径向偏振光激发氧化石墨烯/金纳米棒复合基底的表面增强拉曼散射性能

探究径向偏振矢量光与氧化石墨烯/金纳米棒复合结构的相互作用,以提高表面增强拉曼散射性能。基于FDTD Solutions软件,得到氧化石墨烯/单金纳米棒复合基底在径向偏振光激发下的表面增强拉曼散射增强因子达到10~8,比相同条件下线偏振光激发的大6个数量级。这种性能提高的物理机制源于径向偏振光激发金纳米棒的电磁增强与氧化石墨烯产生的本征化学增强。进一步详细讨论了径向偏振光激发下氧化石墨烯厚度、金纳米棒数量和排列方式对表面增强拉曼散射性能的影响。基于径向矢量光场激发多功能基底的表面增强拉曼散射性能调控在生物化学、食品安全与传感检测等领域具有巨大的应用潜力。     

不同正交变换深度Q网络单像素成像性能比较

为指导和完善深度Q网络单像素成像,对不同正交变换深度Q网络单像素成像性能进行比较分析.提出了基于深度Q网络的离散余弦变换单像素成像和Krawtchouk矩变换单像素成像.采用结构相似度和峰值信噪比作为图像质量评价标准,以人为规划方法作为对照,定量分析四种基于正交变换的深度Q网络单像素成像的重建结果.仿真和实验结果表明,...     

自适应斜Z字形采样Hadamard单像素成像

单像素成像技术在成像速度和质量上已经取得一定的进展,然而,如何在保证成像质量的前提下提升成像速度仍然是一个待解决的问题。对Hadamard系数矩阵中每条斜列上的系数绝对值求取平均值后,发现其具有迅速减小的特征,基于此发现提出了一种自适应斜Z字形采样方法,以实现预期的成像质量和速度提升。实验结果表明,该方法可以有效减少采样次数与数据采集量,兼顾成像质量的同时提升了成像速度。在相同的采样率下,其成像质量优于顺序采样的单像素成像。     

Optimum design of photoresist thickness for 90-nm critical dimension based on ArF laser lithography

In this work,a 90-nm critical dimension(CD) technological process in an ArF laser lithography system is simulated,and the swing curves of the CD linewidth changing with photoresist thickness are obtained in the absence and presence of bottom antireflection coating(BARC).By analysing the simulation result,it can be found that in the absence of BARC the CD swing curve effect is much bigger than that in the presence of BARC.So,the BARC should be needed for the 90-nm CD manufacture.The optimum resist thickness for 90-nm CD in the presence of BARC is obtained,and the optimizing process in this work can be used for reference in practice.