纳米ZnO颗粒在阳极Al2 O3模板中的强光致发光研究

用金属醇盐水解法在阳极Al2O3模板的有序孔洞中生长了纳米量级的ZnO颗粒,并用扫描电子显微镜(SEM)和高分辨电子显微镜(HRTEM)对其形貌进行观察.对纳米ZnO/多孔阳极Al2O3模板组装体的光致发光谱进行测量,将组装体中纳米ZnO颗粒的发光强度与常规方法制备的纳米ZnO颗粒发光强度做了比较,就发光强度提高的原因进行了讨论.     

纳米(Y0.95Eu0.05)2O3及其SiO2气凝胶介孔组装体的制备与光致发光

采用尿素溶胶法合成（Ｙ０．９５Ｅｕ０．０５）２Ｏ３纳米粉,用超临界干燥技术制备了ｎ－（Ｙ０．９５Ｅｕ０．０５）２Ｏ３／ＳｉＯ２气凝胶介孔组装体。结果表明,当Ｙ＾３＋：Ｅｕ＾３＋＝２０：１,均相反应时间为４ｈ,且经６８０℃、４ｈ灼烧热处理后得到的ｎ－（Ｙ０．９５Ｅｕ０．０５）２Ｏ３中,光致发光强度最大（发光峰位于６１２ｎｍ）,以Ｓｉ与２Ｙ摩尔比为１：７的ｎ－（Ｙ０．９５Ｅｕ０．０５）２Ｏ３／ＳｉＯ２气凝胶介孔组装体,经同样条件热６１６ｎｍ）。对产生上述发光强度减弱和峰位红移现象进行讨论。     

纳米非晶氮化硅键态结构的X射线径向分布函数研究

本文用X射线径向分布函数法研究了室温到1000℃不同退火条件下的纳米非晶氮化硅样品的微结构和键合特征。观察到占庞大体积百分数界面不是“gas-like”结构,而是与非晶纳米粒子不同的新的短程序结构。Si—N键长和最近邻原子配位数(CN)均比传统Si₃N₄小,并存在大量的Si悬键和不饱和键。纳米氮化硅与传统Si₃N₄饱和共价键不同,是含有大量非饱和键和悬键的非典型共价键结构。由于键配位的不饱和特征,纳米非晶氮化硅的分子式应写作Si_3-xN_4-y。纳米非晶氮化硅出现强极性与非饱和键和悬键有密切的关系。 关键词：     

氮化硼包覆纳米氧化锌体系的光致发光特性研究

研究了ZnO纳米微粒和BN胶囊组装体系(ZnO/BN的核壳结构)的光致发光特性.观察到ZnO/BN体系的光致发光比ZnO纳米粒子增强了1000倍.指出该现象的机理是由于BN胶囊的绝缘环境对界面结构和ZnO量子点的缺陷的数量的影响 关键词： 光致发光增强 电子顺磁共振 ZnO/BN组装体     

纳米Cu/Al_2O_3组装体模板合成与光吸收

以有序的多孔氧化铝为模板,利用交流电在孔洞中沉积金属铜得到纳米Cu粒子/Al2O3组装体系.透射电镜观察显示随着交流电沉积时间的延长,孔洞中纳米Cu粒子数量增加.测量了纳米Cu粒子/Al2O3组装体系的紫外可见光吸收光谱,发现随着孔洞中纳米Cu粒子数量增加,纳米Cu粒子/Al2O3组装体系的吸收带边大幅度红移;根据雷利散射引起的消光增强解释了组装体吸收带边红移的原因.同时发现Cu粒子的表面等离子共振吸收峰消失及组装体在吸收带边区光吸收值满足间接带隙半导体光吸收边的表达式.     

交流电在Al_2O_3模板中沉积金属机理探讨

以铝阳极氧化形成有序的多孔氧化铝为模板,利用交流电在模板孔洞中沉积金属Ag得到纳米Ag粒子/Al2O3组装体系,透射电镜观察证实在氧化铝模板中有金属纳米Ag粒子存在.分析了交流电能在孔洞中沉积金属的原因是由于Al/Al2O3界面的整流特性,测量了Al/Al2O3界面的I－U关系曲线.     

纳米氧化镍微粉的制备及光吸收谱

Uniform nanosized NiO particles were prepared by a chemical coprecipitation using NiCl2?6H2O as the starting material. The relationship between various annealing temperatures and grain size of NiO crystallite was investigated. Optical reflectivity spectra of Nanometer-sized NiO powders at room temperature were studied. The results show that seven optical absorption bands (P1、 P2、P3、P4、P5、P6 and P7) with the peak energies of 3.30, 2.99, 2.78, 2.25,1.92, 1.72 and 1.07eV, respectively, are located on a continuous refiectivity background. P1、 P2、P3 and P4 exhibit "blue shift", but P5、P6 and P7 present "red shift" in comparison with that of single crystal NiO. The continuous reflectivity background increases rapidly with increasing the annealing temperature from 500℃ to 600℃ to 700℃. The origins of P1 to P7 and the reasons of "blue shift", "red shift" and the increase of the reflectivity background with increasing the annealing temperature have been analyzed in detail.     

纳米Hg2Cl2/Al2O3有序阵列体系的制备和表征

纳米结构材料由于其独特的物理化学性质以及在微电子器件、光开关等方面的应用而备受关注. 多孔氧化铝由于具有孔径分布较窄、取向一致和孔密度高等优点而广泛用于模板制备纳米结构材料. 在多孔氧化铝中可以组装金属纳米粒子[1]、半导体纳米粒子[2]、导电高分子[3]以及碳纳米管[4]等.     

钠米Al2O3块体材料在可见光范围的荧光现象

对不同温度退火未掺Ｃｒ的纳米结构Ａｌ₂Ｏ₃块体的荧光谱进行了系统的研究。结果表明，在纳米级勃母石，η－Ａｌ₂Ｏ₃和γ－Ａｌ₂Ｏ₃试样中均观察到两个宽的荧光带（ｐ₁和ｐ₂带），它们的波数范围分别为２００００—１４５００和１４５００—１１５００ｃｍ^－１。ｐ₁带可归结为纳米Ａｌ_{2关键词：}