不同衬底温度下生长的样品进行表征分析.研究表明量子点密度随温度升高先增大后减小,其尺寸随温度的升高而增大.另外,量子点以S-K模式生长并受Ostwald熟化机制影响,其尺寸增大所需的能量来自应变能和温度提供的能量,高温条件下表面原子的解吸附作用会限制量子点的生长.  相似文献   
6.
本文研究了Ga液滴在Al_(0.4)Ga_(0.6)As表面的扩散行为.在衬底温度为380℃时,在Al_(0.4)Ga_(0.6)As薄膜上沉积3 MLGa液滴;在零砷压下,通过改变退火时间(0 s, 150 s, 300 s, 450 s, 600 s)观察液滴形貌变化,利用剖面线、坑洞和液滴的比例变化分析发现液滴高度随时间延长越来越低,直至形成坑洞,Ga液滴内部的原子在Al_(0.4)Ga_(0.6)As表面上首先向外扩散,而后与表面As原子结合成环,约在退火时间到500 s时扩散模式逐步变化为向下溶蚀.利用公式计算出最初Ga覆盖率约为2.6 ML,并且在380℃下Ga液滴在Al_(0.4)Ga_(0.6)As表面的液滴消耗速率为0.0065 ML/s.  相似文献   
7.
评述了修饰碳糊电极的材料组成、修饰方法与修饰功能及在分析化学、生物科学、环境化学等领域的应用,预测了修饰碳糊电极在化学生物传感器方面的发展趋势(引用文献54篇)。  相似文献   
8.
以电聚合方式,在石墨烯修饰的铅笔芯电极表面制备出2,4-二甲基苯胺的分子印迹聚合物,以零流电位变化的最大差值为指标获得最佳电聚合参数。磷酸缓冲溶液的pH为6.47,功能单体与模板分子的配比为1∶8,电位范围为–0.8~0.8 V,聚合圈数为26,洗脱时间为5 min。与2,4-二甲基苯胺结构相近的物质如4-氯苯胺、4-氨基联苯、联苯胺、邻甲苯胺等均不干扰测定。2,4-二甲基苯胺质量浓度的对数在0.121 2~605.908μg/L范围内与零流电位线性关系良好,相关系数为0.991,检出限为0.040 6μg/L。测定结果的相对标准偏差为0.84%(n=5),平均回收率为95.59%~101.70%。该电极制备简单,灵敏度高,选择性和稳定性好,适用于实际废水中2,4-二甲基苯胺的检测。  相似文献   
9.
采用循环伏安法和方波伏安法研究了阳离子染料孔雀石绿(MG)在H2SO4底液(pH 1.0)中的电化学行为.在0.1 V/s的扫描速率下,MG在碳糊电极上显示一个不可逆氧化峰:0.82 V(Pa,2);一对准可逆氧化还原峰:0.51 V(Pa,1)、0.48 V(Pc)(Ep vs.SCE).在0.05~0.9 V/s的扫速范围内,3个峰的峰电流与扫速的平方根都成正比,表明MG的电氧化还原过程均受扩散控制.计时库仑法测得MG的扩散系数为2.31×10-7cm2/s,表面覆盖度是1.18×10-11mol/cm2.还原峰Pc的峰电流与MG的浓度在8.00×10-6~1.00×10-4 mol/L范围内呈线性关系,检出限为6.6 μmol/L(S/N=3),染色工艺中常用的匀染剂"平平加O"和MG染色体系中常见的无机离子不干扰测定.本方法用于测定MG上染腈纶的上染率,结果与分光光度法一致.  相似文献   
10.
马明明  同帜 《光谱实验室》2011,28(5):2188-2193
采用荧光发射光谱研究了牛血清白蛋白与胭脂红相互作用的发射光谱特征,计算了不同温度下二者结合常数KA、结合位点数n、热力学参数ΔGΘ、ΔSΘ、ΔHΘ及室温下牛血清白蛋白与胭脂红的能量转移距离。结果显示,胭脂红有效猝灭牛血清白蛋白内源荧光是通过范德华力和氢键作用使牛血清白蛋白分子与胭脂红分子结合为配合物造成的;4种氨基酸(脯氨酸、精氨酸、赖氨酸和甘氨酸)的存在均能使二者结合常数下降。应用同步荧光、瑞利共振散射光谱技术表征,发现牛血清白蛋白与胭脂红相互作用后牛血清白蛋白的色氨酸和酪氨酸残基位于疏水性比较弱的区域。  相似文献   
设为首页 | 免责声明 | 关于勤云 | 加入收藏

Copyright©北京勤云科技发展有限公司    京ICP备09084417号-23

京公网安备 11010802026262号