多色蓝在核酸分子上的Langmuir聚集吸附

用微相吸附-光谱修正（MPASC）新技术研究核酸与多色蓝(PCB)探针分子间的相互作用，分析核酸分子内双静电膜的形成与Langmuir吸附的关联性.通过pH 7.24的介质核酸-PCB反应的光谱研究，测定了结合产物的物理化学参数：结合比1PCB:2DNA-PCB、1PCB:3RNA-PCB, 平衡常数KDNA-PCB=5.42×104， KRNA-PCB=2.82×104,摩尔吸收系数ε(DNA-PCB, 625 nm)=5.65×103（mo1－1•L ）•cm－1， ε(RNA-PCB, 625 nm)=3.85×103 （mol－1•L）•cm－1.结果表明， RNA分子仅形成约60％双螺旋结构链，核酸双螺旋每一周期的负静电沟最大聚集10个PCB分子.该吸附反应用于核酸样品测定，结果良好.     

β—修正—ARS新光度法测定环境水铝

在ＰＨ８氨性溶液中，铝（Ａｌ＾３＋）与茜素红Ｓ（ＡＲＳ）反应，显色液由紫红色转桔黄色。本文研究β修正新光度测定痕量铝。该方法可将反应液中剩余ＡＲＳ干扰消除，β修正吸光度（Ａβ）与Ａｌ浓度在０～２５μｇ／２５ｍｌ范围内符合比耳定律，且分析灵敏度高，实验表明，ＲＳＤ≤２．９％，加标回收率９１．９～１０９％，铝最低检测浓度．０２４ｍｇＬ＾－１。方法适合于环境水中痕量铝测定。     

Oligo诱导突变的改进方法

介绍一种改进的Ｏｌｉｇｏ诱导ＤＮＡ定点突变方法，此法制备的含Ｕ野生型模板ＤＮＡ在ＪＭ１０７中的存活率从５％～１０％下降至１％～２％；诱变反应终产物转染ＪＭ１０７产生的斑数比原法提高１５～２０倍，诱导连续４个核苷酸替换产生的突变频率达８０％～８５％，即使诱导连续１２个核苷酸的缺失，也能获得４０％～５０％的突变频率．     

大功率高温超导滤波器的设计与功率测试

本文在双面YBCO高温超导薄膜上设计并制备了两节大功率超导滤波器,根据滤波器功率承载能力与最大电流密度之间的关系,减小电流密度和分散电流密度的分布是提高功率承载能力的关键.本文采用增加超导谐振器尺寸、优化几何结构及改进馈线耦合方式的方法,设计了两节2 GHz频段梭型谐振器结构的滤波器.设计及测量结果显示了馈线结构及谐振器几何尺寸优化程度对超导滤波器功率承载能力有不同程度的影响,说明了在大功率超导滤波器设计中应选用无结点间隙耦合式馈线以抑制电流密度的聚集.采用优化后的谐振器结构制备的梭型两节超导滤波器经测试功率承载能力为2 W.超导滤波器的尺寸为25×12 mm LaAlO3基片,中心频率2.022 GHz,相对带宽为2.4%.同时给出了超导滤波器功率测试的结构和方法.     

磁镜阵列像增强器的调制传递函数研究

基于三代近贴式像增强器,设计了磁镜阵列装置的结构,从理论上计算了该装置的调制传递函数以及将其引入像增强器后整体的调制传递函数,以此来分析对成像质量的影响.通过对实际参量绘制的调制传递函数曲线分析,得出磁镜阵列装置在X、Y方向的极限分辨率分别为117lp/mm、121lp/mm,奈奎斯特频率处的调制传递函数值分别为0.55、0.59,同时磁镜阵列像增强器的极限分辨率也分别达到了87lp/mm、89lp/mm,相应的奈奎斯特频率处的调制传递函数值为0.49和0.52.结果表明X和Y方向的调制传递函数曲线之间差异较之磁镜阵列装置变小,这对保证成像质量起到了积极的作用.文章为进一步深入研究磁镜阵列像增强器提供了重要的理论依据.     

电子束泵浦氧化锌基量子阱的斯塔克效应

在不同功率密度的电子束泵浦条件下,对ZnO/Zn0.85Mg0.15O非对称双量子阱的荧光光谱进行了研究,并采用蒙特卡罗仿真模拟对测试结果进行了分析。模拟的结果和实验结果高度吻合。观测到了不随穿透深度变化的阱区发光峰红移,证明表面电荷积累引起了量子限域斯塔克效应。     

纳米光学传感器用于检测汞离子

汞离子是毒性最大的重金属之一,对环境和人体都会造成严重的不良影响,开发能够快速检测环境中汞离子的分析方法引起了越来越多的关注。纳米材料由于其优良的光学性能和良好的稳定性,被广泛用于环境中汞离子的检测。本文主要综述了近年来一些代表性的基于纳米材料的汞离子荧光、比色传感器。根据纳米材料的不同,将这些传感器分为基于金、银、碳和硅基材料,以及量子点、有机纳米颗粒和其他纳米基材料的荧光、比色传感器,并分别从设计原理、识别性能和实际应用等方面对这些传感器进行了描述和讨论。最后对该领域的研究和发展提出了展望。     

场效应器件低温特性与低噪声放大器

高温超导滤波器与低噪声放大器(LNA)组成的射频接收机前端设备具有高选择性、高灵敏度和极低的噪声,因而展现出广阔的应用前景.本文研究了场效应器件的低温物理特性和电学参数,研制了一种适用于高温超导微波接收系统的低温低噪声放大器,在60K工作温度下,具有很好的噪声特性.包括高电子迁移率场效应晶体管在内的元件参数均在60K温度下进行了实际测量.放大器的各项指标与设计值吻合,工作频段为800MHz～850MHz,增益大于18dB,输入输出驻波比小于1.2,噪声系数小于0.22dB.     

Small amplitude double layers in an electronegative dusty plasma with q-distributed electrons

The small amplitude dust ion-acoustic double layers in a collisionless four-component unmagnetized dusty plasma system containing nonextensive electrons, inertial negative ions, Maxwellian positive ions, and negatively charged static dust grains are investigated theoretically. Using the pseudo-potential approach and reductive perturbation method, an energy integral equation for the system has been derived and its solution in the form of double layers is obtained. The results appear that the existence regime of the double layer is very sensitive to the plasma parameters, e.g., electron nonextensivity,negative-to-positive ion number density ratio etc. It has been observed that for the selected set of parameters, the system supports rarefactive,(compressive) double layers depending upon the degree of nonextensivity of electrons.     

Coexistence of unipolar and bipolar modes in Ag/ZnO/Pt resistive switching memory with oxygen-vacancy and metal-Ag filaments

In this study, the unipolar resistive switching(URS) and bipolar resistive switching(BRS) are demonstrated to be coexistent in the Ag/Zn O/Pt memory device, and both modes are observed to strongly depend on the polarity of forming voltage. The mechanisms of the URS and BRS behaviors could be attributed to the electric-field-induced migration of oxygen vacancies(VO) and metal-Ag conducting filaments(CFs) respectively, which are confirmed by investigating the temperature dependences of low resistance states in both modes. Furthermore, we compare the resistive switching(RS)characteristics(e.g., forming and switching voltages, reset current and resistance states) between these two modes based on VO- and Ag-CFs. The BRS mode shows better switching uniformity and lower power than the URS mode. Both of these modes exhibit good RS performances, including good retention, reliable cycling and high-speed switching. The result indicates that the coexistence of URS and BRS behaviors in a single device has great potential applications in future nonvolatile multi-level memory.