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王兵兵 《军民两用技术与产品》2016,(22)
分析了大型商业综合体的火灾危险性以及给设计审核和日常监督带来的消防问题,提出了有针对性的解决对策,为今后大型商业综合体的设计审核和监督提供了有效的解决办法和措施. 相似文献
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为探究ZnO·Al2O3·nSiO2玻璃抗裂纹萌生能力(CR)随SiO2含量变化的演化规律,制备了一系列不同n值(n=2,2.35,2.5,2.65,3,3.5)的样品。基于CR和结构表征发现,CR随着n的增加呈先增大后减小的反常演化,并于n=2.5时出现极值(31.1 N)。这是源于随着n增大:(1)原子堆积份数逐渐减小,可致密化体积逐渐增加,从而导致CR逐步提高;(2)Al—O多面体结构单元含量逐步减少,导致CR逐步下降;(3)考虑到相界面对裂纹生长的强阻挡能力,中程异构分相(富Al和富Si相)致相界面数量呈先增多后减少的变化趋势,导致CR产生类似的非单调演化。上述三个因素的竞争和协同作用是该体系中CR呈反常演化的结构起源,但考虑到极值点附近较小的组分变化,中程异构致相界面数量随n增加呈现的非单调演变才应是CR呈反常演化的主要结构根源。 相似文献
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采用低温溶液聚合的方法,将间苯二甲酰氯(IPC)和间苯二胺(MPD)在N,N'-二甲基甲酰胺(DMAC)中聚合,在聚合的不同阶段,由纯氨(NH3)或二正丁胺(DBA)中和反应生成了氯化氢,最后得到了聚间苯二甲酰间苯二胺(PMIA).研究了反应中生成的氯化氢对聚合反应体系的表观粘度、PMIA聚合物的比浓对数粘度以及PMIA溶液稳定性的影响. 相似文献
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制备了响应在太赫兹波段的台面型砷化镓(GaAs)基阻挡杂质带(BIB)探测器,并进行了背景电流的测试分析。采用金属有机化学气相沉积(MOCVD)工艺进行外延层生长,能更有效地控制吸收层的掺杂浓度,提高阻挡层的纯度。另外,搭建了GaAs基BIB探测器的低温测试系统,在 3.4 K测试温度下,对器件施加-5~5 V偏压,测得300 K背景响应电流在10-2~10-6 A量级。在低电流区,电流随偏压增加的速率相对较快;在高电流区,电流随偏压增加的速率变得相对平缓。且对于相同偏压绝对值,正偏压工作模式下的背景响应电流比负偏压工作模式下的背景电流高。基于测试结果,重点分析了GaAs基BIB探测器的光电输运机理。 相似文献
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太赫兹探测及成像技术是推动太赫兹科学技术发展的基础和关键.为了实现高灵敏太赫兹探测及成像,设计了一种台面型硅基阻挡杂质带太赫兹探测器,详细介绍了其结构及探测机理,描述了其制备工艺流程,并搭建了黑体响应测试系统.结果表明,4.2K温度条件下,3.8V工作偏压时,探测器峰值响应率可达55A/W,响应频段覆盖6.7~60THz.此外,搭建了一套两维扫描成像系统,实现了高分辨率被动成像.实验结果表明,成像系统空间分辨率可达400μm、温度分辨率约为7.5mK. 相似文献
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