流动注射在线共沉淀HG-AFS测定痕量铅

建立了流动注射在线共沉淀HG-AFS测定痕量铅的分析方法。方法基于铅在碱性介质中与氢氧化镁共沉淀，沉淀收集在锥形沉淀腔中，用HCl溶洗沉淀和NaBH4反应，产生的氢化物被载气引入原子化器中进行测定。测定铅的RSD为3％(5ng/mL，n=10)，检出限为0．01ng。检出限较直接进样降低了11倍。对国家标准物质中铅的测定结果与标准值相符。     

用于细胞及组织培养的中等强度LED生物光源

研制出可用于细胞及组织培养的中等强度发光二极管光源,介绍了光源的光路原理和简要结构,测试了该光源的辐射照度及其强度分布,使用统计分析软件SPSS拟合得到该光源的辐射照度经验公式。     

氮化铟p型掺杂的第一性原理研究

采用基于密度泛函理论(DFT)的总体能量平面波超软赝势法，对Mg，Zn，Cd掺杂InN的32原子超原胞体系进行了几何结构优化，从理论上给出了掺杂和非掺杂体系的晶体结构参数，其中非掺杂体系的理论值与实验值符合很好. 计算了掺杂InN晶体的结合能，总体态密度、集居数，差分电荷密度，并对此做了细致的分析. 计算结果表明，相对于Zn和Cd，Mg_In在InN中的溶解度会更大，并能提供更多的空穴态，非常有利于InN的p型掺杂. 关键词： 氮化铟 p型掺杂 电子结构 第一性原理     

温度对Al0.5Ga0.5As/AlAs分布布喇格反射器的反射谱影响

采用光学传输矩阵理论对Al0.5Ga0.5As/AlAs材料分布布喇格反射器(DBR)进行理论研究,分析了－10℃到100℃的范围内,温度变化对不同DBR结构的反射光谱影响.结果表明：随着温度的升高,传统20周期DBR的反射光谱向长波长方向移动,速率约0.05 nm/℃,其中由线热膨胀系数带来的影响小于0.001 nm/℃.当传统DBR的周期数增大时,温度对DBR光谱反射率的影响在减小,同时DBR的反射谱峰值波长发生红移.为了降低温度对DBR反射光谱的影响,提出一种新型的复式DBR结构.分析指出：该复式DBR比传统DBR有更大的反射光谱半峰宽,基本能覆盖同温度的AlGaInP LED电致发光光谱,这对提高LED的出光效率有现实意义.     

小型烧结炉装置的设计与制作

设计与研制了一种小型的用于制备薄膜样品电接触的烧结炉装置。该装置简单、实用 ,特别适用于半导体霍耳样品电极的烧接。     

ZnSe单晶薄膜的MOCVD法生长

本文研究了常压MOCVD法制备宽禁带材料ZnSe的生长机制。通过经验公式和烟雾实验,从理论上和实验上分析了反应室的气流状态。观测了滞流层厚度及生长速率与位置、气流速度及衬底温度的关系。实现了反应器设计最优化,在热壁、常压、DEZ源的系统中也生长出高质量的ZnSe单晶外延层。     

InxGa1-xN薄膜的弯曲因子及斯托克斯移动研究

采用常压金属有机化学汽相沉积(MOCVD)技术以Al2O3为衬底在GaN膜上生长了InxGa1-xN薄膜。以卢瑟福背散射／沟道技术、光透射谱、光致发光光谱对InxGa1-xN／GaN／AI2O3样品进行了测试。研究了InxGa1-xN薄膜的弯曲因子及斯托克斯移动。结果表明，采用光透射谱、光致发光光谱得到的InxGa1-xN薄膜的禁带宽度一致，InxGa1-xN薄膜并不存在斯托克斯移动。InxGa1-xN薄膜的In组分分别为0．04，0．06，0．24，0．26时，其弯曲因子分别为3．40,2．36，1．82，3．70。随In组分变化。InxGa1-xN薄膜的弯曲因子的变化并没有一定的规律，表明InxGa1-xN薄膜的禁带宽度随In组分的变化关系复杂。     

原子激光传输的有效ABCD形式研究

利用含适量子系统传播子的ABCD形式的理论，将品质因子守恒系统中的ABCD定律，推广到有效品质因子守恒的系统——原子激光的传输中，通过引入有效品质因子和有效参数q_eff，利用Heisenberg图像得到传播子的有效ABCD形式.由于原子激光内部原子间相互作用的存在，原有的品质因子不再守恒，有效品质因子是描述原有品质因子和原子间相互作用综合作用效果的物理量. 关键词： 原子激光 传输 有效ABCD参数 传播子     

纤锌矿型量子级联激光器的界面与受限声子比较(英文)

利用传输矩阵方法对纤锌矿型量子级联激光器有源区的界面与受限声子进行了研究.计算结果显示:在纵光学频域有一组界面声子与二组受限声子存在,而且最低频率的两个界面声子在一定条件下能转变为受限模式.通过比较界面声子与受限声子的色散及声子势发现两者有很大不同,且计算电声散射速率可以发现由这两种声子引起的散射率是可比拟的.     

Improvement of characteristics of an InGaN light-emitting diode by using a staggered AlGaN electron-blocking layer

The optical and physical properties of an InGaN light-emitting diode (LED) with a specific design of a staggered AlGaN electron-blocking layer (EBL) are investigated numerically in detail. The electrostatic field distribution, energy band, carrier concentration, electroluminescence (EL) intensity, internal quantum efficiency (IQE), and the output power are simulated. The results reveal that this specific design has a remarkable improvement in optical performance compared with the design of a conventional LED. The lower electron leakage current, higher hole injection efficiency, and consequently mitigated efficiency droop are achieved. The significant decrease of electrostatic field at the interface between the last barrier and the EBL of the LED could be one of the main reasons for these improvements.