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本文分别采用磁控溅射技术与基于密度泛函理论的平面波赝势方法两种方式, 对高价态差元素V掺杂ZnO薄膜进行研究. 实验研究结果表明: V的掺入并未改变ZnO的生长方式, 所制备的薄膜都呈(002)择优生长; 随着衬底温度增加, VZO薄膜的结晶质量逐步改善, 当衬底温度超过280 ℃时薄膜的结晶质量恶化; 在280 ℃时获得的VZO薄膜电阻率最低3.8×10-3 Ω·m, 500-2000 nm平均透过率高于85%. 理论模拟结果表明: V以替位形式掺入ZnO六角纤锌矿晶格结构中, 费米能级进入导带, 材料表现出n 型半导体的特性, 导电电子主要由V 3d及O 2p电子轨道提供. 理论计算结果与实验结果的一致性, 表明VZO薄膜具有作为高效Si基薄膜太阳电池透明导电薄膜的应用潜力. 相似文献
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原子荧光光谱法测定固体废弃物——氧化皮中的砷 总被引：1，自引：0，他引：1
建立了固体废弃物——氧化皮中砷的测定方法。氧化皮粉末样品经盐酸溶解,在溶液中添加硫脲和抗坏血酸预还原砷,以盐酸(2+98)为载流,硼氢化钠(10g/L)和氢氧化钾(5g/L)混合溶液为还原剂,砷与硼氢化钠、盐酸反应生成砷化氢,砷化氢利用氩气导入石英炉原子化器中原子化,以空心阴极灯为激发光源,测量砷产生的荧光强度。测试氧化皮中砷含量的相对标准偏差为不大于4.8%,检出限为0.12μg/L,回收率为97%～103%,结果准确度较好。方法具有试剂消耗少、快速、检出限低的优点。 相似文献
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能力验证是利用实验室间比对确定实验室检测能力的活动,其评价结果多用于评估单个实验室的检测能力。行业监管部门期望掌握实验室整体能力和检测方法的相关信息,为分析参加实验室的整体检测能力和不同测试方法的差异,分析了3年航空煤油检测能力验证结果,采用满意结果百分比、|Z|值平均值随参加能力验证次数的变动情况,证实了能力验证对整体检测能力的改进作用;利用异方差t检验,比较不同测试方法结果的一致性和精密度差异;通过比较能力验证评价标准差和检测标准的精密度要求,评价参加实验室整体检测能力是否符合检测标准要求。研究表明,能力验证数据能够用于定量分析参加实验室的整体检测能力,为行业实验室监管和检测方法间比对提供依据。 相似文献
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铜阳极泥中因含有大量金、银、铂、钯等贵金属而具有较高回收价值,其中金是价值最高的元素,金的精准检测对其综合回收具有重要指导意义。由于生产铜阳极泥的阳极板成分、生产指标控制、设备设施水平等因素的不同,导致其主要成分及含量均有较大差异,实验针对代表性的多金属复杂铜阳极泥,考察了多因素对火试金检测结果的影响。在硅酸度K=1.8、铅扣质量为35 g、氧化铅过量系数为1.8、熔炼温度为1100℃、熔炼升温时间和保温时间均为30 min时,加标回收率在99.4%~101%,RSD为0.15%~0.29%。优化条件下可实现多金属复杂铜阳极泥中金的精准检测。 相似文献
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采用脉冲激光沉积(PLD)法分别在SrTiO3(100)、LaAlO3 (100)和MgO(100)单晶基片上制备了双层钙钛矿锰氧化物La13Sr17Mn2O7(LSMO)薄膜.X射线衍射谱表明三个样品均沿衬底的晶向择优生长;原子力显微镜显示薄膜表面均光滑致密.采用标准四探针法对薄膜的阻温特性进行了研究,发现SrTiO3 (100)和LaAlO3(100)基片上生长的薄膜呈现出明显的金属-绝缘体转变,转变温度分别为340 K和330 K.而在MgO基片上显示绝缘体态,无金属-绝缘体转变.结合阻温曲线的拟合及薄膜与衬底的晶格失配计算,从薄膜应力和激活能变化的角度分析了样品出现不同阻温特性的内在机制. 相似文献
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遗传算法作为一种随机化优化搜索方法,已经在很多领域得到了成功应用,但其存在控制参数多且配置困难的问题.本文采用一类最新试验设计方法-计算机试验设计,对遗传算法的参数配置进行优化.结果表明,基于正交拉丁超立方设计的参数配置,其算法的计算精度和速度表现最佳.模拟结果进一步讨论了不同试验设计方案在遗传算法中的差别. 相似文献
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