差分脉冲伏安法同时测定α-山竹黄酮和γ-山竹黄酮

研究了α-山竹黄酮和γ-山竹黄酮在玻璃碳电极上的电化学行为,研究了pH和静置时间等因素的影响,探讨了α-山竹黄酮和γ-山竹黄酮在玻璃碳电极上的氧化机理,建立了差分脉冲伏安法同时测定α-山竹黄酮和γ-山竹黄酮的方法。在pH 3.1的BR缓冲介质中,α-山竹黄酮在0.822 V产生灵敏的氧化峰,γ-山竹黄酮在0.426 V和0.700 V产生灵敏的氧化峰。对α-山竹黄酮,相应的氧化峰的峰高与浓度在5.00×10-6mol/L~2.00×10-4mol/L范围内呈良好的线性关系,线性相关系数为0.9950;对γ-山竹黄酮,其在0.426 V氧化峰的峰高与浓度在2.00×10-5mol/L~6.00×10-4mol/L浓度范围内呈良好的线性关系,线性相关系数为0.9904。该方法测量2.00×10-4mol/L的α-山竹黄酮和γ-山竹黄酮相对标准偏差分别为3.3%和4.1%(n=10)。     

基于有源广义忆阻的无感混沌电路研究

采用常见元器件等效实现一个广义忆阻器, 进而制作出一个电路特性可靠的非线性电路, 有助于忆阻混沌电路的非线性现象的实验展示及其所产生的混沌信号的实际工程应用. 基于忆阻二极管桥电路, 构建了一种无接地限制的、易物理实现的一阶有源广义忆阻模拟器; 由该模拟器并联电容后与RC桥式振荡器线性耦合, 实现了一种无电感元件的忆阻混沌电路; 建立了无感忆阻混沌电路的动力学模型, 开展了相应的耗散性、平衡点、稳定性和动力学行为等分析. 结果表明, 无感忆阻混沌电路在相空间中存在分布2个不稳定非零鞍焦的耗散区和包含1个不稳定原点鞍点的非耗散区; 当元件参数改变时, 无感忆阻混沌电路有着共存分岔模式和共存吸引子等非线性行为. 研制了实验电路, 该电路结构简单、易实际制作, 实验测量和数值仿真两者结果一致, 验证了理论分析的有效性.     

基于一阶广义忆阻器的文氏桥混沌振荡器研究

通过在文氏桥振荡器中引入广义忆阻器和LC吸收网络,提出了一种忆阻文氏桥混沌振荡器.建立了忆阻文氏桥混沌振荡器的动力学模型,研究了它的平衡点和稳定性,进一步开展了电路元件参数变化时的动力学行为分析.研究发现,忆阻文氏桥混沌振荡器有3个确定的平衡点,其稳定性取决于电路元件参数,当参数发生变化时,存在周期振荡、混沌振荡、快慢效应等复杂的非线性现象.实验电路简单易制作,实验波形和数值仿真一致,较好地验证了理论分析结果.     

Threshold flux-controlled memristor model and its equivalent circuit implementation

Modeling a memristor is an effective way to explore the memristor properties due to the fact that the memristor devices are still not commercially available for common researchers. In this paper, a physical memristive device is assumed to exist whose ionic drift direction is perpendicular to the direction of the applied voltage, upon which, corresponding to the HP charge-controlled memristor model, a novel threshold flux-controlled memristor model with a window function is proposed. The fingerprints of the proposed model are analyzed. Especially, a practical equivalent circuit of the proposed model is realized, from which the corresponding experimental fingerprints are captured. The equivalent circuit of the threshold memristor model is appropriate for various memristors based breadboard experiments.