KTP晶体中一种特殊缺陷的研究

研究发现,在KTP晶体中有一特殊的区域,在这一区域内,KTP晶体的倍频效率明显增加,本文借助于透射同步辐射(SR)白光形貌方法,对这一区域进行了研究,发现在这区域内有一面缺陷,在这面缺陷处由于杂质的积累,使晶格发生了微小畸变,从而使KTP晶体的倍频效率增加,并根据消光规律确定了该缺陷的最大应变方向R=<010>。 关键词：     

KTa＿（1－x）Nb＿xO＿3晶体的同步辐射X射线白光形貌术研究

利用北京同步辐射光源，对居里点在室温附近的掺铁钽铌酸钾光折变晶体进行了Ｘ射线白光形貌术研究．观察显示，晶体内部除了杂质偏析物和一组沿［０１０］方向的生长层外，还有一组与之正交的畴组态，后者被发现不满足一般面缺陷的衬度消光规律，仅有异常散射效应揭示其衬度．利用同步辐射波长的可调谐性，揭示了该组畴随波长改变其衍时衬度变化的规律，而且畴的衍射强度被发现违背Ｆｒｉｅｄｅｌ定律．依据实验证据，这组畴被确认为１８０°铁电畴．对畴形成原因和晶体生长特性进行了讨论．     

掺V4+的KTiOPO4单晶的电子顺磁共振研究

在室温X波段对掺V⁴⁺的KTP单晶作电子顺磁共振(EPR)谱的测量和分析表明:V⁴⁺占据的晶位可分为结晶学上不同的两类,每一类又含4个磁性不等价而结晶学上相同的V⁴⁺晶位。测量了3个互相垂直结晶主平面上的EPR超精细线随角度的变化,并用严格的最小二乘法拟合程序,确定了g和A张量的主值以及它们主轴的方向余弦。从而揭示了V⁴⁺是处在带有四角畸变的八面体环境及单胞中所有8个磁性不等价V⁴⁺晶位的空间取向     

GdxY1-xCa4O(BO3)3晶体非临界相位匹配波长的研究

根据YCa₄O(BO₃)₃(YCOB),GdCa₄O(BO₃)₃(GdCOB)的折射率拟合方程,分析了Gd_xY_1-xCOB可实现非临界相位匹配的波长范围.利用704-5型光参量放大器,测量了非临界相位匹配波长随组分x的变化关系. 关键词： xY_1-xCOB晶体')" href="#">Gd_xY_1-xCOB晶体 非临界相位匹配波长     

Nd:Ca4ReO(BO3)3(Re=Gd,Y)晶体最佳激光、最佳倍频及最佳自倍频方向的确定

介绍了Nd:Ca4ReO(BO3)3(Re=Gd,Y)晶体最佳激光方向、最佳倍频方向的确定.综合考虑激光受激发射截面、抽运光吸收系数、有效非线性系数的各向异性,分析了自倍频性质的空间分布,并就此确定出最佳自倍频方向 关键词： Nd:Ca4ReO(BO3)3(Re=Gd Y)晶体 激光发射 倍频 自倍频     

RbTiOAsO4晶体中的生长缺陷和生长机制

采用溶盐法生长了大尺寸ＲｂｉＯＡｓＯ４晶体。利用同步辐射形貌术和化学腐蚀法，研究了ＲｂＴｉＯＡｓＯ４晶体中的生长缺陷。发现该晶体中的生长缺陷主要生长位错和生长扇界。大部分位钷沿「１００」方向，Ｂｕｒｇｅｒｓ适量为「００１」。在扫描电镜下，对原生ＲｂＴｉＯＡｓＯ４晶体的表面形态进行了观察，根据其表面二次电子像的特征，对不同晶面的生长控制机制进行了讨论。     

高效率光参量转换

用一块6.5×9×20(长度)mm KTP晶体获得625nm～3575nm的皮秒可调谐激光.能量转换效率高达30%,最大信号光峰值功率34MW.     

Yb∶YAl3(BO3)4晶体形貌与生长速度的关系

观察测量了不同生长速度(相应于不同降温速度)自发成核生长的Yb∶YAl3(BO3)4晶体形貌。粒度较大(>2mm)的晶体不管降温速度快慢形态都很简单,只发育六方柱｛1120｝和菱面体｛1011｝;粒度较小(<2mm)的晶体形态随降温速度增快而变复杂,发育一些罕见的高指数晶面。说明在生长速度较快的条件下,在晶体生长早期,一些高能面发育,在晶体生长后期已尖灭了,晶体生长的大部分时间是在低能面｛1120｝和｛1011｝上进行的。对比了不同生长条件下晶面的粗糙度,随着降温速度的增快,六方柱面｛1120｝和菱面体面｛1011｝由光滑变粗糙,顶面｛0001｝永远是粗糙的。从晶体结构上定性地探讨了3种晶面的杰克逊因子α及生长机理