氘-核目洽微观光学势实部的二级修正

从基本的核子-核子相互作用出发推导氘-核微观光学势是一个十分有效的途径.在文献[1,2]中,我们以扩展Skyrme相互作用、质量算符方法和半经典变分方法为基础发展了一套计算氘-核自治微观光学势的方法.它能够比较好地预言无实验数据的和非稳定核素的核反应数据.但是,有必要指出:在过去的工作中,作为初级近似,只取一级质量算符(即Hartree-Fock平均场)为光学势实部,二级质量算符的虚部为光学势虚部,忽略了二级质量算符实部对光学势实部的贡献.     

中能区光学势的温度效应

本文在Skyr}e相互作用、核物质近似和自洽半经典方法的基础上，将微观光学势的自洽研究推J“到中能区(60-r300MeV)，研究了”+907r在该能区光学势的径向形状和温度效应     

有限步扩散反应置限分形聚集

综合考虑扩散粒子浓度n、粒子扩散限制范围Δ、扩散粒子与种粒子或团簇相遇时，反应概率P及粒子扩散步数W的影响，提出了有限步扩散反应置限聚集的分形生长模型，模拟得到一系列典型的聚集生长图形，计算了相应的分形维数.结果表明，在粒子浓度n较小时，呈离散团簇状生长；而在粒子浓度较大时，则随反应概率P或粒子扩散步数W的增大，从离散团簇状生长转变为连续枝叉状生长. 关键词：     

自洽半经典方法与有限温度微观光学势——Ⅰ.实部

从扩展Skyrme力出发,利用自洽半经典(Scsc)方法确定了热核~(40)Ca和~(208)Pb的核子密度_(ρq)(q=n,p);由核物质近似及定域密度近似(LDA)推导了有限温度微观光学势的计算公式.利用这些公式及上述密度,具体计算了不同能量和温度下的核子-核光学势.这样得到的光学势是完全自洽和微观的,并且较完整地考虑了温度对光学势的影响.本文仅讨论光学势的实部.     

中子、质子和核电荷均方根半径的温度依赖性

本文从扩展Skyrme相互作用出发,利用半径典变分方法,详细研究了‘0Ca,"0Zr,}zosn和”BPb的中子均方根半径( r; ) z、质子均方根半径(ro ) E和核电荷均方根半径(r})E的温度依赖性.     

自洽半经典方法与有限温度微观光学势 II虚部

以自洽半经典方法及定域密度近似为基础,计算并讨论了不同温度和能量下微观核子-核光学势的虚部.通过和以前工作的比较,强调了采用温度有关核密度的必要性.     

自洽半经典方法与有限温度微观光学势I.实部

从扩展Skyrme力出发,利用自洽半经典(Scsc)方法确定了热核⁴⁰Ca和²⁰⁸Pb的核子密度ρ_q(q=n,p);由核物质近似及定域密度近似(LDA)推导了有限温度微观光学势的计算公式.利用这些公式及上述密度,具体计算了不同能量和温度下的核子-核光学势.这样得到的光学势是完全自洽和微观的,并且较完整地考虑了温度对光学势的影响.本文仅讨论光学势的实部.     

高温下金属薄膜生长初期的模拟研究

采用实际的生长模型和物理参量,用Monte Carlo方法对高温下金属薄膜的生长过程进行了模拟研究.综合考虑了原子沉积、扩散、成核、生长和扩散原子的再蒸发、原子沿岛周界扩散和岛的合并等众多过程后,模拟得到与实验结果相当一致的薄膜生长形貌及其相应的定量结果.通过动态统计薄膜生长过程中的岛数目及薄膜生长率,得到实验中不易直接获得的高温下薄膜生长的许多细节,如岛数目和薄膜生长率随表面温度、覆盖度变化的详细情况等 关键词： 薄膜 Monte Carlo模拟 成核 岛密度 薄膜生长率     

自洽半经典方法与有限温度微观光学势 Ⅱ.虚部

以自洽半经典方法及定域密度近似为基础,计算并讨论了不同温度和能量下微观核子-核光学势的虚部.通过和以前工作的比较,强调了采用温度有关核密度的必要性.     

氘-核自洽微观光学势的温度依赖性

本文在Skyrme相互作用参数与温度无关的假定下,利用Green函数的质量算符方法和半经典变分方法,推导了有限温度下氘-核自洽微观光学势的计算公式,计算和分析了在不同氘核入射能量下d+⁴⁰Ca和d+⁹⁰Zr光学势的温度依赖性。