石墨颗粒/CuAlMn形状记忆合金复合材料中的位错内耗峰

利用渗流技术制备出了以石墨颗粒为阻尼增强相、以Cu-11.9Al-2.5Mn(wt%)形状记忆合金为基体的复合材料，对该合金的内耗行为进行了研究. 在淬火态样品的内耗-温度曲线上观察到两个内耗峰，分别位于240 ℃和370 ℃附近. 对其中低温峰的变化规律和机理进行了研究. 实验发现，低温峰仅在复合材料中出现，峰位与频率无关，峰高随频率升高而上升；随升温速率增加，峰高增加，峰位移向高温；随石墨颗粒体积分数增加，峰高增加；经多次热循环后该内耗峰消失. 由以上特征和微观观察，可以证明该峰起因于外加交变应力与位错的相互作用.     

利用内耗研究淬火空位对Cu-11.9Al-2.5Mn(wt%)形状记忆合金逆马氏体相变温度的影响

利用内耗手段研究了淬火空位的演变行为及其对Cu-11.9Al-2.5Mn(wt%)形状记忆合金逆马氏体相变温度的影响.通过对不同冷却方式的样品研究表明,较高的冷却速度可以导致较高的逆马氏体相变峰峰温.而对于水淬样品,相变峰峰温随淬火温度呈非单调变化行为,这可能与有序相及无序相中不同的空位形成能有关.经历热循环以后,逆马氏体相变峰峰温显著降低. 关键词： 形状记忆合金 热处理 马氏体相变 阻尼     

Preparation of Mg55Ni35Si10 Amorphous Powders by Mechanical Alloying and Consolidation by Vacuum Hot Pressing

Amorphous Mg55Ni35Si10 powders are fabricated by using a mechanical alloying technique. The amorphous powders are found to exhibit a relatively high crystallization temperature of 380℃. The as-milled amorphous Mg55Ni35Si10 powders are consolidated successfully into bulk body by vacuum hot pressing technique. Limited nanocrystallization is noticed. The Vickers microhardness range of the Mg55Ni35Si10 bulk sample is 7834 to 8048 MPa. Its bending strength and compressive strength are 529 MPa and 1466 MPa, respectively.     

利用界面层提高多孔铝阻尼能力的一种新方法

通过溶胶一凝胶法在多孔铝孔表面包覆一层厚度为100μm左右的聚苯乙烯薄膜。内耗测量表明，引入该界面层以后，多孔铝的阻尼能力有了非常显著的提高，甚至有了量级的变化。分析表明，借助界面层的微小滑移而耗能应该是阻尼能力提高的主要机制。同时也意味着利用有机高分子设计界面层从而提高相应多孔材料的阻尼能力是可行的、高效的。     

利用界面层提高多孔铝阻尼能力的一种新方法

通过溶胶-凝胶法在多孔铝孔表面包覆一层厚度为100 μm左右的聚苯乙烯薄膜.内耗测量表明,引入该界面层以后,多孔铝的阻尼能力有了非常显著的提高,甚至有了量级的变化.分析表明,借助界面层的微小滑移而耗能应该是阻尼能力提高的主要机制.同时也意味着利用有机高分子设计界面层从而提高相应多孔材料的阻尼能力是可行的、高效的.